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電子電路裝置的制造及其應(yīng)用技術(shù)
  • 主動(dòng)式散熱機(jī)構(gòu)的制作方法
    本發(fā)明涉及一種主動(dòng)式散熱機(jī)構(gòu)(active?heat?dissipation?apparatus),更詳細(xì)地,涉及一種通過(guò)比其自身的導(dǎo)熱材質(zhì)特性更有效的制冷劑的相變化來(lái)主動(dòng)地傳遞從發(fā)熱裝置(例如,電子設(shè)備)產(chǎn)生的熱量,從而能夠提高散熱性能的主動(dòng)式散熱機(jī)構(gòu)。、無(wú)線通信技術(shù)(例如,多進(jìn)多出(m...
  • 快速鎖定雙環(huán)時(shí)鐘和數(shù)據(jù)恢復(fù)電路的制作方法
    本公開整體涉及集成電路之間的串行通信,并且更具體地,涉及使用鎖相環(huán)路的高效、快速時(shí)鐘恢復(fù)電路。、電子設(shè)備技術(shù)在過(guò)去幾年中已經(jīng)出現(xiàn)爆炸式增長(zhǎng)。例如,更好的通信、硬件、更大的網(wǎng)絡(luò)和更可靠的協(xié)議推動(dòng)了蜂窩和無(wú)線通信技術(shù)的發(fā)展。無(wú)線服務(wù)提供商現(xiàn)在能夠?yàn)樗麄兊目蛻籼峁┮幌盗胁粩鄶U(kuò)展的特征和服務(wù),并且...
  • 微電子裝置及相關(guān)存儲(chǔ)器裝置和電子系統(tǒng)的制作方法
    在各種實(shí)施例中,本公開大體上涉及微電子裝置設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)域。更具體地,本公開涉及包含橫向?qū)щ娪|點(diǎn)的微電子裝置的方法,所述橫向?qū)щ娪|點(diǎn)在與豎直堆疊存儲(chǔ)器單元操作性地相關(guān)聯(lián)的階梯結(jié)構(gòu)之間延伸,并且涉及相關(guān)存儲(chǔ)器裝置和電子系統(tǒng)。、微電子裝置設(shè)計(jì)者通常希望通過(guò)減小各個(gè)特征的尺寸和相鄰特征之間的分離距...
  • 電路基板的制造裝置及電路基板的制造方法與流程
    本公開涉及電路基板的制造裝置及電路基板的制造方法。、在日本特開-號(hào)公報(bào)中公開了一種裝置,所述裝置在高真空下將至少一張片材上形成有凹凸的兩張以上的片材連續(xù)地壓接粘合,如將表面形成為凹凸?fàn)畹挠∷㈦娐坊迤呐c其罩片材粘合等。在使用該文獻(xiàn)所記載的裝置來(lái)粘合兩張片材的情況下,首先,將兩張片材配置于...
  • 一種低殘壓過(guò)電壓保護(hù)裝置的制作方法
    本發(fā)明涉及過(guò)電壓保護(hù),尤其涉及一種低殘壓過(guò)電壓保護(hù)裝置。、過(guò)電壓保護(hù)器是一種用于防護(hù)電氣設(shè)備免受瞬態(tài)過(guò)電壓損壞的安全裝置,當(dāng)線路電壓超過(guò)設(shè)定閾值時(shí),保護(hù)器內(nèi)部組件通過(guò)阻抗突變形成低阻通路,瞬間將過(guò)電壓能量泄放至接地系統(tǒng),同時(shí)將殘壓限制在設(shè)備耐受范圍內(nèi),從而阻斷異常電壓對(duì)敏感電子元器件或電力...
  • 多加速單元型超導(dǎo)腔等離子體電磁激發(fā)電路及實(shí)現(xiàn)方法與流程
    本發(fā)明屬于超導(dǎo)腔等離子體清洗的,具體涉及一種多加速單元型超導(dǎo)腔等離子體電磁激發(fā)電路及實(shí)現(xiàn)方法。、超導(dǎo)型加速器因其效率高、功耗小等優(yōu)勢(shì)目前已成為國(guó)際上在建的加速器大科學(xué)裝置的首選類型。然而超導(dǎo)型加速器長(zhǎng)期運(yùn)行數(shù)據(jù)表明,場(chǎng)致發(fā)射效應(yīng)是導(dǎo)致超導(dǎo)腔在線性能衰退的主要因素,而在線消除場(chǎng)致發(fā)射最有效的...
  • 散熱裝置及電子設(shè)備的制作方法
    本公開涉及電子設(shè)備,尤其涉及一種散熱裝置及電子設(shè)備。、電子設(shè)備中通常具有功耗較大的元器件,為保證元器件的工作性能,需對(duì)元器件進(jìn)行有效散熱。、相關(guān)技術(shù)中,多通過(guò)風(fēng)冷散熱方式對(duì)元器件進(jìn)行散熱,也有通過(guò)液冷方式對(duì)元器件進(jìn)行散熱,在液冷散熱模式的情況下,元器件通常直接和液冷模組直接接觸,液冷模組的...
  • 一種用于無(wú)線充電柔性印刷電路的制造工藝的制作方法
    本發(fā)明涉及無(wú)線充電,具體涉及一種用于無(wú)線充電柔性印刷電路的制造工藝。、隨著電子設(shè)備如智能手機(jī)、智能手表、無(wú)線耳機(jī)等的不斷小型化,對(duì)無(wú)線充電線圈的尺寸和性能提出了更高要求。、傳統(tǒng)的無(wú)線充fpc制造中,采用鉆孔后電鍍銅的方式實(shí)現(xiàn)兩面線路導(dǎo)通,但該工藝面臨顯著挑戰(zhàn):電鍍過(guò)程不僅要形成孔銅,還需增...
  • 一種貼片LED燈珠支架結(jié)構(gòu)的制作方法
    本發(fā)明屬于半導(dǎo)體元件,具體涉及到一種貼片led燈珠支架結(jié)構(gòu)。、貼片式led燈珠,屬于照明領(lǐng)域的重量組成部件,因其可使用貼片機(jī)全自動(dòng)貼裝在事先涂布焊料的電路板上,再使用回流焊接工藝完成燈珠與電路板焊盤之間的電性固定連接,便可以得到成品的led燈板,制造led燈板的效率相比直插燈珠大幅提高,在...
  • 低溫歐姆接觸結(jié)構(gòu)及其制作方法和應(yīng)用與流程
    本發(fā)明特別涉及一種低溫歐姆接觸結(jié)構(gòu)及其制作方法和應(yīng)用,屬于微納制造。、gan基高性能器件的發(fā)展方向之一就是高頻器件,能夠使器件工作在w-band和d-band(-ghz)及以上頻段的關(guān)鍵是降低在工藝引入的寄生電阻以及電容,較低的寄生電阻可以很好的提升hemt的頻率特性。降低寄生電阻主要方式...
  • 可調(diào)整貼片間距的貼片機(jī)的制作方法
    本發(fā)明涉及貼片機(jī),更具體地說(shuō),本發(fā)明涉及可調(diào)整貼片間距的貼片機(jī)。、貼片機(jī),又稱“貼裝機(jī)”和“表面貼裝系統(tǒng)”,在生產(chǎn)線中,它配置在點(diǎn)膠機(jī)或絲網(wǎng)印刷機(jī)之后,是通過(guò)移動(dòng)貼裝頭把表面貼裝元器件準(zhǔn)確地放置pcb焊盤上的一種設(shè)備,分為手動(dòng)和全自動(dòng)兩種;全自動(dòng)貼片機(jī)是用來(lái)實(shí)現(xiàn)高速、高精度地全自動(dòng)地貼放元...
  • 一種高耐壓的變?nèi)荻O管及其制備方法與流程
    本發(fā)明涉及變?nèi)荻O管,特別涉及一種高耐壓的變?nèi)荻O管及其制備方法。、變?nèi)荻O管的特點(diǎn)是電容可變,其自身結(jié)電容cj與外加電壓有關(guān),隨著外加電壓的增大而不斷減小,直至趨于穩(wěn)定。變?nèi)荻O管目前在高頻電路中應(yīng)用非常廣泛,起到調(diào)諧、調(diào)頻、調(diào)相等作用。、根據(jù)應(yīng)用場(chǎng)景不同,對(duì)電容比的要求也不盡相同。一般...
  • 一種碳化硅MOS器件的制造方法及碳化硅MOS器件與流程
    本發(fā)明涉及半導(dǎo)體芯片制造,特別涉及一種碳化硅mos器件的制造方法及碳化硅mos器件。、傳統(tǒng)的碳化硅功率mosfet制造工藝中,p區(qū)(高濃度p型摻雜區(qū))和p-區(qū)(低濃度p型摻雜區(qū))需要分別通過(guò)兩次獨(dú)立的光刻、濁刻及離子注入步驟完成的,傳統(tǒng)的制造步驟具體包括:①生長(zhǎng)氧化層和多晶硅膜層,并經(jīng)過(guò)光...
  • 顯示面板及電子設(shè)備的制作方法
    本申請(qǐng)涉及顯示,具體而言,涉及一種顯示面板及電子設(shè)備。、有機(jī)發(fā)光二極管(organic?light?emitting?diode,oled)以及基于發(fā)光二極管(light?emitting?diode,led)等技術(shù)的平面顯示裝置因具有高畫質(zhì)、省電、機(jī)身薄及應(yīng)用范圍廣等優(yōu)點(diǎn),而被廣泛的應(yīng)用...
  • TBC電池背面鈍化結(jié)構(gòu)、TBC太陽(yáng)能電池及制備方法
    本發(fā)明涉及太陽(yáng)能電池,特別涉及一種tbc電池背面鈍化結(jié)構(gòu)、tbc太陽(yáng)能電池及制備方法。、tbc電池是光伏晶硅太陽(yáng)能電池的一種,研究人員將隧穿氧化物多晶硅鈍化接觸和叉指式背接觸太陽(yáng)能電池(ibc電池)結(jié)合,形成隧穿氧化物多晶硅鈍化接觸叉指式背接觸太陽(yáng)能電池(簡(jiǎn)稱tbc電池)?,近年來(lái),由于其...
  • 一種三維堆疊場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其制造方法
    本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體,特別是涉及一種三維堆疊場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其制造方法。、互補(bǔ)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(complementary?fet)是一種創(chuàng)新的cmos工藝技術(shù),通過(guò)將n型和p型的晶體管垂直堆疊在同一結(jié)構(gòu)中,突破了傳統(tǒng)平面、finfet、gaa(環(huán)繞柵極)等平面布局的限制,在高密度、低消耗及性能優(yōu)化...
  • 一種精細(xì)線路陰陽(yáng)銅箔及加工方法與流程
    本發(fā)明屬于陰陽(yáng)銅箔加工,涉及一種精細(xì)線路陰陽(yáng)銅箔及加工方法。、陰陽(yáng)銅箔蝕刻是印制電路板(pcb)制造中的關(guān)鍵工藝,主要用于形成導(dǎo)電線路,隨著電子產(chǎn)品微型化的發(fā)展,傳輸信號(hào)的高速高頻趨勢(shì),印制板的器件布置密度越來(lái)越高,線路和線間距越來(lái)越小,阻抗控制以及板厚要求需要使用陰陽(yáng)銅箔設(shè)計(jì),目前蝕刻機(jī)...
  • 一種針柱狀氧化鋅包覆改性的YCo合金吸波材料及其制備方法
    本發(fā)明屬于功能材料領(lǐng)域,涉及一種針柱狀氧化鋅包覆改性的yco合金吸波材料及其制備方法與應(yīng)用。、隨著現(xiàn)代微波技術(shù)與射頻通信系統(tǒng)的迅猛發(fā)展,尤其是g網(wǎng)絡(luò)的全面部署,電磁波在通信、醫(yī)療、汽車電子、雷達(dá)探測(cè)等多個(gè)領(lǐng)域中發(fā)揮著日益重要的作用。然而,電磁波頻率的升高、功率的增強(qiáng)以及信號(hào)源的密集分布,也...
  • 一種高效可控硅整流器的制作方法
    本發(fā)明涉及整流器,具體為一種高效可控硅整流器。、高效可控硅整流器的技術(shù)背景源于電力電子技術(shù)對(duì)高功率、高效率電能轉(zhuǎn)換的持續(xù)需求,傳統(tǒng)整流器存在導(dǎo)通損耗大、開關(guān)速度慢及控制精度不足等問(wèn)題,而可控硅(scr)憑借其高耐壓、大電流承載能力及可控導(dǎo)通特性成為改進(jìn)關(guān)鍵,隨著半導(dǎo)體材料和微處理器控制技術(shù)...
  • 一種TOPCon太陽(yáng)能電池及其制備方法與流程
    本發(fā)明涉及太陽(yáng)能電池,具體涉及一種topcon太陽(yáng)能電池及其制備方法。、在太陽(yáng)能電池產(chǎn)業(yè)中,當(dāng)電池片的電極數(shù)量越來(lái)越多、結(jié)構(gòu)和技術(shù)越來(lái)越復(fù)雜時(shí),需要電極印刷時(shí)候的精準(zhǔn)套印。如?topcon、xbc?等新型電池結(jié)構(gòu)的出現(xiàn),對(duì)生產(chǎn)過(guò)程中的精度要求更高。激光打標(biāo)記點(diǎn)技術(shù)可以在復(fù)雜的電池片表面上準(zhǔn)...
技術(shù)分類