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碳納米壁電極及其制造方法與流程

文檔序號:42327343發(fā)布日期:2025-07-01 19:47閱讀:16來源:國知局

本發(fā)明涉及在基板上立設(shè)有碳納米壁的碳納米壁電極及其制造方法。另外,涉及使用它們的全固體二次電池及其制造方法。


背景技術(shù):

1、近年來,作為由碳構(gòu)成的納米材料的一種的碳納米壁受到關(guān)注,進(jìn)行了大量研究。碳納米壁是多層石墨烯立設(shè)在基板上而成的納米結(jié)構(gòu)體,期待作為電池、電容器、生物傳感器、電化學(xué)傳感器等的電極的應(yīng)用(例如非專利文獻(xiàn)1、2)。

2、另外,專利文獻(xiàn)1中記載了以碳納米片電極作為負(fù)極的鋰離子二次電池。這里,碳納米片電極定義為石墨烯片從基板向各種方向傾斜地生長的電極。該二次電池使用li1-xcoo2作為正極活性物質(zhì),使用在碳酸亞乙酯和碳酸二甲酯的混合溶劑中溶解有l(wèi)ipf6的溶液作為電解液,發(fā)現(xiàn)碳的每單位重量的充放電容量超過石墨的理論容量,且反復(fù)充放電導(dǎo)致的劣化少。

3、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

4、專利文獻(xiàn)

5、專利文獻(xiàn)1:wo2014/069310

6、非專利文獻(xiàn)

7、非專利文獻(xiàn)1:m.hiramatsu,k.takeda,h.kondo?and?m.hori?j.plasma?fusionres.vol.98,no.4(2022)158-164

8、非專利文獻(xiàn)2:b.li,s.yang?et.al.nano?lett.2015,15,5,3073-3079


技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、然而,上述以往的碳納米壁電極存在如下問題:在銅基板與碳納米壁之間容易發(fā)生剝離,機(jī)械強(qiáng)度不足。另外,在專利文獻(xiàn)1所述的碳納米片電極中,石墨烯片從基板向各種方向傾斜地生長,因此在用于使用固體電解質(zhì)的全固體二次電池的情況下,存在固體電解質(zhì)只能與最表面的石墨烯片接觸的問題。因此,存在固體電解質(zhì)與碳納米片的接觸面積變小、負(fù)極材料的每單位體積(或每單位重量)的電池容量變小的問題。

2、本發(fā)明是鑒于上述以往的實(shí)際情況而完成的,其應(yīng)當(dāng)解決的問題在于提供一種在基板與碳納米壁之間不易發(fā)生剝離,即使在應(yīng)用于使用固體電解質(zhì)的全固體電池的情況下負(fù)極材料的每單位體積(或每單位重量)的電池容量也變大的碳納米壁電極。

3、為了解決上述問題,本發(fā)明人等對碳納米壁電極進(jìn)行了研究。結(jié)果發(fā)現(xiàn)如果使用微波等離子體cvd法在基板上形成石墨烯片,則石墨烯片在基板上大致垂直地生長。另外發(fā)現(xiàn)通過使用含有鐵、鎳等元素的材料作為基板,在基板表面附近形成與基板的密合性優(yōu)異的碳化物(即碳與陽性元素的化合物的碳化物(以下同樣))層。而且還發(fā)現(xiàn)通過該碳化物層的形成,在碳納米壁與基板之間不易發(fā)生剝離,成為機(jī)械強(qiáng)度大且耐久性優(yōu)異的碳納米壁電極。另外發(fā)現(xiàn)如果將該碳納米壁電極應(yīng)用于使用固體電解質(zhì)的全固體二次電池,則可以極大地增大負(fù)極材料的每單位體積(或每單位重量)的容量。

4、即,本發(fā)明的碳納米壁電極的特征在于,在基板上立設(shè)有碳納米壁,在基板表面附近,在x射線光電子能譜法(xps)分析中的c1s的窄掃描中存在基于碳化物的峰。基于碳化物的峰的結(jié)合能的中心值根據(jù)碳化物的種類而稍有不同,但為281.0ev~284.0ev的范圍的值。

5、本發(fā)明的碳納米壁電極中,在基板表面附近在x射線光電子能譜法(xps)分析中的c1s的窄掃描中存在基于碳化物的峰(換言之,在基板表面附近存在碳化物層)。從使基板與碳納米壁的密合性良好的觀點(diǎn)出發(fā),x射線光電子能譜法(xps)分析中的c1s中的基于碳化物的峰的面積優(yōu)選為c1s光譜中的總峰面積的2%以上。

6、作為基板的材料,優(yōu)選含有鐵、鎳、鉻、鈷、鋁、硅、鎢、鉬、錳、鈦和鉭中的至少一種元素。這是因?yàn)檫@些元素與碳反應(yīng)容易形成碳化物。例如,作為基板,可以使用由純鐵、碳鋼、不銹鋼、鐵合金構(gòu)成的薄板、箔等。另外,基板可以是兼具集電體的材料,也可以是在由集電體構(gòu)成的材料的表面層疊含有這些元素的被膜層而成的材料。奧氏體系不銹鋼、鐵素體系不銹鋼、馬氏體系不銹鋼含有容易形成碳化物的鐵、鉻、鎳,而且不易腐蝕,因此特別優(yōu)選。

7、另外,相鄰的碳納米壁間的平均距離優(yōu)選為1.2μm以上。這是因?yàn)樵趯⑻技{米壁電極用于全固體型鋰離子電池的情況下,如果碳納米壁間的平均距離小于1.2μm,則固體電解質(zhì)難以填充到碳納米壁間的間隙中,碳與鋰的接觸面積減少,由此充電容量變小。

8、本發(fā)明的碳納米壁電極可以如下制造。

9、即本發(fā)明的碳納米壁電極的制造方法的特征在于,包括cvd工序,通過一邊供給至少含有氫和烴的混合氣體一邊進(jìn)行微波等離子體cvd法而在基板上形成碳納米壁;載置上述基板的臺的溫度為400~600℃?;旌蠚怏w中除了氫和烴以外,還可以含有氦氣、氬氣等稀有氣體。

10、根據(jù)該碳納米壁電極的制造方法,能夠在基板上形成含有碳化物的碳層。這樣形成的含有碳化物的碳層薄,密合性也良好,因此能夠防止由于基板與碳層的熱膨脹系數(shù)的差異所引起的應(yīng)變導(dǎo)致的碳層剝離或彎曲。應(yīng)予說明,如果使載置基板的臺的溫度小于400℃,則由于來自等離子體的輻射熱而基板的表面?zhèn)缺缺趁鎮(zhèn)缺惠^強(qiáng)地加熱,因此變得高于載置基板的臺的溫度。因此,在基板的厚度方向上產(chǎn)生溫度差,因此產(chǎn)生基板彎曲或翹曲的問題。

11、本發(fā)明的全固體二次電池的特征在于,使用本發(fā)明的碳納米壁電極作為二次電池用負(fù)極。本發(fā)明的全固體二次電池由于使用在基板上立設(shè)有石墨烯片的碳納米壁電極,所以固體電解質(zhì)與各碳納米壁的石墨烯片表面接觸,由此接觸面積變大。另外,在充電過程中,不僅通過插層而鋰被吸藏于碳納米壁的層間,而且在碳納米壁表面也析出數(shù)層鋰。因此,負(fù)極材料的每單位體積或每單位重量的電池容量顯著變大。

12、本發(fā)明的全固體二次電池的制造方法的特征在于,具有通過物理蒸鍍法在本發(fā)明的碳納米壁電極上形成固體電解質(zhì)層的工序和通過物理蒸鍍法在上述固體電解質(zhì)上形成正極物質(zhì)層的工序。

13、根據(jù)本發(fā)明的全固體二次電池的制造方法,由于在真空裝置中進(jìn)行各制造工序,所以沒有混入大氣中的水分、雜質(zhì)的風(fēng)險(xiǎn),可以通過自動化進(jìn)行制造。

14、本發(fā)明人等確認(rèn)了使用本發(fā)明的碳納米壁電極制作全固體型鋰離子電池顯示優(yōu)異的電池特性。該全固體型鋰離子電池與使用電解液的情況相比,具有能夠提高工作溫度且沒有漏液的風(fēng)險(xiǎn)而安全這樣的優(yōu)點(diǎn)。

15、作為固體電解質(zhì),可以使用lipon等。另外,可以使用limno等在使用了電解液的鋰離子電池中通常使用的正極活性物質(zhì)作為正極活性物質(zhì)。



技術(shù)特征:

1.一種碳納米壁電極,在基板上立設(shè)有碳納米壁,在基板表面附近,x射線光電子能譜法即xps分析中的c1s的窄掃描中存在基于碳化物的峰。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳納米壁電極,其中,所述基板含有鐵、鎳、鉻、鈷、鋁、硅、鎢、鉬、錳、鈦和鉭中的至少一種元素。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳納米壁電極,其中,所述基板為奧氏體系不銹鋼或鐵素體系不銹鋼。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳納米壁電極,其中,所述碳化物存在于所述基板表面附近的碳納米壁中。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳納米壁電極,其中,所述基于碳化物的峰的面積為c1s光譜中的總峰面積的2%以上。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳納米壁電極,其中,相鄰的碳納米壁間的平均距離為1.2μm以上。

7.一種碳納米壁電極的制造方法,是權(quán)利要求1~6中任一項(xiàng)所述的碳納米壁電極的制造方法,包括:

8.一種全固體二次電池,使用權(quán)利要求1~6中任一項(xiàng)所述的碳納米壁電極作為二次電池用負(fù)極。

9.一種全固體二次電池的制造方法,具有如下工序:

10.一種全固體二次電池的制造方法,具有如下工序:


技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明的課題在于提供一種在基板與碳納米壁之間不易發(fā)生剝離、即使在應(yīng)用于使用固體電解質(zhì)的全固體電池的情況下負(fù)極材料的每單位體積(或每單位重量)的電池容量也大的碳納米壁電極。解決課題的手段是將碳納米壁(21)立設(shè)在基板(20)上,并且,在基板表面附近在X射線光電子能譜法(XPS)分析中的C1s的窄掃描中存在基于碳化物的峰。

技術(shù)研發(fā)人員:內(nèi)藤正美,里特施庫馬爾·維什瓦卡爾馬,朱儒成,梅野正義,宮田康史
受保護(hù)的技術(shù)使用者:名古屋市
技術(shù)研發(fā)日:
技術(shù)公布日:2025/6/30
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