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本發(fā)明涉及感光性樹脂組合物、圖案形成方法及層疊體的制造方法。本申請基于年月日在日本提出申請的日本特愿-號主張優(yōu)先權(quán)，將其內(nèi)容援引至此。、微流控器件例如可通過以下方式而得到：利用光刻技術(shù)形成鑄模，向該鑄模中流入二甲基聚硅氧烷（pdms）而形成規(guī)定圖案，將形成有規(guī)定圖案的pdms從鑄模中剝離后...

本發(fā)明的技術(shù)涉及一種成像透鏡及攝像裝置。、以往，作為能夠用于數(shù)碼相機(jī)等攝像裝置的成像透鏡，已知有日本特開-號公報中記載的成像透鏡。技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路、要求一種f值小、小型且保持良好的光學(xué)性能的成像透鏡。這些要求水平逐年提高。、本發(fā)明的目的在于提供一種f值小、小型且保持良好的光學(xué)性能的成像透鏡及具...

本發(fā)明涉及一種液晶組合物、液晶化合物、液晶固化層、光學(xué)膜、偏振片及圖像顯示裝置。、為了消除圖像著色及擴(kuò)大視角，在各種圖像顯示裝置中使用光學(xué)補(bǔ)償片或相位差膜等光學(xué)膜。、作為光學(xué)膜，使用了拉伸雙折射膜，但近年來提出代替拉伸雙折射膜而使用具有由液晶化合物構(gòu)成的光學(xué)各向異性層的光學(xué)膜。、作為這種光...

本公開大體上涉及疊加計量且更特定來說，涉及一種在經(jīng)成像時利用目標(biāo)特征的基于偏振的隔離的疊加計量目標(biāo)設(shè)計。、用于疊加計量的許多方法利用具有針對特定測量方法設(shè)計的特征的專用疊加目標(biāo)。然而，使用專用疊加目標(biāo)的核心挑戰(zhàn)涉及在所關(guān)注裝置特征與用于測量疊加的專用疊加目標(biāo)之間的打印的變化。此可導(dǎo)致疊加目...

本發(fā)明涉及層疊體和眼鏡片。、專利文獻(xiàn)中公開了一種硬涂膜，其是在基材的至少一個面上依次層疊有硬涂層(x)、底涂層(y)和表面層(z)的硬涂膜，其中，表面層(z)具有°以上的水接觸角。、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)、專利文獻(xiàn)、專利文獻(xiàn)：日本特開-號公報技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路、本發(fā)明涉及一種層疊體，其是依次具有鏡片基材、...

本申請屬于半導(dǎo)體集成電路領(lǐng)域，尤其涉及一種生成頂點(diǎn)輔助圖形的方法和計算機(jī)程序產(chǎn)品。、在半導(dǎo)體集成電路制造時，亞分辨率輔助圖形用于修正光刻過程中光的衍射和干涉效應(yīng)引起的圖像失真，提高成像質(zhì)量和工藝窗口大小。、目前，輔助圖形分為基于主圖形邊的輔助圖形和基于主圖形頂點(diǎn)的輔助圖形。在放置基于邊的輔...

本申請涉及光轉(zhuǎn)微波，具體而言，涉及一種基于體聲波諧振器和薄膜振子的室溫光與微波轉(zhuǎn)換裝置及其制備方法。、光轉(zhuǎn)微波技術(shù)是實(shí)現(xiàn)光頻基準(zhǔn)的極高穩(wěn)定性和準(zhǔn)確性向微波頻段傳遞的核心手段，在多個前沿科技領(lǐng)域具有不可替代的作用。、當(dāng)前，高性能光轉(zhuǎn)微波的主流方案依賴于光學(xué)頻率梳系統(tǒng)，其典型架構(gòu)是將超穩(wěn)激光器...

本發(fā)明涉及一種小型光學(xué)系統(tǒng)及其工作方法。、隨著自動駕駛技術(shù)和高級駕駛輔助系統(tǒng)（adas）的迅速普及，前視車載鏡頭作為感知環(huán)境的核心光學(xué)元件，在實(shí)現(xiàn)車道保持、障礙物檢測、自適應(yīng)巡航控制（acc）等功能中發(fā)揮關(guān)鍵作用，前視鏡頭的高清成像能力直接影響adas系統(tǒng)的決策準(zhǔn)確性。前視鏡頭的使用環(huán)境復(fù)...

本發(fā)明涉及成像，更具體地說，涉及一種鏡頭組件。此外，本發(fā)明還涉及一種包括上述鏡頭組件的成像模組。、可見光攝像頭在面對眩光、動態(tài)范圍不足導(dǎo)致“致盲”現(xiàn)象、光線昏暗等場景下，存在不可避免的劣勢，而紅外攝像頭基于熱成像的原理的應(yīng)用可以彌補(bǔ)上述場景下的劣勢，得以廣泛應(yīng)用。、相關(guān)技術(shù)中，模組的鏡頭部...

本申請涉及光學(xué)加工領(lǐng)域，特別涉及多波長光學(xué)系統(tǒng)的合束裝調(diào)方法、系統(tǒng)、設(shè)備以及介質(zhì)。、早期單波長光學(xué)系統(tǒng)存在顯著局限，多套獨(dú)立單波長設(shè)備，體積大、成本高且同步性差，因此隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展及非線性光學(xué)理論的完善，誕生了可高效產(chǎn)生多波段激光的光學(xué)系統(tǒng)，并需要保障多光學(xué)系統(tǒng)中激光的合束質(zhì)量，而常規(guī)...

本發(fā)明實(shí)施例涉及光學(xué)鏡頭，尤其涉及一種定焦鏡頭。、定焦鏡頭作為安防行業(yè)主流產(chǎn)品深受市場需求的歡迎，而/.″芯片適用越加廣泛，與之搭配鏡頭的體積、視場范圍和使用環(huán)境的要求也越來越嚴(yán)格，目前市場上主流搭配的主流光學(xué)鏡頭很難兼顧小體積、大視場范圍和中心到邊緣較好的分辨率，不利于產(chǎn)品的使用推廣。技...

本發(fā)明涉及光通信制造，具體涉及一種光纖連接器與光芯片的自適應(yīng)耦合方法。、隨著人工智能、車聯(lián)網(wǎng)、自動駕駛、機(jī)器人技術(shù)的高速發(fā)展，終端傳感器的應(yīng)用大爆發(fā)，在應(yīng)用上可見光攝像頭、紅外攝像頭、雷達(dá)傳感器、激光傳感器的需求急劇提升。同時終端傳感器的應(yīng)用不僅僅局限于在顯示屏顯示圖像或者測距，而更多涉及...

本申請涉及投影，尤其涉及一種光學(xué)引擎和投影裝置。、在現(xiàn)有的投影顯示技術(shù)中，基于數(shù)字微鏡器件（即dmd器件）的光學(xué)引擎是核心方案之一。其主流架構(gòu)通常采用激光激發(fā)熒光粉以獲得高亮度、寬色域的畫面。然而，現(xiàn)有投影裝置的光學(xué)引擎的光路設(shè)計中，其激光器的激發(fā)光路（照明光路）與dmd器件處理后的投影光...

本申請涉及光纖通信相關(guān)，具體涉及高精度光纖光柵的飛秒激光動態(tài)聚焦寫入控制系統(tǒng)及方法。、光纖布拉格光柵作為重要的光纖器件，廣泛應(yīng)用于光纖通信、光纖傳感、激光器等領(lǐng)域，飛秒激光直寫制備高精度光纖光柵的有效手段。然而，飛秒激光在動態(tài)寫入過程中，由于光纖的微小幾何差異（如芯區(qū)直徑、包層厚度等）以及...

本發(fā)明涉及光通信，具體為一種基于雙注入結(jié)構(gòu)的薄膜鈮酸鋰線性電光調(diào)制器。、鈮酸鋰（，ln）作為一種典型的鐵電氧化物晶體，因具備優(yōu)異的線性電光效應(yīng)、寬透光波段（.μm-μm）、高光學(xué)損傷閾值及良好的熱穩(wěn)定性，成為光通信、光傳感等領(lǐng)域中電光調(diào)制器的核心基底材料。線性電光效應(yīng)指材料折射率隨外加電場...

本發(fā)明涉及光學(xué)成像，具體地涉及一種暗場偏光顯微成像裝置和成像方法。、偏光顯微鏡是一種利用光的偏振特性對樣品進(jìn)行觀測的重要光學(xué)儀器。其基本原理是通過起偏器將照明光轉(zhuǎn)換為線偏振光并照射樣品，若樣品具有雙折射特性，則會改變通過樣品的光線的偏振態(tài)；通過一個與起偏器偏振方向正交的檢偏器進(jìn)行檢測，即可...

本申請涉及微機(jī)電系統(tǒng)與光學(xué)成像，特別是涉及一種mems多維度位姿可調(diào)光學(xué)成像器件及系統(tǒng)。、傳統(tǒng)圖像傳感器的焦平面調(diào)制主要依賴電機(jī)或音圈馬達(dá)驅(qū)動，存在響應(yīng)速度慢、調(diào)焦精度有限等問題，難以滿足高動態(tài)場景的需求。電機(jī)存在傳動結(jié)構(gòu)體積較大，受傳動慣性限制，響應(yīng)速度慢，調(diào)焦精度低等問題；音圈馬達(dá)有線...

本公開涉及攝像模組領(lǐng)域，尤其設(shè)計一種光學(xué)系統(tǒng)以及攝像模組。、目前，用戶對于手機(jī)等拍攝裝置的拍攝質(zhì)量與變焦要求越來越高，一般鏡頭會選擇短/中/長焦鏡頭以接力式或混合式架構(gòu)來達(dá)到高倍率的變焦功能，以長焦鏡頭來說，因鏡頭總長(total?track?length，ttl)過長，傳統(tǒng)直立式架構(gòu)高度...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體工藝，尤其涉及一種極紫外光刻膠及其制備方法和應(yīng)用。、隨著技術(shù)的進(jìn)步，智能手機(jī)、高性能計算、人工智能和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域?qū)ξ㈦娮悠骷男枨蟛粩嘣黾印榱藢?shí)現(xiàn)更高的集成度和更小的尺寸，制造工藝需要向更短波長的光刻技術(shù)轉(zhuǎn)型，極紫外（euv）光刻技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生，成為突破尺寸極限的重要手段。...

本申請涉及波導(dǎo)芯片制造，具體涉及一種波導(dǎo)芯片的制造方法。、現(xiàn)有技術(shù)在lnoi（絕緣體上鈮酸鋰）的制備、soi（絕緣體上硅）的制備、si光芯片相關(guān)圖案的形成以及鍵合方面的工藝已有大量成熟方案，而在去除lnoi背面的si/sio時工藝較為復(fù)雜，去除難度較大。lnoi中關(guān)鍵的部分為ln薄膜（鈮酸...