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本發(fā)明涉及固態(tài)硬盤(pán)，尤其涉及一種基于shift?read快速尋找vt波谷的方法、裝置、設(shè)備及介質(zhì)。、在nand閃存存儲(chǔ)，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元在完成寫(xiě)入操作后，其電荷狀態(tài)易受環(huán)境溫度波動(dòng)、工作電壓偏差及存儲(chǔ)時(shí)間推移等多重因素影響，導(dǎo)致電壓閾值(vt)發(fā)生偏移。這種物理特性變化將直接影響數(shù)據(jù)讀...

本發(fā)明涉及一種電子電路，該電子電路被適配成對(duì)形成該電子電路的一部分的浮柵存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)進(jìn)行充電或讀取。、如圖中示意性地示出，電子電路包括至少一個(gè)電可擦除(ee)類(lèi)型的存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)。該存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)可以包括至少一個(gè)浮柵mos晶體管fg以定義電容器。然而，該浮柵存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)取而代之由具有耦合電容cc的第一...

本公開(kāi)涉及一種半導(dǎo)體芯片，其調(diào)整用于輸入到半導(dǎo)體芯片外部和從半導(dǎo)體芯片外部輸出的選通信號(hào)的延遲量。、通常，對(duì)存儲(chǔ)器芯片的訪問(wèn)可以通過(guò)控制器進(jìn)行。例如，在針對(duì)存儲(chǔ)器芯片的數(shù)據(jù)讀取開(kāi)始之后，主機(jī)向控制器傳送讀取命令和地址?？刂破鲝拇鎯?chǔ)器芯片讀取數(shù)據(jù)并將讀取數(shù)據(jù)傳送給主機(jī)。在針對(duì)存儲(chǔ)器芯片的數(shù)據(jù)...

示例實(shí)施例大體上涉及半導(dǎo)體集成電路，且更特定來(lái)說(shuō)，涉及具有外圍上單元(cell?on?periphery，cop)結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)器核心電路及包括所述存儲(chǔ)器核心電路的存儲(chǔ)器設(shè)備。、由于期望高性能電子產(chǎn)品小型化和多功能，因此可以實(shí)現(xiàn)高度集成以提供高容量集成電路設(shè)備。隨著諸如動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器(dr...

本公開(kāi)涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，尤其涉及一種數(shù)據(jù)發(fā)送電路、數(shù)據(jù)接收電路及電子設(shè)備。、隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器被廣泛地應(yīng)用于電子裝置中。動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(dynamic?random?access?memory，dram)屬于一種揮發(fā)性存儲(chǔ)器，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器因?yàn)榇嫒∷俣瓤?，常用?lái)作為高...

本發(fā)明涉及存儲(chǔ)器，尤其涉及多個(gè)eflash?ip并行工作的控制方法和系統(tǒng)。、flash是一種非易失性存儲(chǔ)器，不僅電可擦除可編程，而且在斷電期間數(shù)據(jù)不會(huì)丟失，并且靜態(tài)功耗極低。flash內(nèi)部是由晶體管構(gòu)成，將信息存儲(chǔ)在一個(gè)晶體管陣列中。這些晶體管一般組成或非門(mén)(nor)和與非門(mén)(nand)，...

本公開(kāi)涉及憶阻器測(cè)試，更具體地涉及一種用于對(duì)憶阻器陣列進(jìn)行測(cè)試的電路及測(cè)試方法。、阻變存儲(chǔ)器，又稱(chēng)憶阻器。與傳統(tǒng)存儲(chǔ)器相比，阻變存儲(chǔ)器具有非易失性、存儲(chǔ)密度高等優(yōu)點(diǎn)。通過(guò)對(duì)阻變存儲(chǔ)器施加不同的電壓或電流進(jìn)行可逆調(diào)控，實(shí)現(xiàn)不同阻值之間的切換，從而可以存儲(chǔ)信息。、在實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明構(gòu)思的過(guò)程中，經(jīng)...

本公開(kāi)內(nèi)容的一些實(shí)施例涉及在失配消除操作之后檢測(cè)字線和位線中的連接缺陷的半導(dǎo)體裝置及其測(cè)試方法。、通常，半導(dǎo)體裝置從半導(dǎo)體裝置外部接收電源電壓vdd和地電壓vss，以生成用于內(nèi)部操作的內(nèi)部電壓。用于半導(dǎo)體裝置的內(nèi)部操作的電壓包括：供應(yīng)至存儲(chǔ)電路的核心區(qū)域的核心電壓vcore、用于驅(qū)動(dòng)字線或...

本公開(kāi)實(shí)施例涉及半導(dǎo)體，涉及但不限于一種地址轉(zhuǎn)換電路。、在存儲(chǔ)器的使用過(guò)程中，往往會(huì)因?yàn)榇鎯?chǔ)單元或線路的工藝偏差導(dǎo)致出現(xiàn)數(shù)據(jù)讀寫(xiě)錯(cuò)誤。這些錯(cuò)誤不可能被完全避免，但是可以通過(guò)一些檢測(cè)及糾錯(cuò)的方法來(lái)彌補(bǔ)，從而保證存儲(chǔ)器的正常使用。因此，存儲(chǔ)器中都設(shè)置有一些檢測(cè)及糾錯(cuò)相關(guān)的電路，例如ecs(er...

本公開(kāi)涉及存儲(chǔ)器技術(shù)，尤其涉及一種指令采樣電路及存儲(chǔ)器。、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(dynamic?random?access?memory，簡(jiǎn)稱(chēng)dram)是一種高速地、隨機(jī)地寫(xiě)入和讀取數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，被廣泛地應(yīng)用到數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備或裝置中。、實(shí)際應(yīng)用中，存儲(chǔ)器指令的信息可能需要通過(guò)多個(gè)周期進(jìn)行...

本公開(kāi)涉及半導(dǎo)體，尤其涉及一種存儲(chǔ)器。、芯片為了實(shí)現(xiàn)一些特定功能，需要對(duì)存儲(chǔ)器內(nèi)部的熔絲(fuse)進(jìn)行編程，存儲(chǔ)各種修調(diào)值，測(cè)試模式值和行列冗余地址，并在上電時(shí)讀取到各個(gè)模塊的本地寄存器中。、熔絲編程時(shí)通常使用激光或大電流等方式進(jìn)行燒斷，實(shí)際中往往出現(xiàn)無(wú)法燒斷或者誤燒斷的情況，導(dǎo)致熔絲內(nèi)...

本公開(kāi)涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，尤其涉及一種存儲(chǔ)器及其控制方法、電子設(shè)備。、隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器被廣泛地應(yīng)用于電子裝置中。動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(dynamic?random?access?memory，dram)屬于一種揮發(fā)性存儲(chǔ)器，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器因?yàn)榇嫒∷俣瓤?，常用?lái)作為高速緩沖存...

本技術(shù)涉及互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)，具體為一種互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)智能服務(wù)裝置。、互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)是指通過(guò)互聯(lián)網(wǎng)傳輸和存儲(chǔ)的各種類(lèi)型的信息，包括文字、圖片、音頻、視頻等多種形式的數(shù)據(jù)?；ヂ?lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)的產(chǎn)生來(lái)源于用戶在互聯(lián)網(wǎng)上的各種活動(dòng)和交互，如瀏覽網(wǎng)頁(yè)、社交媒體互動(dòng)、在線購(gòu)物、應(yīng)用程序使用等隨著互聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的不斷發(fā)展和普及，...

本揭露關(guān)于一種半導(dǎo)體裝置。、半導(dǎo)體裝置包括不同類(lèi)型的記憶體，例如隨機(jī)存取記憶體(random-accessmemory，ram)、只讀記憶體(read-only?memory，rom)和電熔絲(electrical?fuse，efuse)記憶體。efuse記憶體是一種可程序化非揮發(fā)性記憶體...

本公開(kāi)的示例實(shí)施例涉及半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置，并且更具體地，涉及包括屏蔽線的存儲(chǔ)器裝置和控制其屏蔽電壓的方法。、半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可主要被分類(lèi)為易失性存儲(chǔ)器或非易失性存儲(chǔ)器。易失性存儲(chǔ)器（例如，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（dram）或靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（sram））的讀取速度和寫(xiě)入速度快，但是存儲(chǔ)在易失性存儲(chǔ)...

本公開(kāi)的多種實(shí)施例涉及一種半導(dǎo)體設(shè)計(jì)技術(shù)，并且更具體地，涉及一種存儲(chǔ)器裝置及其測(cè)試方法。、當(dāng)存儲(chǔ)器裝置中的存儲(chǔ)單元中發(fā)生缺陷時(shí)，使用多種技術(shù)來(lái)修復(fù)其中發(fā)生缺陷的存儲(chǔ)單元(以下稱(chēng)為“缺陷單元”)。主要地，使用冗余修復(fù)技術(shù)(其中缺陷單元被正常存儲(chǔ)單元替代)和糾錯(cuò)碼(ecc)技術(shù)(其中使用ecc...

本公開(kāi)涉及但不限于一種命令信號(hào)采樣電路和存儲(chǔ)器。、在存儲(chǔ)器中，命令/地址信號(hào)(command/address)通過(guò)命令/地址傳輸線進(jìn)行傳輸，片選信號(hào)(chip?select)可用于指示命令地址信號(hào)是否有效。然而，信號(hào)在傳輸過(guò)程中可能會(huì)出現(xiàn)延遲。如果片選信號(hào)發(fā)生延遲，導(dǎo)致前一個(gè)片選信號(hào)的有效...

本申請(qǐng)涉及性能測(cè)試，尤其涉及一種固態(tài)硬盤(pán)性能波動(dòng)測(cè)試方法、裝置、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)。、隨著非易失閃存（negative-and?flash，nand?flash）技術(shù)的快速發(fā)展，固態(tài)硬盤(pán)（solid?state?drive，ssd）的性能和可靠性成為市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)的關(guān)鍵因素。、由于固態(tài)硬盤(pán)的性能會(huì)受...

本申請(qǐng)涉及存儲(chǔ)器，特別是涉及一種存儲(chǔ)芯片和半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)。、存儲(chǔ)芯片是一種用來(lái)存放程序和數(shù)據(jù)的集成電路，可以包括sram（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）、dram（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）、只讀存儲(chǔ)器、閃存等，隨著存儲(chǔ)芯片的應(yīng)用領(lǐng)域越來(lái)越多，用戶和生產(chǎn)方對(duì)存儲(chǔ)芯片的性能要求也越來(lái)越高。然而，對(duì)存儲(chǔ)芯片進(jìn)行讀...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路的存儲(chǔ)器，具體涉及rram存內(nèi)計(jì)算陣列及其操作方法。、發(fā)明背景、傳統(tǒng)的馮諾依曼架構(gòu)在人工智能時(shí)代遇到了“存儲(chǔ)墻”和“功耗墻”的問(wèn)題。在實(shí)現(xiàn)計(jì)算過(guò)程中，由于存儲(chǔ)器和處理器的物理分隔，導(dǎo)致數(shù)據(jù)需要不斷搬移，不僅浪費(fèi)時(shí)間，還帶來(lái)了額外功耗。存內(nèi)計(jì)算是指在存儲(chǔ)器中直接進(jìn)行一...