本技術(shù)屬于儲能裝置，具體涉及隔膜及其制備方法、儲能裝置、用電設(shè)備。
背景技術(shù)：
1、在儲能裝置長時(shí)間運(yùn)行后，儲能裝置內(nèi)部會出現(xiàn)電芯上部離子傳輸受阻的現(xiàn)象，導(dǎo)致電芯上部與下部的離子傳輸速度之差逐漸變大，造成電芯整體動力學(xué)不一致，長期運(yùn)行后影響儲能裝置的電性能。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、鑒于此，本技術(shù)第一方面提供了一種隔膜，應(yīng)用于儲能裝置，所述隔膜具有沿其寬度方向排列的第一部分與第二部分，所述第一部分具有第一孔隙率，所述第二部分具有小于所述第一孔隙率的第二孔隙率，所述第一部分用于相較于所述第二部分更靠近所述儲能裝置的極耳。
2、本技術(shù)第一方面提供的隔膜，其具有第一孔隙率的部分與具有第二孔隙率的部分沿隔膜的寬度方向排列。本技術(shù)使具有第一孔隙率的部分更靠近儲能裝置的極耳，不僅提高靠近極耳一端的隔膜的吸液速度和保液能力，緩解儲能裝置上部離子濃度減少的不均勻性；而且為處于儲能裝置上部的極片干區(qū)及時(shí)補(bǔ)充電解液，保證極片上活性物質(zhì)能夠被電解液再浸潤和有效參與到儲能裝置的充放電反應(yīng)中，保證離子傳輸通道順暢和有足夠多的電化學(xué)反應(yīng)活性位點(diǎn)，降低儲能裝置的內(nèi)阻和提升儲能裝置的循環(huán)性能；還使具有第二孔隙率的部分遠(yuǎn)離儲能裝置的極耳，能夠減緩對應(yīng)儲能裝置下部的隔膜的離子傳輸，平衡儲能裝置的電芯上下整體動力學(xué)，減緩長期運(yùn)行后儲能裝置上部電解液不足的問題，進(jìn)而提高了儲能裝置的電性能。
3、其中，所述第一孔隙率為45％＜p1≤70％，所述第二孔隙率為35％≤p2＜40％。
4、其中，所述隔膜還包括第一過渡部，所述第一過渡部連接于所述第一部分與所述第二部分之間，所述第一過渡部的孔隙率沿所述第一部分至所述第二部分的方向逐漸減小。
5、其中，所述隔膜還具有位于所述第一部分與所述第二部分之間的第三部分，所述第三部分具有第三孔隙率，所述第三孔隙率小于所述第一孔隙率，且所述第三孔隙率大于所述第二孔隙率。
6、其中，所述第三孔隙率為40％≤p3≤45％。
7、其中，沿所述隔膜的寬度方向上，所述第一部分、所述第三部分、及所述第二部分的寬度比為(0.05-0.1)：(0.8-0.9)：(0.05-0.1)。
8、本技術(shù)第二方面提供了一種隔膜的制備方法，所述制備方法包括：
9、混料：提供基材與造孔劑，將所述基材與所述造孔劑混合得到混合料，所述混合料包括第一混合料與第二混合料，在所述第一混合料中所述造孔劑與所述基材的質(zhì)量比值為第一造孔比，在所述第二混合料中所述造孔劑與所述基材的質(zhì)量比值為第二造孔比，所述第二造孔比小于所述第一造孔比；
10、熔融擠出：將所述第一混合料與所述第二混合料分別熔融并分別擠出，以得到由所述第一混合料制備的第一擠出片與由所述第二混合料制備的第二擠出片；
11、連接：將所述第一擠出片連接所述第二擠出片；
12、造孔：去除所述第一擠出片與所述第二擠出片中的所述造孔劑，以使所述第一擠出片具有第一孔隙率，所述第二擠出片具有小于所述第一孔隙率的第二孔隙率，得到應(yīng)用于儲能裝置的隔膜。
13、本技術(shù)第二方面提供的隔膜的制備方法。通過制備造孔比不同的混合料，并將混合料分別熔融與擠出得到第一擠出片與第二擠出片，然后，將第一擠出片連接第二擠出片，并去除擠出片中的造孔劑，從而得到具有不同孔隙率的隔膜。也可以理解為，隔膜既具有較高的第一孔隙率的部分，又具有較低的第二孔隙率的部分。
14、當(dāng)隔膜應(yīng)用于儲能裝置時(shí)，使具有第一孔隙率的部分與具有第二孔隙率的部分沿隔膜的寬度方向排列。隔膜具有第一孔隙率的部分更靠近儲能裝置的極耳，不僅提高靠近極耳一端的隔膜的吸液速度和保液能力，緩解儲能裝置上部離子濃度減少的不均勻性；而且為處于儲能裝置上部的極片干區(qū)及時(shí)補(bǔ)充電解液，保證極片上活性物質(zhì)能夠被電解液再浸潤和有效參與到儲能裝置的充放電反應(yīng)中，保證離子傳輸通道順暢和有足夠多的電化學(xué)反應(yīng)活性位點(diǎn)，降低儲能裝置的內(nèi)阻和提升儲能裝置的循環(huán)性能。隔膜具有第二孔隙率的部分遠(yuǎn)離儲能裝置的極耳，以減緩對應(yīng)儲能裝置下部的隔膜的離子傳輸，平衡儲能裝置的電芯上下整體動力學(xué)，減緩長期運(yùn)行后儲能裝置上部電解液不足的問題，進(jìn)而提高了儲能裝置的電性能。
15、其中，在所述熔融擠出與所述連接的步驟中，包括：
16、擠出：提供用于擠出所述第一混合料的第一擠出口與用于擠出所述第二混合料的第二擠出口，所述第一擠出口與所述第二擠出口相鄰設(shè)置，且所述第一混合料的擠出方向與所述第二混合料的擠出方向相同；
17、熔融連接：使所述第一擠出口擠出處于熔融狀態(tài)的第一擠出片；并且，使所述第二擠出口擠出處于熔融狀態(tài)的第二擠出片；并且，將所述處于熔融狀態(tài)的第一擠出片連接所述處于熔融狀態(tài)的第二擠出片。
18、其中，在所述熔融連接：的步驟中，包括：
19、所述第一擠出片與所述第二擠出片的連接處混合形成第一過渡部，所述第一過渡部連接于所述第一擠出片與所述第二擠出片之間；
20、在所述造孔的步驟中，還包括：
21、去除所述第一過渡部中的所述造孔劑，以使所述第一過渡部的孔隙率沿所述第一擠出片至所述第二擠出片的方向逐漸減小，得到所述隔膜。
22、其中，在所述混料的步驟中，還包括：
23、所述混合料還包括第三混合料，在所述第三混合料中所述造孔劑與所述基材的質(zhì)量比值為第三造孔比，所述第三造孔比小于所述第一造孔比，且所述第三造孔比大于所述第二造孔比；
24、在所述熔融擠出的步驟中，還包括：
25、將所述第三混合料熔融并擠出，以得到由所述第三混合料制備的第三擠出片；
26、在所述連接的步驟中，還包括：
27、將所述第三擠出片連接于所述第一擠出片與所述第二擠出片之間；
28、在所述造孔的步驟中，還包括：
29、去除所述第三擠出片中的所述造孔劑，以使所述第三擠出片具有第三孔隙率，所述第三孔隙率小于所述第一孔隙率，且所述第三孔隙率大于所述第二孔隙率，得到所述隔膜。
30、其中，所述第一造孔比為(80-85)：(14-20)，所述第三造孔比為(70-80)：(20-30)，所述第二造孔比為(60-70)：(30-40)。
31、其中，所述基材包括超高分子量聚乙烯與高密度聚乙烯中的至少一者，當(dāng)所述基材包括超高分子量聚乙烯與高密度聚乙烯時(shí)，超高分子量聚乙烯與高密度聚乙烯的質(zhì)量比為(0.5-1.5)：(0.5-1.5)。
32、本技術(shù)第三方面提供了一種儲能裝置，所述儲能裝置包括極耳、電解液、正極極片、負(fù)極極片、及如本技術(shù)第一方面提供的隔膜，所述隔膜的第一部分相較于所述隔膜的第二部分更靠近所述極耳。
33、本技術(shù)第三方面提供的儲能裝置，通過采用本技術(shù)第一方面提供的隔膜，其具有第一孔隙率的部分與具有第二孔隙率的部分沿隔膜的寬度方向排列。隔膜具有第一孔隙率的部分更靠近儲能裝置的極耳，不僅提高靠近極耳一端的隔膜的吸液速度和保液能力，緩解儲能裝置上部離子濃度減少的不均勻性；而且為處于儲能裝置上部的極片干區(qū)及時(shí)補(bǔ)充電解液，保證極片上活性物質(zhì)能夠被電解液再浸潤和有效參與到儲能裝置的充放電反應(yīng)中，保證離子傳輸通道順暢和有足夠多的電化學(xué)反應(yīng)活性位點(diǎn)，降低儲能裝置的內(nèi)阻和提升儲能裝置的循環(huán)性能。隔膜具有第二孔隙率的部分遠(yuǎn)離儲能裝置的極耳，以減緩對應(yīng)儲能裝置下部的隔膜的離子傳輸，平衡儲能裝置的電芯上下整體動力學(xué)，減緩長期運(yùn)行后儲能裝置上部電解液不足的問題，進(jìn)而提高了儲能裝置的電性能。
34、本技術(shù)第四方面提供了一種用電設(shè)備，所述用電設(shè)備包括：
35、設(shè)備本體；及
36、如本技術(shù)第三方面提供的儲能裝置，所述儲能裝置為所述設(shè)備本體進(jìn)行供電。
37、本技術(shù)第四方面提供的用電設(shè)備，通過采用本技術(shù)第三方面提供的儲能裝置，其隔膜具有第一孔隙率的部分與具有第二孔隙率的部分沿隔膜的寬度方向排列。隔膜使具有第一孔隙率的部分更靠近儲能裝置的極耳，僅提高靠近極耳一端的隔膜的吸液速度和保液能力，緩解儲能裝置上部離子濃度減少的不均勻性；而且為處于儲能裝置上部的極片干區(qū)及時(shí)補(bǔ)充電解液，保證極片上活性物質(zhì)能夠被電解液再浸潤和有效參與到儲能裝置的充放電反應(yīng)中，保證離子傳輸通道順暢和有足夠多的電化學(xué)反應(yīng)活性位點(diǎn)，降低儲能裝置的內(nèi)阻和提升儲能裝置的循環(huán)性能。隔膜具有第二孔隙率的部分遠(yuǎn)離儲能裝置的極耳，以減緩對應(yīng)儲能裝置下部的隔膜的離子傳輸，平衡儲能裝置的電芯上下整體動力學(xué)，減緩長期運(yùn)行后儲能裝置上部電解液不足的問題，進(jìn)而提高了儲能裝置的電性能。當(dāng)儲能裝置為設(shè)備本體進(jìn)行供電時(shí)，儲能裝置能為設(shè)備本體提供穩(wěn)定的電源。