半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法本發(fā)明是有關(guān)于半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法,特別是有關(guān)于金屬氧化物半導(dǎo)體及其形成方法。在近幾十年間,半導(dǎo)體業(yè)界持續(xù)縮小半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的尺寸,并同時(shí)改善速率、效能、密度及集成電路的單位成本。舉例來(lái)說(shuō),為了提高半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)例如橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)或延伸漏極...