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本發(fā)明涉及紫外線發(fā)光元件及其制造方法。、以氮化鋁鎵(algan)為主要構(gòu)成的發(fā)光元件能夠發(fā)出紫外線即nm～nm左右的光。具有uvc(～nm)、uvb(nm～nm)的發(fā)光中心波長的紫外線發(fā)光元件有時用于殺菌等，因此，這些波長區(qū)域的紫外線發(fā)光元件的開發(fā)尤為活躍。uva(nm～)的紫外線發(fā)光元件...

本發(fā)明涉及動態(tài)調(diào)光領(lǐng)域，尤其涉及一種基于物聯(lián)網(wǎng)的隧道動態(tài)調(diào)光方法及系統(tǒng)。、隨著社會的發(fā)展，公路隧道的數(shù)量不斷增加，隧道照明系統(tǒng)對隧道交通安全起著至關(guān)重要的作用?，F(xiàn)有的隧道照明控制系統(tǒng)存在一些問題，無法根據(jù)實時環(huán)境變化動態(tài)調(diào)整照明，導(dǎo)致能源浪費或照明不足，無法同時滿足能耗、安全和視覺舒適度需...

本發(fā)明涉及鈣鈦礦太陽能電池，具體涉及一種高質(zhì)量鈣鈦礦薄膜的輔助制備方法及鈣鈦礦薄膜電池組件。、近年來，鈣鈦礦太陽能電池(pscs)在光電性能方面取得了顯著的進步，引起了人們的廣泛關(guān)注。在過去的十年中，鈣鈦礦太陽能電池(pscs)的功率轉(zhuǎn)換效率(pce)也得到了大幅的提升。、然而，由于鈣鈦礦...

本發(fā)明涉及顯示，尤其涉及一種顯示面板及其使用方法、形成方法、顯示裝置。、隨著對高畫質(zhì)顯示需求的增長，有源矩陣驅(qū)動技術(shù)應(yīng)運而生，薄膜晶體管（thinfilm?transistor，簡稱tft）作為現(xiàn)代顯示技術(shù)的核心，每個像素配備獨立的薄膜晶體管作為開關(guān)，可精準控制液晶分子的排列，從而顯著提升...

本發(fā)明屬于節(jié)電設(shè)備領(lǐng)域，具體地說，涉及一種具有防護結(jié)構(gòu)的節(jié)電設(shè)備。、節(jié)電設(shè)備廣泛應(yīng)用于工業(yè)、商業(yè)及家庭用電系統(tǒng)中，旨在優(yōu)化電能使用效率，減少能源浪費。然而，在實際運行過程中，設(shè)備常受到機械振動、灰塵積累及散熱不良等問題的影響，導(dǎo)致性能下降甚至故障。傳統(tǒng)解決方案通常采用獨立的減震、防塵和散熱...

本發(fā)明屬于有機光電探測器，特別涉及一種基于范德瓦爾斯接觸的疊層三重異質(zhì)結(jié)(lthj)低暗電流全聚合物有機光電探測器及其制備方法。、有機光電探測器(opd)因其柔性可彎曲性、低成本制備工藝、寬光譜響應(yīng)范圍及優(yōu)異的可調(diào)節(jié)性，在生物醫(yī)療傳感、光通信、夜視成像、人工智能傳感等領(lǐng)域展現(xiàn)出廣闊的應(yīng)用前...

本公開涉及燈光控制領(lǐng)域，更具體地，本公開涉及一種燈光的控制方法、裝置、電子設(shè)備及存儲介質(zhì)。、目前辦公場所或宿舍走廊等公共場景的聲控燈普遍存在觸發(fā)機制不靈敏或延遲不合理的問題。例如，部分聲控燈需要較大分貝的聲響才能激活，而正常行走或輕聲交談難以觸發(fā)照明，尤其在深夜或需要安靜的環(huán)境下，用戶被迫...

本申請涉及半導(dǎo)體，特別涉及一種具有正六邊形基區(qū)外形特征的晶體管版圖設(shè)計方法，將這一方法縮小或放大后同樣適用于集成電路、功率器件或光電芯片等場景，尤其適用于sot封裝，小功率器件或器件密集排布的集成電路高頻應(yīng)用場景。、晶體管版圖設(shè)計是晶體管制造中的關(guān)鍵步驟，正因為晶體管作為集成電路的基本元素...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，尤其涉及一種金剛石高溫歐姆接觸電極及其制備方法。、高溫歐姆接觸電極在半導(dǎo)體器件中起著至關(guān)重要的作用，尤其在高溫、高頻以及高功率應(yīng)用中，電極與半導(dǎo)體基底的接觸性能直接影響器件的性能與可靠性。歐姆接觸電極能夠確保電流在半導(dǎo)體與外部電路之間的穩(wěn)定傳導(dǎo)，其低接觸電阻和良好的粘附力...

本發(fā)明涉及太陽能發(fā)電，尤其涉及一種光伏組件。、隨著光伏行業(yè)的快速發(fā)展，光伏組件的效率和可靠性越來越受到重視。在光伏組件的設(shè)計中，邊框作為保護層壓件的重要組成部分，其結(jié)構(gòu)設(shè)計對組件的性能有著至關(guān)重要的影響。、現(xiàn)有技術(shù)通常采用如圖所示的光伏組件邊框，光伏組件邊框的上表面，通常較玻璃面高出～mm...

本申請涉及半導(dǎo)體，具體而言，涉及一種高擊穿電壓整流芯片及其制備方法。、第三代半導(dǎo)體材料中，氮化鎵（gan）憑借.ev的寬禁帶特性、高臨界擊穿電場（理論值達mv/cm）及優(yōu)異的電子遷移率（室溫下可達cm2/v·s），顯著優(yōu)于傳統(tǒng)硅和砷化鎵材料。其寬禁帶特性使本征載流子濃度極低，可實現(xiàn)超低泄漏...

本申請涉及太陽能電池，尤其涉及一種太陽能電池及太陽能電池的制備方法。、目前，ibc電池(interdigitatedback?contact，叉指式背接觸電池)因具備多項優(yōu)點，例如電池正面無遮光、無金屬接觸復(fù)合等而逐漸受到青睞。如何形成產(chǎn)品和技術(shù)的差異化從而進一步提高背接觸電池的電池效率，...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，尤其涉及一種半導(dǎo)體器件及制造方法、功率模塊、功率轉(zhuǎn)換電路和車輛。、碳化硅(sic)以及氮化鎵(gan)等寬禁帶半導(dǎo)體材料，因其優(yōu)異的高溫性能、化學(xué)穩(wěn)定性和電子特性而廣泛應(yīng)用于電力電子、汽車、航空航天等領(lǐng)域。、現(xiàn)有技術(shù)中金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(metal-oxide-...

本發(fā)明屬于射頻集成電路領(lǐng)域，涉及分布式放大器，具體提供一種基于多柵壓偏置的高線性度分布式放大器結(jié)構(gòu)。、g通信技術(shù)的演進推動了超高頻毫米波/太赫茲頻段（.-?thz）與超高速率數(shù)據(jù)傳輸（tbps級別）的突破性發(fā)展，基于分布式放大器（da）的超寬帶架構(gòu)憑借其跨頻段的相位一致性，為大規(guī)模mimo...

本發(fā)明涉及降落傘加速度監(jiān)測設(shè)備，具體為一種動態(tài)測試加速度監(jiān)測設(shè)備。、加速度監(jiān)測設(shè)備在降落傘中的應(yīng)用較為廣泛，涵蓋了從極限載荷測試、性能監(jiān)測到安全控制、降落傘保護以及回收系統(tǒng)等多個方面，為降落傘的設(shè)計、測試和使用提供了重要的技術(shù)支持。現(xiàn)有加速度檢測設(shè)備可分為通道加速度監(jiān)測設(shè)備、通道加速度監(jiān)測...

本發(fā)明涉及pcb電路板加工，具體是一種pcb電路板加工控制裝置及方法，旨在提供一種能夠靈活適應(yīng)不同加工工序需求，確保pcb電路板在加工過程中的穩(wěn)定性和安全性的裝置及方法。、在pcb電路板的加工過程中，不同工序?qū)A持力度和穩(wěn)定性的要求各不相同。傳統(tǒng)的夾持裝置往往只能提供單一的夾持模式，無法滿...

本發(fā)明涉及光電成像，具體涉及一種膠體量子點焦平面芯片及其制備方法。、基于膠體量子點材料的紅外焦平面芯片因其工藝難度小、成本低、可與硅基讀出電路直接耦合等優(yōu)點，已成為紅外成像芯片的重要成員之一。然而，由于膠體量子點材料容易溶于有機溶劑，且膠體量子點材料與成熟的微納工藝無法兼容，導(dǎo)致無法對膠體...

本發(fā)明涉及鎖相環(huán)頻率調(diào)制，尤其涉及一種低噪聲寬帶鎖相環(huán)的頻率調(diào)制方法。、第隨著智能控制技術(shù)的迅速發(fā)展，對高精度、低噪聲的頻率源需求日益增加。低噪聲寬帶鎖相環(huán)作為一種關(guān)鍵的頻率合成技術(shù)，在通信、雷達、導(dǎo)航等領(lǐng)域發(fā)揮著重要作用。、目前鎖相環(huán)（pll）中，一般的電荷泵、濾波器、振蕩器控制都是單端...

本發(fā)明屬于太陽電池，具體涉及一種低溫快速預(yù)處理提高太陽電池效率的裝置及方法。、topcon太陽電池的制造包括清洗制絨、擴散、氧化、退火、pe-poly、ald、pecvd、絲網(wǎng)印刷等工序，topcon太陽電池常規(guī)電極制備技術(shù)路線為絲網(wǎng)印刷燒結(jié)光注入退火激光輔助燒結(jié)，光注入退火所需光照強度在...

本發(fā)明涉及集成電路，特別是一種低功耗自適應(yīng)高電壓切換電路。、隨著集成電路技術(shù)的不斷進步，高電壓切換電路在集成電路中的應(yīng)用越來越廣泛，其重要性也日益凸顯。集成電路的性能和功能不斷提升，對高電壓切換電路的性能要求也隨之提高。高電壓切換電路不僅要滿足基本的電壓選擇功能，還需要具備更高的精度、更低...