本公開涉及具有用于互連的焊料凸塊或球和引線兩者的封裝半導(dǎo)體裝置，且涉及相關(guān)聯(lián)制造方法。
背景技術(shù)：
1、用于封裝半導(dǎo)體裝置的廣泛使用的常規(guī)方法涉及將個(gè)別接觸襯墊從集成電路線接合到引線框架的個(gè)別引線上。盡管是有效且通用的，但技術(shù)費(fèi)時(shí)且因此為昂貴的，因?yàn)橐话憔€接合件必須逐個(gè)地產(chǎn)生。已經(jīng)開發(fā)且引入許多先進(jìn)封裝技術(shù)以解決此問題，例如，使用所謂的翻轉(zhuǎn)芯片封裝，所述封裝具有在其作用表面上具有凸塊的管芯；管芯翻轉(zhuǎn)且使用例如焊球連接到基板。其它技術(shù)包括晶片級(jí)封裝，其中由具有再分布到更廣泛間隔開的焊料凸塊的信號(hào)路徑的管芯的再鈍化組成的管芯大小封裝可接著直接安裝到印刷線路板上。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、根據(jù)本公開的第一方面，提供一種封裝半導(dǎo)體裝置，包括：半導(dǎo)體管芯，所述半導(dǎo)體管芯具有接觸襯墊陣列，所述接觸襯墊陣列在所述半導(dǎo)體管芯的第一主表面的中心區(qū)中且用于接觸焊球陣列、凸塊陣列或?qū)е嚵?；包封物，所述包封物部分地包封所述半?dǎo)體管芯且在所述半導(dǎo)體管芯的第一主表面中具有暴露所述接觸襯墊陣列的孔隙；以及多條引線，所述多條引線從所述包封物的側(cè)面延伸且延伸超出所述包封物的所述第一主表面。通過僅部分地包封半導(dǎo)體管芯，可使所述半導(dǎo)體管芯的表面的中心區(qū)暴露。通過暴露半導(dǎo)體管芯的第一主表面的中心區(qū)，可以使用凸塊接合或球柵陣列接合等以便提供到管芯的電連接，同時(shí)利用通過管芯上的其它觸點(diǎn)與多條引線之間的線接合件提供額外的連接。
2、在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，所述裝置進(jìn)一步包括焊球陣列或凸塊陣列或基于金屬的導(dǎo)柱(例如銅柱)陣列。
3、在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，所述焊球比所述引線的末端部分延伸得超出所述包封物的所述第一表面更遠(yuǎn)，所述引線具有“l(fā)”形輪廓。焊球到基板(例如，電路板)的后續(xù)連接可因此導(dǎo)致焊球到電路板的機(jī)械和電連接，其中焊球可稍微變形或“擠壓”，同時(shí)允許引線提供到電路板的另外電連接而不需要引線的顯著變形。
4、在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，所述引線具有“j”形輪廓，并且具有延伸超出所述包封物的所述第一主表面且在所述包封物的所述第一主表面下方往回朝向所述包封物的所述第一主表面彎曲的末端部分。這可輔助在引線到電路板的后續(xù)焊接期間將引線錨定到電路板。其可進(jìn)一步提供允許在使用期間的不同熱膨脹的一定程度的容差。
5、在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，所述封裝半導(dǎo)體裝置進(jìn)一步包括基板，所述基板通過所述引線且通過附接所述接觸襯墊的所述焊球連接到所述半導(dǎo)體管芯?；蹇梢允请娐钒寤?qū)訅喊?，或由本領(lǐng)域的技術(shù)人員將熟悉的其它合適材料制成。
6、所述半導(dǎo)體管芯可進(jìn)一步包括圍繞其外圍的另外多個(gè)接觸襯墊。所述另外多個(gè)接觸襯墊可圍繞外圍的四個(gè)側(cè)分布，或可局部化到少于四個(gè)側(cè)。舉例來說，其可設(shè)置于外圍的兩個(gè)相對(duì)側(cè)上。其位置和數(shù)目可取決于對(duì)ic所需的單獨(dú)電觸點(diǎn)的數(shù)目的要求或例如對(duì)進(jìn)出ic的局域化信號(hào)路徑的任何要求。
7、在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，所述引線通過線接合件連接到所述另外多個(gè)接觸襯墊。可以選擇線接合件的形式以符合特定制造技術(shù)和應(yīng)用。例如，在需要高功率的應(yīng)用中，可以選擇接合線相對(duì)較厚并且具有相對(duì)較寬的間距；在不需要高功率的其它應(yīng)用中，可以選擇更細(xì)的線，并且可以更精細(xì)的間距制得線接合件，也就是說，相對(duì)于高功率應(yīng)用，它們之間的間隔較小。
8、在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，引線可以是引線框架組合件的一部分，所述引線框架組合件進(jìn)一步包括附接到半導(dǎo)體管芯的第二主表面的管芯襯墊。
9、根據(jù)本公開的第二方面，提供一種制造封裝半導(dǎo)體管芯的方法，所述方法包括：在半導(dǎo)體管芯與引線框架組合件之間執(zhí)行管芯附接；將所述半導(dǎo)體管芯上的外圍接觸襯墊線接合到所述引線框架組合件的引線；將所述半導(dǎo)體管芯包封在包封物中，且在所述包封物的第一主表面中提供暴露所述半導(dǎo)體管芯上的接觸襯墊陣列的孔隙；以及形成延伸超出所述包封物的所述第一主表面的所述引線。
10、在形成引線的步驟之前，所述方法可進(jìn)一步包括以下步驟：在接觸襯墊陣列上提供由焊球、焊料凸塊或銅柱組成的群組中的一者。此外，在將半導(dǎo)體管芯包封在包封物中的步驟之后，所述方法可進(jìn)一步包括以下步驟：在接觸襯墊陣列上提供由焊球、焊料凸塊或銅柱組成的群組中的一者。
11、將通過下文中所描述的實(shí)施例清楚并且參考這些實(shí)施例闡明本發(fā)明的這些以及其它方面。
1.一種封裝半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝半導(dǎo)體裝置，其特征在于
6.一種制造封裝半導(dǎo)體管芯的方法，其特征在于，所述方法包括：
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，在形成所述引線的所述步驟之前，進(jìn)一步包括以下步驟：
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，在將所述半導(dǎo)體管芯包封在包封物中的所述步驟之后，進(jìn)一步包括以下步驟：
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，形成延伸超出所述包封物的所述第一主表面的所述引線的所述步驟包括：
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，形成延伸超出所述包封物的所述第一主表面的所述引線的所述步驟包括：