本申請涉及聚酰亞胺膜，具體涉及一種復合膜及含有該復合膜的銅箔基板及其制造方法。

背景技術：

1、隨著通訊高頻高速應用疾速發(fā)展，以及對適用于高頻與高速的軟性基板(fccl)、印刷配線板(fpc)的材料需求增加，氟系高分子為目前主流大宗使用的高頻應用材料，但因為環(huán)保意識的不斷增強(如歐盟perfluorinated?and?polyfluorinated?alkylsubstances(pfas)議題)，長時間無法分解的優(yōu)良高頻應用材料也正在考慮不被在制造3c產(chǎn)品中大范圍使用，非氟系高頻材料也因此變的日益重要，市場主流非氟系材料為液晶分子材料與聚酰亞胺。

2、純液晶高分子材料的電性極佳，但與銅箔的接著力、機械與熱性質不佳，使得fccl與fpc加工制程上技術門坎較高、良率也較低、價格昂貴，也造成市場被獨占。聚酰亞胺具備優(yōu)良fccl與fpc加工制程上需要機械與熱的特性，與銅箔的接著力也很好，幾乎大部分fccl與fpc廠都具備成熟制程處理技術，但唯獨電性表現(xiàn)不夠優(yōu)異應用于大于10ghz(20～100ghz)通訊需求，當前對于高頻聚酰亞胺開發(fā)已達材料性質極限，欲改善高頻用聚酰亞胺，須使用特殊單體原料，導致開發(fā)成本提高、價格競爭力低下等問題。

3、對于軟性基板(fccl)應用介電損耗與銅箔層的接著力為最重要兩個材料應用在后段制程須考慮的因素，是材料面兩個重要的指標，未來需要發(fā)明一種材料同時具備較佳這兩種特性。

技術實現(xiàn)思路

1、為了解決本領域存在的上述不足，本申請旨在提供一種復合膜及含有該復合膜的銅箔基板制造方法。

2、所述復合膜包括有一支撐膜及一接著劑組成物，所述接著劑組成物形成于該支撐膜上，該接著劑組成物包括有聚酰亞胺及液晶聚合物填料；

3、該聚酰亞胺其系由二酐及二胺組成，該二酐至少包括有雙酚a型二醚二酐殘基(bpada)，該二胺至少包括有醚基結構的二胺；

4、該液晶聚合物填料占該接著劑組成物的重量百分比30wt％～50wt％；及

5、其中，該聚酰亞胺的玻璃轉化溫度tgb與液晶聚合物填料的熔點溫度tma的比值(tgb/tma)為<0.6，使該復合膜的介電損耗(df)小于0.005。

技術特征：

1.一種復合膜，其特征在于，所述復合膜包括：

2.根據(jù)權利要求1所述的復合膜，其特征在于，所述支撐膜為聚酰亞胺膜。

3.根據(jù)權利要求1所述的復合膜，其特征在于，所述二酐還包括有均苯四甲酸二酐殘基，

4.根據(jù)權利要求1所述的復合膜，其特征在于，所述二酐還包括有3,3’,4,4’-聯(lián)苯四羧酸二酐殘基，所述3,3’,4,4’-聯(lián)苯四羧酸二酐殘基占所述二酐的摩爾數(shù)百分比小于10％。

5.根據(jù)權利要求1所述的復合膜，其特征在于，所述二酐還包括有3,3’,4,4’-聯(lián)苯四羧酸二酐殘基及均苯四甲酸二酐殘基，

6.根據(jù)權利要求1所述的復合膜，其特征在于，所述二胺還包括有4,4’-二氨基二苯醚殘基，所述4,4’-二氨基二苯醚殘基占所述二胺的摩爾百分比小于10％。

7.根據(jù)權利要求1所述的復合膜，其特征在于，所述二胺還包括有對苯二胺殘基，所述對苯二胺占所述二胺之摩爾百分比小于10％。

8.根據(jù)權利要求1所述的復合膜，其特征在于，所述二胺還包括有4,4’-二氨基二苯醚殘基及對苯二胺殘基，所述4,4’-二氨基二苯醚殘基及對苯二胺占所述二胺的摩爾數(shù)百分比小于10％。

9.一種含有權利要求1-8任一所述復合膜的銅箔基板制造方法，其特征在于，包括：

10.一種權利要求9所述制備方法制備的銅箔基板。

技術總結
本申請公開一種復合膜及含有該復合膜的銅箔基板及其制造方法，所述復合膜包括有一支撐膜及一接著劑組成物，其形成于該支撐膜上，該接著劑組成物包括有聚酰亞胺及液晶聚合物填料，該聚酰亞胺其系由二酐及二胺組成，該二酐至少包括有雙酚A型二醚二酐殘基(BPADA)，該二胺至少包括有醚基結構的二胺，該液晶聚合物填料占該接著劑組成物之重量百分比30wt％～50wt％；及其中，該聚酰亞胺的玻璃轉化溫度TgB與液晶聚合物填料之熔點溫度TmA之比值(TgB/TmA)<0.6，使該復合膜的介電損耗(Df)小于0.005。

技術研發(fā)人員：蔡承成,徐仲彥
受保護的技術使用者：達邁科技股份有限公司
技術研發(fā)日：
技術公布日：2025/6/30