本公開的示例實施例涉及半導(dǎo)體存儲器裝置，并且更具體地，涉及包括屏蔽線的存儲器裝置和控制其屏蔽電壓的方法。

背景技術(shù)：

1、半導(dǎo)體存儲器可主要被分類為易失性存儲器或非易失性存儲器。易失性存儲器（例如，動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（dram）或靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器（sram））的讀取速度和寫入速度快，但是存儲在易失性存儲器中的數(shù)據(jù)在電力被關(guān)斷時消失。相反，即使在電力被關(guān)斷時，非易失性存儲器也可保留數(shù)據(jù)。因此，非易失性存儲器可用于存儲無論是否供電都必須保存的內(nèi)容。

2、易失性存儲器裝置的代表性示例是dram。易失性存儲器裝置的存儲器單元可包括用作開關(guān)的單個n型晶體管和存儲電荷的單個電容器。二進(jìn)制信息“1”或“0”可對應(yīng)于存儲在存儲器單元中的電容器中的電荷的存在或不存在（例如，單元電容器的端電壓（terminalvoltage）是高還是低）。存儲器單元可連接到字線和位線。位線可連接到感測放大器。感測放大器可基于施加到字線的電壓通過位線感測存儲在存儲器單元中的數(shù)據(jù)。

3、易失性存儲器裝置可包括多個存儲器單元。多個存儲器單元可通過多條位線連接。然而，作為增大易失性存儲器裝置的容量的方式，更多的存儲器單元被包括在有限的空間中，并且每個存儲器單元的尺寸也變得更小。因為如此，位線之間的間隔也被減小，并且可能在位線之間發(fā)生耦合。當(dāng)在位線之間發(fā)生耦合時，在讀取操作期間可能發(fā)生錯誤。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本公開的示例實施例提供了存儲器裝置，所述存儲器裝置包括布置在位線之間的屏蔽線，并且根據(jù)所述存儲器裝置的操作模式在指定時序?qū)⑵帘坞妷汗?yīng)到屏蔽線。

2、根據(jù)一個或多個示例實施例，提供了一種存儲器裝置，所述存儲器裝置包括：存儲器單元陣列，包括多個存儲器單元；多條位線，連接到所述多個存儲器單元；多條屏蔽線，各自布置在所述多條位線之間；以及屏蔽線控制電路，被配置為：基于從所述存儲器裝置的外部接收的命令控制來將屏蔽電壓供應(yīng)到所述多條屏蔽線的時序。

3、根據(jù)一個或多個示例實施例，提供了一種存儲器裝置，所述存儲器裝置包括：存儲器單元陣列，包括多個存儲器單元；多條位線，連接到所述多個存儲器單元；多條屏蔽線，各自布置在所述多條位線之間；以及屏蔽線控制電路，被配置為：基于所述多條位線中的一條位線與所述多條屏蔽線中的一條屏蔽線之間的電橋是否被檢測到，來控制將屏蔽電壓供應(yīng)到所述多條屏蔽線的時序。

4、根據(jù)一個或多個示例實施例，提供了一種控制存儲器裝置的屏蔽電壓的方法，所述方法包括：檢測多條位線與多條屏蔽線之間的電橋的發(fā)生，所述多條位線連接到多個存儲器單元，所述多條屏蔽線各自設(shè)置在所述多條位線之間；響應(yīng)于檢測到電橋的發(fā)生，基于從存儲器裝置的外部接收的命令檢測操作模式；基于操作模式確定將屏蔽電壓供應(yīng)到所述多條屏蔽線的時序；以及基于確定的時序?qū)⑵帘坞妷禾峁┙o所述多條屏蔽線。

技術(shù)特征：

1.一種存儲器裝置，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器裝置，其中，屏蔽線控制電路包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的存儲器裝置，還包括：

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器裝置，其中，屏蔽電壓等于所述多條位線的預(yù)充電電壓，并且屏蔽線控制電路被配置為在讀取操作的電荷共享模式下控制屏蔽電壓被供應(yīng)到所述多條屏蔽線。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器裝置，其中，屏蔽電壓與所述多條位線的預(yù)充電電壓不同，并且屏蔽線控制電路被配置為在讀取操作的電荷共享模式和感測模式下控制屏蔽電壓被供應(yīng)到所述多條屏蔽線。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器裝置，其中，屏蔽電壓與所述多條位線的預(yù)充電電壓不同，并且屏蔽線控制電路被配置為響應(yīng)于選擇的字線被激活來控制屏蔽電壓被供應(yīng)到所述多條屏蔽線。

7.一種存儲器裝置，包括：

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的存儲器裝置，其中，屏蔽線控制電路被配置為：響應(yīng)于所述多條位線中的一條位線與所述多條屏蔽線中的一條屏蔽線之間的電橋未被檢測到，控制將屏蔽電壓連續(xù)地供應(yīng)到所述多條屏蔽線。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的存儲器裝置，其中，屏蔽線控制電路被配置為：響應(yīng)于所述多條位線中的一條位線與所述多條屏蔽線中的一條屏蔽線之間的電橋被檢測到，基于從所述存儲器裝置的外部接收的命令控制將屏蔽電壓供應(yīng)到所述多條屏蔽線的時序。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲器裝置，其中，屏蔽電壓等于所述多條位線的預(yù)充電電壓，并且屏蔽線控制電路被配置為在讀取操作的電荷共享模式下控制屏蔽電壓被供應(yīng)到所述多條屏蔽線。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲器裝置，其中，屏蔽電壓與所述多條位線的預(yù)充電電壓不同，并且屏蔽線控制電路被配置為在讀取操作的電荷共享模式和感測模式下控制屏蔽電壓被供應(yīng)到所述多條屏蔽線。

12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲器裝置，其中，屏蔽電壓與所述多條位線的預(yù)充電電壓不同，并且屏蔽線控制電路被配置為響應(yīng)于選擇的字線被激活來控制屏蔽電壓被供應(yīng)到所述多條屏蔽線。

13.根據(jù)權(quán)利要求7所述的存儲器裝置，其中，屏蔽線控制電路包括：

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的存儲器裝置，還包括：

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的存儲器裝置，其中，測試模式控制器被配置為：在測試模式下，在所述多條位線被充電到指定電壓之后激活測試信號。

16.一種控制存儲器裝置的屏蔽電壓的方法，所述方法包括：

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，還包括：

18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，屏蔽電壓等于所述多條位線的預(yù)充電電壓，并且確定將屏蔽電壓供應(yīng)到所述多條屏蔽線的時序的步驟包括：確定供應(yīng)屏蔽電壓的時序，使得屏蔽電壓在讀取操作的電荷共享模式下被供應(yīng)到所述多條屏蔽線。

19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，屏蔽電壓與所述多條位線的預(yù)充電電壓不同，并且確定將屏蔽電壓供應(yīng)到所述多條屏蔽線的時序的步驟包括：確定供應(yīng)屏蔽電壓的時序，使得屏蔽電壓在讀取操作的電荷共享模式和感測模式下被供應(yīng)到所述多條屏蔽線。

20.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，屏蔽電壓與所述多條位線的預(yù)充電電壓不同，并且確定將屏蔽電壓供應(yīng)到所述多條屏蔽線的時序的步驟包括：確定供應(yīng)屏蔽電壓的時序，使得屏蔽電壓響應(yīng)于選擇的字線被激活而被供應(yīng)到所述多條屏蔽線。

技術(shù)總結(jié)
提供了包括屏蔽線的存儲器裝置和控制其屏蔽電壓的方法。所述存儲器裝置包括：存儲器單元陣列，包括多個存儲器單元；多條位線，連接到所述多個存儲器單元；多條屏蔽線，各自布置在所述多條位線之間；以及屏蔽線控制電路，被配置為基于從所述存儲器裝置的外部接收的命令來控制將屏蔽電壓供應(yīng)到所述多條屏蔽線的時序。

技術(shù)研發(fā)人員：尹炫喆,任政燉,樸榮奭,申東學(xué)
受保護(hù)的技術(shù)使用者：三星電子株式會社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/6/30