本技術(shù)涉及顯示，尤其涉及一種復(fù)合材料、薄膜、復(fù)合薄膜、發(fā)光器件。

背景技術(shù)：

1、量子點(diǎn)作為一種具有獨(dú)特光學(xué)和電學(xué)性質(zhì)的半導(dǎo)體納米顆粒，在眾多領(lǐng)域備受關(guān)注。尤其是在顯示器、照明等電致發(fā)光(electroluminescence，簡稱el)應(yīng)用方面，量子點(diǎn)具有高亮度、寬色域和長壽命等優(yōu)點(diǎn)。

2、然而，現(xiàn)有的量子點(diǎn)穩(wěn)定性較差，有待進(jìn)一步提高。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、有鑒于此，本技術(shù)提供一種復(fù)合材料，旨在改善現(xiàn)有的量子點(diǎn)穩(wěn)定性較差的問題。

2、本技術(shù)實(shí)施例是這樣實(shí)現(xiàn)的，一種復(fù)合材料，包括量子點(diǎn)和磁性離子液體。

3、可選的，在一些實(shí)施例中，所述復(fù)合材料中，所述磁性離子液體與所述量子點(diǎn)的質(zhì)量比為(1～5)：15；

4、和/或，所述磁性離子液體包括純有機(jī)磁性離子液體和含金屬元素的磁性離子液體中的一種或多種。

5、可選的，在一些實(shí)施例中，所述純有機(jī)磁性離子液體包括1-丁基-3-甲基咪唑四氟硼酸鹽、式(i)所示的化合物、式(ii)所示的化合物中的一種或多種；

6、

7、其中，r1和r2各自獨(dú)立選自h、取代或未取代的c1～c20的烷基中的一種或多種，所述取代的取代基選自氘、氨基、鹵素、羥基、羧基、硝基、醛基、氰基、c1～c6的烷基、c1～c6的烷氧基、c1～c6的烷氧基羰基、c1～c6的烷基酰氧基；

8、和/或，所述含金屬元素的磁性離子液體包括含過渡金屬元素的磁性離子液體和含鑭系金屬元素的磁性離子液體中的一種或多種。

9、可選的，在一些實(shí)施例中，r1和r2各自獨(dú)立選自h、c1～c10的直鏈烷基中的一種或多種；

10、和/或，所述含金屬元素的磁性離子液體的化學(xué)式為ammn；

11、其中，m和n為自然數(shù)；

12、a選自烷基取代的咪唑陽離子、烷基取代的吡咯陽離子、烷基取代的吡啶陽離子中的一種或多種；

13、m選自四鹵化鐵陰離子、三(六氟乙酰丙酮)合過渡金屬陰離子、三(六氟乙酰丙酮)合鑭系金屬陰離子中的一種或多種。

14、可選的，在一些實(shí)施例中，所述烷基取代的咪唑陽離子包括1-丁基-3-甲基咪唑陽離子、1-乙基-3-甲基咪唑陽離子、1-甲基-3-烷基咪唑陽離子中的一種或多種；

15、和/或，所述烷基取代的吡咯陽離子包括1-丁基-1-甲基吡咯陽離子；

16、和/或，所述烷基取代的吡啶陽離子包括1-丁基吡啶陽離子；

17、和/或，所述四鹵化鐵陰離子包括[fecl4]-、[febr4]-、[fecl4]-、[fef4]-、[fecl3br]-中的一種或多種；

18、和/或，所述三(六氟乙酰丙酮)合過渡金屬陰離子包括三(六氟乙酰丙酮)合鈷陰離子、三(六氟乙酰丙酮)合錳陰離子、三(六氟乙酰丙酮)合鎳陰離子中的一種或多種；

19、和/或，三(六氟乙酰丙酮)合鑭系金屬陰離子包括三(六氟乙酰丙酮)合鏑陰離子、三(六氟乙酰丙酮)合釓陰離子、三(六氟乙酰丙酮)合釹陰離子中的一種或多種。

20、可選的，在一些實(shí)施例中，所述含過渡金屬元素的磁性離子液體包括但不限于1-丁基-3-甲基咪唑四氯化鐵鹽、1-丁基-1-甲基吡咯四氯化鐵鹽、1-丁基吡啶四氯化鐵鹽、1-乙基-3-甲基咪唑四氯化鐵鹽、1-甲基-3-烷基咪唑四氯化鐵鹽、1-丁基-3-甲基咪唑溴氯化鐵鹽、1-丁基-3-甲基咪唑三(六氟乙酰丙酮)合鈷、1-丁基-3-甲基咪唑三(六氟乙酰丙酮)合錳、1-丁基-3-甲基咪唑三(六氟乙酰丙酮)合鎳中的一種或多種；

21、和/或，所述含鑭系金屬元素的磁性離子液體包括1-己基-甲基咪唑硫氰酸鏑鹽、1-甲基-3-烷基二咪唑硫氰酸鏑鹽、1-乙基-3-甲基咪唑四氯化鏑鹽、1-丁基-3-甲基咪唑三(六氟乙酰丙酮)合鏑、1-丁基-3-甲基咪唑三(六氟乙酰丙酮)合釓、1-丁基-3-甲基咪唑三(六氟乙酰丙酮)合釹中的一種或多種。

22、可選的，在一些實(shí)施例中，所述量子點(diǎn)包括單一結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)、核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)、鈣鈦礦型半導(dǎo)體材料、硅量子點(diǎn)、鍺量子點(diǎn)中的一種或多種，所述單一結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)的材料、核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)的核材料及核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)的殼層材料包括ii-vi族化合物、iv-vi族化合物、iii-v族化合物和i-iii-vi族化合物中的一種或多種，所述ii-vi族化合物包括cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete及hgznste中的一種或多種，所述iv-vi族化合物包括sns、snse、snte、pbs、pbse、pbte、snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、snpbs、snpbse、snpbte、snpbsse、snpbsete、snpbste中的一種或多種，所述iii-v族化合物包括gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas、insb、ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、innp、innas、innsb、inpas、inpsb、gaalnp、gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas及inalpsb中的一種或多種，所述i-iii-vi族化合物包括cuins2、cuinse2及agins2中的一種或多種，所述鈣鈦礦型半導(dǎo)體材料包括摻雜或非摻雜的無機(jī)鈣鈦礦型半導(dǎo)體、或有機(jī)-無機(jī)雜化鈣鈦礦型半導(dǎo)體，所述無機(jī)鈣鈦礦型半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)通式為amx3，其中a為cs+離子，m為二價(jià)金屬陽離子，包括pb2+、sn2+、cu2+、ni2+、cd2+、cr2+、mn2+、co2+、fe2+、ge2+、yb2+、eu2+中的一種或多種，x為鹵素陰離子，包括cl-、br-、i-中的一種或多種，所述有機(jī)-無機(jī)雜化鈣鈦礦型半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)通式為bmx3，其中b為有機(jī)胺陽離子，包括ch3(ch2)n-2nh3+或[nh3(ch2)nnh3]2+，其中n≥2，m為二價(jià)金屬陽離子，包括pb2+、sn2+、cu2+、ni2+、cd2+、cr2+、mn2+、co2+、fe2+、ge2+、yb2+、eu2+中的一種或多種，x為鹵素陰離子，包括cl-、br-、i-中的一種或多種；

23、和/或，所述量子點(diǎn)的平均粒徑范圍為8～15nm；

24、和/或，所述量子點(diǎn)的表面連接有配體，所述配體包括取代的或未取代的c6-c24脂肪酸、取代的或未取代的c6-c24脂肪胺、取代的或未取代的c6-c24的脂肪族硫醇、取代的或未取代的c6-c24脂肪族硫醚、取代的或未取代的c6-c24的脂肪族膦、取代的或未取代的c6-c24的脂肪族氧膦、取代的或未取代的c8～c20的脂肪族磷酸、取代的或未取代的c6-c24的脂肪族磷酸酯、取代的或未取代的c6-c24的脂肪族亞磷酸以及取代的或未取代的c6-c24的脂肪亞磷酸酯中的至少一種，

25、可選地，所述取代的或未取代的c6-c24脂肪酸包括癸酸、十一烯酸、十四酸、油酸、亞油酸、硬脂酸中的至少一種；

26、可選地，所述取代的或未取代的c6-c24的脂肪族硫醇包括辛硫醇、十二烷基硫醇、十八烷基硫醇中的至少一種；

27、可選地，所述取代的或未取代的c6-c24脂肪胺包括油胺、十八胺、辛胺、二辛胺、三辛胺中的至少一種；

28、可選地，所述取代的或未取代的c6-c24的脂肪族膦包括三辛基膦；

29、可選地，所述取代的或未取代的c6-c24的脂肪族氧膦包括三辛基氧膦。

30、相應(yīng)的，本技術(shù)實(shí)施例還提供一種薄膜，包括所述復(fù)合材料。

31、相應(yīng)的，本技術(shù)實(shí)施例還提供一種復(fù)合薄膜，包括量子點(diǎn)層和設(shè)置在量子點(diǎn)層至少一表面的離子液體層，其中，所述量子點(diǎn)層的材料包括量子點(diǎn)，所述離子液體層的材料包括所述磁性離子液體。

32、相應(yīng)的，本技術(shù)實(shí)施例還提供一種發(fā)光器件，所述發(fā)光器件包括依次疊層設(shè)置的第一電極、發(fā)光層以及第二電極，所述發(fā)光層中包括所述復(fù)合材料，或者，所述發(fā)光層為所述薄膜，或者，所述發(fā)光層為所述復(fù)合薄膜。

33、可選的，在一些實(shí)施例中，所述發(fā)光器件還包括第一載流子功能層、第二載流子功能層中的一種或幾種，所述第一載流子功能層設(shè)置在所述第一電極和所述發(fā)光層之間，所述第二載流子功能層設(shè)置在所述發(fā)光層和所述第二電極之間；所述第一載流子功能層為空穴功能層，所述第二載流子功能層為電子功能層；或者，所述第二載流子功能層為空穴功能層，所述第一載流子功能層為電子功能層；

34、可選地，所述第一電極和所述第二電極各自獨(dú)立包括金屬、碳材料以及金屬氧化物中的一種或幾種；所述金屬包括al、ag、cu、mo、au、ba、ca、yb以及mg中的一種或幾種；所述碳材料包括石墨、碳納米管、石墨烯以及碳纖維中的一種或幾種；所述金屬氧化物包括金屬氧化物電極或者摻雜或非摻雜透明金屬氧化物之間設(shè)置金屬的復(fù)合電極，所述金屬氧化物電極的材料包括ito、fto、ato、azo、gzo、izo、mzo、moo3以及amo中的一種或幾種，所述復(fù)合電極包括azo/ag/azo、azo/al/azo、ito/ag/ito、ito/al/ito、zno/ag/zno、zno/al/zno、zns/ag/zns、zns/al/zns、tio2/ag/tio2以及tio2/al/tio2中的一種或幾種；

35、可選地，所述空穴功能層的材料包括4,4'-n,n'-二咔唑基-聯(lián)苯、n,n'-二苯基-n,n'-雙(1-萘基)-1,1'-聯(lián)苯-4,4”-二胺、n,n'-二苯基-n,n'-雙(3-甲基苯基)-(1,1'-聯(lián)苯基)-4,4'-二胺、n,n'-雙(3-甲基苯基)-n,n'-雙(苯基)-螺、n,n'-二(4-(n,n'-二苯基-氨基)苯基)-n,n'-二苯基聯(lián)苯胺、4,4',4'-三(n-咔唑基)-三苯胺、4,4',4'-三(咔唑-9-基)三苯胺、三氯異氰尿酸、摻鋱的磷酸鹽基綠色發(fā)光材料、2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮雜苯并菲、4,4',4'-三(n-3-甲基苯基-n-苯基氨基)三苯胺、聚[(9,9'-二辛基芴-2,7-二基)-co-(4,4'-(n-(4-仲丁基苯基)二苯胺))]、聚(4-丁基苯基-二苯基胺)、聚[雙(4-苯基)(4-丁基苯基)胺]、聚苯胺、聚吡咯、聚(對(duì))亞苯基亞乙烯基、聚(亞苯基亞乙烯基)、聚[2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)-1,4-亞苯基亞乙烯基]、聚[2-甲氧基-5-(3',7'-二甲基辛氧基)-1,4-亞苯基亞乙烯基]、銅酞菁、芳香族叔胺、多核芳香叔胺、4,4'-雙(對(duì)咔唑基)-1,1'-聯(lián)苯化合物、n,n,n',n'-四芳基聯(lián)苯胺、pedot、pedot:pss及其衍生物、pedot:pss摻有s-moo3的衍生物、聚(n-乙烯基咔唑)及其衍生物、聚甲基丙烯酸酯及其衍生物、聚(9,9-辛基芴)及其衍生物、聚(螺芴)及其衍生物、n,n'-二(萘-1-基)-n,n'-二苯基聯(lián)苯胺、螺npb、納米多晶金剛石、微晶纖維素及四氰基醌二甲烷、摻雜石墨烯、非摻雜石墨烯、第二摻雜型金屬氧化物顆粒、第二非摻雜型金屬氧化物顆粒、金屬硫化物、金屬硒化物和金屬氮化物中的一種或幾種，所述第二摻雜型金屬氧化物顆粒中的金屬氧化物和所述第二非摻雜型金屬氧化物顆粒中的金屬氧化物各自獨(dú)立地包括moo3、wo3、nio、cro3、cuo、cu2o、v2o5中的一種或幾種，所述第二摻雜型金屬氧化物顆粒中的摻雜元素包括mo、w、ni、cr、cu、v中的一種或幾種，所述金屬硫化物包括cus、mos3、ws3中的一種或幾種，所述金屬硒化物包括mose3、wse3中的一種或幾種，所述金屬氮化物包括p型氮化鎵；

36、可選地，所述電子功能層的材料包括第一摻雜型金屬氧化物顆粒、第一非摻雜型金屬氧化物顆粒、iib-via族半導(dǎo)體材料、iiia-va族半導(dǎo)體材料及ib-iiia-via族半導(dǎo)體材料中的一種或幾種，所述第一非摻雜型金屬氧化物顆粒的材料包括zno、tio2、sno2、zro2、ta2o5中的一種或幾種，所述第一摻雜型金屬氧化物顆粒中的金屬氧化物包括zno、tio2、sno2、zro2、ta2o5、al2o3中的一種或幾種，所述第一摻雜型金屬氧化物顆粒中的摻雜元素包括al、mg、li、mn、y、la、cu、ni、zr、ce、in、ga中的一種或幾種，所述iib-via族半導(dǎo)體材料包括zns、znse、cds中的一種或幾種，所述iiia-va族半導(dǎo)體材料包括inp、gap中的一種或幾種，所述ib-iiia-via族半導(dǎo)體材料包括cuins、cugas中的一種或幾種。

37、本技術(shù)所述的復(fù)合材料包括所述量子點(diǎn)和磁性離子液體，可以使量子點(diǎn)不易發(fā)生團(tuán)聚現(xiàn)象。