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一種雙面拋光設(shè)備的承載盤(pán)及雙面拋光設(shè)備的制作方法

文檔序號(hào):42326699發(fā)布日期:2025-07-01 19:45閱讀:8來(lái)源:國(guó)知局

本公開(kāi)涉及半導(dǎo)體晶圓生產(chǎn)領(lǐng)域,尤其涉及一種雙面拋光設(shè)備的承載盤(pán)及雙面拋光設(shè)備。


背景技術(shù):

1、晶圓的雙面拋光工藝是半導(dǎo)體制造過(guò)程中的關(guān)鍵步驟之一,其目的在于去除晶圓表面的損傷層、降低表面粗糙度以及實(shí)現(xiàn)晶圓的平面化。雙面拋光通常采用化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù),通過(guò)將晶圓承載于特制的承載盤(pán),對(duì)晶圓的兩面進(jìn)行均勻拋光。

2、為了實(shí)現(xiàn)晶圓表面的均勻拋光,晶圓在承載盤(pán)中的自由轉(zhuǎn)動(dòng)是必不可少的。這種轉(zhuǎn)動(dòng)有助于拋光液的均勻分布和拋光墊與晶圓表面的均勻接觸,從而減少拋光過(guò)程中的不均勻性,提高晶圓表面的平整度和拋光質(zhì)量。承載盤(pán)的設(shè)計(jì)允許晶圓在拋光過(guò)程中旋轉(zhuǎn),通常是通過(guò)設(shè)置大于晶圓直徑的通孔來(lái)實(shí)現(xiàn)的,使得晶圓能夠在承載盤(pán)與拋光墊之間的相對(duì)運(yùn)動(dòng)的作用下自由旋轉(zhuǎn)。

3、盡管晶圓在承載盤(pán)中的自由轉(zhuǎn)動(dòng)對(duì)于實(shí)現(xiàn)均勻拋光至關(guān)重要,但這種轉(zhuǎn)動(dòng)也會(huì)對(duì)晶圓的邊緣造成磨損。在拋光過(guò)程中,晶圓與承載盤(pán)之間的接觸和摩擦?xí)?dǎo)致晶圓邊緣的損傷,這種損傷不僅影響晶圓的外觀質(zhì)量,還可能降低晶圓的強(qiáng)度和可靠性。此外,晶圓邊緣的磨損還可能導(dǎo)致后續(xù)加工過(guò)程中的精度問(wèn)題,增加工藝調(diào)整的復(fù)雜度和成本。因此,如何在保證晶圓均勻拋光的同時(shí),減少或避免晶圓邊緣的磨損,成為了雙面拋光工藝中亟待解決的問(wèn)題。


技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本公開(kāi)提供了一種雙面拋光設(shè)備的承載盤(pán)及雙面拋光設(shè)備,能夠在確保晶圓拋光的均勻性的同時(shí)避免晶圓邊緣損傷。

2、本公開(kāi)的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的:

3、第一方面,本公開(kāi)提供了一種雙面拋光設(shè)備的承載盤(pán),所述承載盤(pán)包括:

4、本體,所述本體形成有通孔;

5、外圈,所述外圈固定地裝配在所述本體的通孔中;

6、內(nèi)圈,所述內(nèi)圈以能夠相對(duì)于所述外圈旋轉(zhuǎn)的方式裝配至所述外圈,所述內(nèi)圈用于與晶圓的外周面緊密配合,使得在雙面拋光過(guò)程中所述晶圓與所述內(nèi)圈之間不發(fā)生相對(duì)運(yùn)動(dòng)。

7、在一些可選的示例中,所述內(nèi)圈由芳綸和玻璃纖維共同構(gòu)成的復(fù)合材料制成。

8、在一些可選的示例中,所述內(nèi)圈的內(nèi)周表面形成有突起部,所述突起部用于與所述晶圓的凹口配合。

9、在一些可選的示例中,所述承載盤(pán)還包括多個(gè)滾動(dòng)體,所述多個(gè)滾動(dòng)體裝配在所述外圈與所述內(nèi)圈之間,使得當(dāng)所述內(nèi)圈相對(duì)于所述外圈旋轉(zhuǎn)時(shí),每個(gè)滾動(dòng)體在所述外圈的內(nèi)周表面以及所述內(nèi)圈的外周表面上滾動(dòng)。

10、在一些可選的示例中,所述多個(gè)滾動(dòng)體為球體。

11、在一些可選的示例中,所述外圈的內(nèi)周表面形成有用于引導(dǎo)所述滾動(dòng)體滾動(dòng)的第一周向溝槽,所述內(nèi)圈的外周表面形成有用于引導(dǎo)所述滾動(dòng)體滾動(dòng)的第二周向溝槽。

12、在一些可選的示例中,所述承載盤(pán)還包括保持架,所述保持架用于將所述多個(gè)滾動(dòng)體分隔成在所述內(nèi)圈的周向上均勻分布。

13、第二方面,本公開(kāi)提供了一種雙面拋光設(shè)備,所述雙面拋光設(shè)備包括根據(jù)第一方面所述的承載盤(pán)。

14、在一些可選的示例中,所述本體具有本體外齒,并且所述雙面拋光設(shè)備還包括:

15、內(nèi)齒圈,所述內(nèi)齒圈具有內(nèi)齒圈外齒;

16、設(shè)置在所述內(nèi)齒圈外圍的外齒圈,所述外齒圈具有外齒圈內(nèi)齒;

17、其中,所述承載盤(pán)設(shè)置在所述內(nèi)齒圈與所述外齒圈之間,使得所述本體外齒與所述內(nèi)齒圈外齒以及所述外齒圈內(nèi)齒嚙合。

18、在一些可選的示例中,所述雙面拋光設(shè)備還包括:

19、上拋光墊,所述上拋光墊設(shè)置在所述承載盤(pán)的上方,以對(duì)所述承載盤(pán)承載的晶圓的上表面進(jìn)行拋光;

20、下拋光墊,所述下拋光墊設(shè)置在所述承載盤(pán)的下方,以對(duì)所述承載盤(pán)承載的晶圓的下表面進(jìn)行拋光。

21、本公開(kāi)提供了一種雙面拋光設(shè)備的承載盤(pán)及雙面拋光設(shè)備,由于內(nèi)圈與晶圓的外周面緊密配合,有效避免了晶圓在拋光過(guò)程中與承載盤(pán)的本體發(fā)生直接接觸,從而減少了晶圓的邊緣的磨損或損傷,在晶圓的邊緣得到保護(hù)的情況下,晶圓的整體質(zhì)量得到了提高,這對(duì)于提高半導(dǎo)體產(chǎn)品的良率和可靠性具有重要意義。盡管內(nèi)圈與晶圓緊密配合,但內(nèi)圈仍能夠相對(duì)于外圈旋轉(zhuǎn),這種旋轉(zhuǎn)能力確保了晶圓在雙面拋光過(guò)程中能夠均勻地接受拋光,從而提高了拋光的均勻性和效率,旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)有助于拋光液的均勻分布和拋光墊與晶圓表面的均勻接觸,減少了拋光過(guò)程中的不均勻性,提高了晶圓表面的平整度和拋光質(zhì)量。



技術(shù)特征:

1.一種雙面拋光設(shè)備的承載盤(pán),其特征在于,所述承載盤(pán)包括:

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙面拋光設(shè)備的承載盤(pán),其特征在于,所述內(nèi)圈由芳綸和玻璃纖維共同構(gòu)成的復(fù)合材料制成。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的雙面拋光設(shè)備的承載盤(pán),其特征在于,所述內(nèi)圈的內(nèi)周表面形成有突起部,所述突起部用于與所述晶圓的凹口配合。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的雙面拋光設(shè)備的承載盤(pán),其特征在于,所述承載盤(pán)還包括多個(gè)滾動(dòng)體,所述多個(gè)滾動(dòng)體裝配在所述外圈與所述內(nèi)圈之間,使得當(dāng)所述內(nèi)圈相對(duì)于所述外圈旋轉(zhuǎn)時(shí),每個(gè)滾動(dòng)體在所述外圈的內(nèi)周表面以及所述內(nèi)圈的外周表面上滾動(dòng)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的雙面拋光設(shè)備的承載盤(pán),其特征在于,所述多個(gè)滾動(dòng)體為球體。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的雙面拋光設(shè)備的承載盤(pán),其特征在于,所述外圈的內(nèi)周表面形成有用于引導(dǎo)所述滾動(dòng)體滾動(dòng)的第一周向溝槽,所述內(nèi)圈的外周表面形成有用于引導(dǎo)所述滾動(dòng)體滾動(dòng)的第二周向溝槽。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的雙面拋光設(shè)備的承載盤(pán),其特征在于,所述承載盤(pán)還包括保持架,所述保持架用于將所述多個(gè)滾動(dòng)體分隔成在所述內(nèi)圈的周向上均勻分布。

8.一種雙面拋光設(shè)備,其特征在于,所述雙面拋光設(shè)備包括根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的承載盤(pán)。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的雙面拋光設(shè)備,其特征在于,所述本體具有本體外齒,并且所述雙面拋光設(shè)備還包括:

10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的雙面拋光設(shè)備,其特征在于,所述雙面拋光設(shè)備還包括:


技術(shù)總結(jié)
本公開(kāi)提供了一種雙面拋光設(shè)備的承載盤(pán)及雙面拋光設(shè)備,所述承載盤(pán)包括:本體,所述本體形成有通孔;外圈,所述外圈固定地裝配在所述本體的通孔中;內(nèi)圈,所述內(nèi)圈以能夠相對(duì)于所述外圈旋轉(zhuǎn)的方式裝配至所述外圈,所述內(nèi)圈用于與晶圓的外周面緊密配合,使得在雙面拋光過(guò)程中所述晶圓與所述內(nèi)圈之間不發(fā)生相對(duì)運(yùn)動(dòng)。

技術(shù)研發(fā)人員:靳凌翔
受保護(hù)的技術(shù)使用者:西安奕斯偉材料科技股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日:
技術(shù)公布日:2025/6/30
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