本公開(kāi)的多種實(shí)施例涉及一種半導(dǎo)體設(shè)計(jì)技術(shù)，并且更具體地，涉及一種存儲(chǔ)器裝置及其測(cè)試方法。
背景技術(shù)：
1、當(dāng)存儲(chǔ)器裝置中的存儲(chǔ)單元中發(fā)生缺陷時(shí)，使用多種技術(shù)來(lái)修復(fù)其中發(fā)生缺陷的存儲(chǔ)單元(以下稱為“缺陷單元”)。主要地，使用冗余修復(fù)技術(shù)(其中缺陷單元被正常存儲(chǔ)單元替代)和糾錯(cuò)碼(ecc)技術(shù)(其中使用ecc功能來(lái)糾正從缺陷單元讀取的數(shù)據(jù)(即，錯(cuò)誤比特位)。此處，ecc技術(shù)可以包括在存儲(chǔ)器裝置中執(zhí)行ecc功能的片上ecc技術(shù)和在外部地控制存儲(chǔ)器裝置的控制裝置中執(zhí)行ecc功能的片外ecc技術(shù)。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本公開(kāi)的多個(gè)實(shí)施例涉及具有根據(jù)糾錯(cuò)能力水平優(yōu)化的測(cè)試方案的存儲(chǔ)器裝置，以及該存儲(chǔ)器裝置的測(cè)試方法。
2、此外，本公開(kāi)的多個(gè)實(shí)施例涉及具有根據(jù)采用片外ecc功能的存儲(chǔ)器系統(tǒng)中的糾錯(cuò)碼(ecc)功能的糾錯(cuò)能力水平優(yōu)化的測(cè)試方案的存儲(chǔ)器裝置，以及該存儲(chǔ)器裝置的測(cè)試方法。
3、根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施例，一種存儲(chǔ)器裝置可以包括：存儲(chǔ)器電路，配置為在測(cè)試模式下生成多個(gè)測(cè)試數(shù)據(jù)；多個(gè)比較器組，配置為在第一讀取操作周期期間基于多個(gè)測(cè)試數(shù)據(jù)的一部分和多個(gè)參考數(shù)據(jù)的一部分生成第一比較信號(hào)，以及在第二讀取操作周期期間基于剩余的測(cè)試數(shù)據(jù)和剩余的參考數(shù)據(jù)生成第二比較信號(hào)；錯(cuò)誤計(jì)數(shù)器，被配置為在第一讀取操作周期期間基于第一比較信號(hào)生成第一符號(hào)信息，該第一符號(hào)信息指示在多個(gè)測(cè)試數(shù)據(jù)的一部分中發(fā)生的第一錯(cuò)誤數(shù)量，以及在第二讀取操作周期期間基于第二比較信號(hào)生成第二符號(hào)信息，該第二符號(hào)信息指示在剩余的測(cè)試數(shù)據(jù)中發(fā)生的第二錯(cuò)誤數(shù)量；以及錯(cuò)誤確定器，被配置為基于第一符號(hào)信息和第二符號(hào)信息生成通過(guò)/失敗信號(hào)，該通過(guò)/失敗信號(hào)指示存儲(chǔ)器電路是否正常。
4、根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施例，一種存儲(chǔ)器裝置可以包括：存儲(chǔ)器電路，被配置為在測(cè)試模式下讀取n個(gè)測(cè)試數(shù)據(jù)組，每個(gè)測(cè)試數(shù)據(jù)組具有第一突發(fā)長(zhǎng)度；以及錯(cuò)誤檢查電路，配置為：將n個(gè)測(cè)試數(shù)據(jù)組劃分為m個(gè)目標(biāo)數(shù)據(jù)組，每個(gè)目標(biāo)數(shù)據(jù)組具有小于第一突發(fā)長(zhǎng)度的第二突發(fā)長(zhǎng)度；以及根據(jù)測(cè)試模式下在m個(gè)目標(biāo)數(shù)據(jù)組中發(fā)生的錯(cuò)誤數(shù)量生成指示存儲(chǔ)器電路是否正常的通過(guò)/失敗信號(hào)，其中n是大于1的自然數(shù)。
5、根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施例，一種存儲(chǔ)器裝置的測(cè)試方法可以包括：設(shè)置預(yù)期數(shù)據(jù)和參考數(shù)量信息；將預(yù)期數(shù)據(jù)寫(xiě)入至存儲(chǔ)器電路；從存儲(chǔ)器電路讀取多個(gè)測(cè)試數(shù)據(jù)；在第一讀取操作周期期間檢查在多個(gè)測(cè)試數(shù)據(jù)的一部分中發(fā)生的第一錯(cuò)誤數(shù)量；在第二讀取操作周期期間檢查在剩余的測(cè)試數(shù)據(jù)中發(fā)生的第二錯(cuò)誤數(shù)量；對(duì)第一錯(cuò)誤數(shù)量與第二錯(cuò)誤數(shù)量求和；以及根據(jù)參考數(shù)量信息和在多個(gè)測(cè)試數(shù)據(jù)中發(fā)生的錯(cuò)誤總數(shù)來(lái)確定存儲(chǔ)器電路是否正常。
1.一種存儲(chǔ)器裝置，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器裝置，其中，所述多個(gè)比較器組中的每一個(gè)包括：
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器裝置，
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器裝置，其中，所述錯(cuò)誤確定器包括：
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的存儲(chǔ)器裝置，其中，所述求和電路包括：
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器裝置，
7.一種存儲(chǔ)器裝置，包括：
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的存儲(chǔ)器裝置，其中，所述錯(cuò)誤檢查電路基于所述m個(gè)目標(biāo)數(shù)據(jù)組和m個(gè)參考數(shù)據(jù)組來(lái)檢查所述m個(gè)目標(biāo)數(shù)據(jù)組中發(fā)生的錯(cuò)誤數(shù)量，以及基于第一符號(hào)信息和第二符號(hào)信息生成所述通過(guò)/失敗信號(hào)，所述第一符號(hào)信息指示所述m個(gè)目標(biāo)數(shù)據(jù)組中的第一組中發(fā)生的第一錯(cuò)誤數(shù)量，而所述第二符號(hào)信息指示所述m個(gè)目標(biāo)數(shù)據(jù)組中的至少一個(gè)第二組中發(fā)生的第二錯(cuò)誤數(shù)量。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的存儲(chǔ)器裝置，其中，所述錯(cuò)誤檢查電路包括：
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲(chǔ)器裝置，其中，所述n個(gè)比較器組中的每一個(gè)包括：
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲(chǔ)器裝置，
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲(chǔ)器裝置，其中，所述錯(cuò)誤確定器包括：
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的存儲(chǔ)器裝置，其中，所述求和電路包括：
14.根據(jù)權(quán)利要求7所述的存儲(chǔ)器裝置，
15.一種存儲(chǔ)器裝置的測(cè)試方法，所述測(cè)試方法包括：
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的測(cè)試方法，其中，當(dāng)在檢查所述第一錯(cuò)誤數(shù)量、檢查所述第二錯(cuò)誤數(shù)量和對(duì)所述第一錯(cuò)誤數(shù)量與所述第二錯(cuò)誤數(shù)量求和中的至少一個(gè)步驟中溢出信號(hào)被激活時(shí)，確定所述存儲(chǔ)器電路是否正常的步驟不管所述測(cè)試數(shù)據(jù)中發(fā)生的錯(cuò)誤總數(shù)是多少而確定所述存儲(chǔ)器電路有缺陷。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的測(cè)試方法，其中，所述多個(gè)測(cè)試數(shù)據(jù)的所述一部分包括通過(guò)相同的讀取路徑被連續(xù)讀取的數(shù)據(jù)比特位的一部分，而所述剩余的測(cè)試數(shù)據(jù)包括其他數(shù)據(jù)比特位。