技術(shù)特征：

1.一種垂直腔發(fā)光元件，所述垂直腔發(fā)光元件包括：

2.一種垂直腔發(fā)光元件，所述垂直腔發(fā)光元件包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的垂直腔發(fā)光元件，其中，

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的垂直腔發(fā)光元件，其中，

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的垂直腔發(fā)光元件，其中，

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的垂直腔發(fā)光元件，其中，

7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的垂直腔發(fā)光元件，其中，

8.一種通過金屬有機化學(xué)氣相沉積mocvd的垂直腔發(fā)光元件的制造方法，所述垂直腔發(fā)光元件的制造方法包括：

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的垂直腔發(fā)光元件的制造方法，其中，

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的垂直腔發(fā)光元件的制造方法，其中，

11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的垂直腔發(fā)光元件的制造方法，其中，

12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的垂直腔發(fā)光元件的制造方法，其中，

13.一種垂直腔發(fā)光元件，所述垂直腔發(fā)光元件通過根據(jù)權(quán)利要求9所述的制造方法而制造。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明的目的是提供一種使用壽命長、效率高的垂直腔發(fā)光元件以及用于制造該垂直腔發(fā)光元件的方法，利用該垂直腔發(fā)光元件能夠在確保載流子注入的高效率的同時抑制元件使用壽命的任何降低。根據(jù)本發(fā)明的垂直腔發(fā)光元件包括p型AlGaN層，該p型AlGaN層具有這樣的配置，其中含有Mg作為p型摻雜劑并且具有不同的Al組分的三個或更多個AlGaN層被層疊。如果通過SIMS在層厚度方向上的Al組分曲線上限定的p型AlGaN層從有源層側(cè)按所述順序被劃分為具有p型AlGaN層的層厚度的1/10的第一區(qū)域、具有層厚度的2/5的第二區(qū)域和具有層厚度的1/2的第三區(qū)域，則區(qū)域之間在Al組分方面的大小關(guān)系使得第一區(qū)域低于第三區(qū)域，第三區(qū)域又低于第二區(qū)域。通過Mg濃度曲線指示的Mg濃度在p型AlGaN層的整個層厚度上小于1.2×10<supgt;19</supgt;原子/cm<supgt;3</supgt;，并且在第一區(qū)域中最低；在從Mg濃度在第二區(qū)域內(nèi)最大的峰值位置到Mg濃度在第三區(qū)域內(nèi)最大的峰值位置的區(qū)域內(nèi)，Mg濃度不小于3×10<supgt;18</supgt;原子/cm<supgt;3</supgt;，并且Mg濃度的最大值和最小值之間的差不大于1.5×10<supgt;18</supgt;原子/cm<supgt;3</supgt;。

技術(shù)研發(fā)人員：津田有三,倉本大
受保護的技術(shù)使用者：斯坦雷電氣株式會社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/6/30