本發(fā)明涉及固態(tài)硬盤，尤其涉及一種基于shift?read快速尋找vt波谷的方法、裝置、設(shè)備及介質(zhì)。
背景技術(shù)：
1、在nand閃存存儲技術(shù)領(lǐng)域，數(shù)據(jù)存儲單元在完成寫入操作后，其電荷狀態(tài)易受環(huán)境溫度波動、工作電壓偏差及存儲時間推移等多重因素影響，導(dǎo)致電壓閾值(vt)發(fā)生偏移。這種物理特性變化將直接影響數(shù)據(jù)讀取準(zhǔn)確性——若繼續(xù)采用默認(rèn)基準(zhǔn)電壓進行讀取操作，存儲單元的實際電荷分布可能偏離預(yù)期范圍，使得讀取過程中錯誤比特數(shù)(fbc)顯著增加。當(dāng)fbc超出低密度奇偶校驗(ldpc)引擎的糾錯容量時，最終將引發(fā)不可恢復(fù)數(shù)據(jù)(unc)錯誤，嚴(yán)重威脅存儲設(shè)備的可靠性。
2、傳統(tǒng)解決方案普遍依賴存儲顆粒廠商預(yù)置的重讀(read?retry)參數(shù)表，通過逐級調(diào)整讀取電壓閾值的方式嘗試恢復(fù)數(shù)據(jù)。該方案需遍歷預(yù)定義的全部電壓檔位，直至fbc降至糾錯閾值內(nèi)或完成所有檔位嘗試。然而，此類參數(shù)表的設(shè)計通?；谔囟y試環(huán)境下的電荷分布模型，在實際復(fù)雜工況中存在適配局限性。尤其在電荷分布異常的場景中，遍歷式電壓調(diào)整將顯著延長糾錯耗時，導(dǎo)致固態(tài)存儲設(shè)備(ssd)的讀寫性能出現(xiàn)斷崖式下降，嚴(yán)重影響業(yè)務(wù)系統(tǒng)的穩(wěn)定性。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、本發(fā)明實施例提供了一種基于shift?read快速尋找vt波谷的方法、裝置、設(shè)備及介質(zhì)，旨在解決上述背景技術(shù)中的至少一個技術(shù)問題。
2、第一方面，本發(fā)明實施例提供了一種基于shift?read快速尋找vt波谷的方法，其包括：
3、以預(yù)設(shè)的基準(zhǔn)電壓讀取nand?flash的數(shù)據(jù)，得到第一數(shù)據(jù)；
4、以預(yù)設(shè)的多個偏移電壓對所述nand?flash的數(shù)據(jù)進行偏移讀，得到多個第二數(shù)據(jù)；
5、分別將多個所述第二數(shù)據(jù)與所述第一數(shù)據(jù)進行異或運算，得到計算結(jié)果；
6、基于所述計算結(jié)果確定所述nand?flash的最優(yōu)讀電壓。
7、其進一步的技術(shù)方案為，多個所述偏移電壓中，大于所述基準(zhǔn)電壓的偏移電壓的數(shù)量與小于所述基準(zhǔn)電壓的偏移電壓的數(shù)量相同。
8、其進一步的技術(shù)方案為，所述偏移電壓的數(shù)量不超過6個。
9、其進一步的技術(shù)方案為，所述分別將多個所述第二數(shù)據(jù)與所述第一數(shù)據(jù)進行異或運算，得到計算結(jié)果，包括：
10、分別將多個所述第二數(shù)據(jù)與所述第一數(shù)據(jù)進行異或運算，統(tǒng)計得到1的數(shù)量，得到所述計算結(jié)果。
11、其進一步的技術(shù)方案為，所述基于所述計算結(jié)果確定所述nand?flash的最優(yōu)讀電壓，包括：
12、基于所述計算結(jié)果中的偏移電壓為橫坐標(biāo)，偏移電壓對應(yīng)的1的數(shù)量為縱坐標(biāo)進行曲線擬合，得到目標(biāo)曲線；
13、基于所述目標(biāo)曲線，確定所述nand?flash的最優(yōu)讀電壓。
14、其進一步的技術(shù)方案為，所述基于所述目標(biāo)曲線，確定所述nand?flash的最優(yōu)讀電壓，包括：
15、獲取所述目標(biāo)曲線的最低點；
16、獲取所述最低點對應(yīng)的電壓值作為所述最優(yōu)讀電壓。
17、其進一步的技術(shù)方案為，所述方法還包括：
18、以所述最優(yōu)讀電壓讀取所述nand?flash的數(shù)據(jù)。
19、第二方面，本發(fā)明實施例還提供了一種基于shift?read快速尋找vt波谷的裝置，其包括用于執(zhí)行上述方法的單元。
20、第三方面，本發(fā)明實施例還提供了一種計算機設(shè)備，其包括存儲器及處理器，所述存儲器上存儲有計算機程序，所述處理器執(zhí)行所述計算機程序時實現(xiàn)上述方法。
21、第四方面，本發(fā)明實施例還提供了一種計算機可讀存儲介質(zhì)，所述存儲介質(zhì)存儲有計算機程序，所述計算機程序當(dāng)被處理器執(zhí)行時可實現(xiàn)上述方法。
22、本發(fā)明實施例提供了一種基于shift?read快速尋找vt波谷的方法、裝置、設(shè)備及介質(zhì)。其中，所述方法包括：以預(yù)設(shè)的基準(zhǔn)電壓讀取nand?flash的數(shù)據(jù)，得到第一數(shù)據(jù)；以預(yù)設(shè)的多個偏移電壓對所述nand?flash的數(shù)據(jù)進行偏移讀，得到多個第二數(shù)據(jù)；分別將多個所述第二數(shù)據(jù)與所述第一數(shù)據(jù)進行異或運算，得到計算結(jié)果；基于所述計算結(jié)果確定所述nand?flash的最優(yōu)讀電壓。本發(fā)明基于有限次偏移讀即可快速確認(rèn)最優(yōu)讀電壓，相比于現(xiàn)有技術(shù)中基于重讀參數(shù)表的方式，效率更高；在確認(rèn)了最優(yōu)讀電壓后，后續(xù)采用所述最優(yōu)讀電壓讀取所述nand?flash的數(shù)據(jù)，能夠有效降低數(shù)據(jù)bit翻轉(zhuǎn)，避免unc導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失，延長block使用壽命，有利于ssd業(yè)務(wù)的穩(wěn)定運行。
1.一種基于shift?read快速尋找vt波谷的方法，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于shift?read快速尋找vt波谷的方法，其特征在于，多個所述偏移電壓中，大于所述基準(zhǔn)電壓的偏移電壓的數(shù)量與小于所述基準(zhǔn)電壓的偏移電壓的數(shù)量相同。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于shift?read快速尋找vt波谷的方法，其特征在于，所述偏移電壓的數(shù)量不超過6個。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于shift?read快速尋找vt波谷的方法，其特征在于，所述分別將多個所述第二數(shù)據(jù)與所述第一數(shù)據(jù)進行異或運算，得到計算結(jié)果，包括：
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基于shift?read快速尋找vt波谷的方法，其特征在于，所述基于所述計算結(jié)果確定所述nand?flash的最優(yōu)讀電壓，包括：
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的基于shift?read快速尋找vt波谷的方法，其特征在于，所述基于所述目標(biāo)曲線，確定所述nand?flash的最優(yōu)讀電壓，包括：
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于shift?read快速尋找vt波谷的方法，其特征在于，所述方法還包括：
8.一種基于shift?read快速尋找vt波谷的裝置，其特征在于，包括用于執(zhí)行如權(quán)利要求1-7任一項所述方法的單元。
9.一種計算機設(shè)備，其特征在于，所述計算機設(shè)備包括存儲器及處理器，所述存儲器上存儲有計算機程序，所述處理器執(zhí)行所述計算機程序時實現(xiàn)如權(quán)利要求1-7中任一項所述的方法。
10.一種計算機可讀存儲介質(zhì)，其特征在于，所述存儲介質(zhì)存儲有計算機程序，所述計算機程序當(dāng)被處理器執(zhí)行時可實現(xiàn)如權(quán)利要求1-7中任一項所述的方法。