本申請涉及鍍覆裝置以及鍍覆方法。
背景技術(shù)：
1、作為鍍覆裝置的1個例子，公知有杯式的電解鍍覆裝置。杯式的電解鍍覆裝置通過使以使被鍍覆面朝向下方的方式被基板支架保持的基板(例如半導(dǎo)體晶圓)浸漬于鍍覆液，并對基板與陽極之間施加電壓，而使導(dǎo)電膜析出至基板的表面。
2、在杯式的電解鍍覆裝置中，公知有使用遮蔽構(gòu)件來遮蔽在陽極與基板之間形成的電場。例如，在專利文獻1中，公開了一種電解鍍覆裝置，在基板的特定部位旋轉(zhuǎn)至規(guī)定的旋轉(zhuǎn)角度的范圍內(nèi)時，通過使遮蔽構(gòu)件在基板的特定部位與陽極之間移動，僅在所希望的時機遮蔽基板的特定部位。
3、專利文獻1：日本專利6901646號公報
4、然而，現(xiàn)有技術(shù)的電解鍍覆裝置在對基板的周緣部的鍍覆膜厚的混亂進行矯正來提高整個被鍍覆面的鍍覆膜厚的均勻化方面，仍有改善的余地。
5、即，基板的被鍍覆面的周緣部的鍍覆膜厚有時因設(shè)置于基板支架的接觸件的供電不均勻、種層厚度不均勻、圖案形狀等各種影響而局部發(fā)生混亂。例如，在基板的周緣部，鍍覆膜厚有時混合了標準部分、比標準部分厚的部分、以及比標準部分薄的部分。另外，基板的整個周緣部的鍍覆膜厚有時也會比標準的基板厚或薄。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、因此，本申請的1個目的在于，對基板的周緣部的鍍覆膜厚的混亂進行矯正而使整個被鍍覆面的鍍覆膜厚的均勻化提高。
2、根據(jù)一個實施方式，公開了一種鍍覆裝置，其中，包含：鍍覆槽，其構(gòu)成為收容鍍覆液；陽極，其配置于上述鍍覆槽內(nèi)；基板支架，其構(gòu)成為在使被鍍覆面朝向下方的狀態(tài)下保持基板；升降機構(gòu)，其構(gòu)成為使上述基板支架升降；旋轉(zhuǎn)機構(gòu)，其構(gòu)成為使上述基板支架旋轉(zhuǎn)；遮蔽構(gòu)件，其能夠遮蔽在上述陽極與上述基板之間形成的電場；以及遮蔽機構(gòu)，其構(gòu)成為將上述遮蔽構(gòu)件配置為在上述陽極與上述基板之間的基準位置、電場遮蔽面積比上述基準位置大的遮蔽位置、以及從上述陽極與上述基板之間退避的退避位置之間切換。
1.一種鍍覆裝置，其特征在于，包含：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍍覆裝置，其特征在于，
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍍覆裝置，其特征在于，
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的鍍覆裝置，其特征在于，
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鍍覆裝置，其特征在于，
6.一種鍍覆方法，其特征在于，包括：
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的鍍覆方法，其特征在于，
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的鍍覆方法，其特征在于，
9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的鍍覆方法，其特征在于，
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的鍍覆方法，其特征在于，
11.一種鍍覆裝置，其特征在于，包含：
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的鍍覆裝置，其特征在于，
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的鍍覆裝置，其特征在于，
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的鍍覆裝置，其特征在于，
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的鍍覆裝置，其特征在于，
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的鍍覆裝置，其特征在于，
17.一種鍍覆裝置，其特征在于，包含：
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的鍍覆裝置，其特征在于，
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的鍍覆裝置，其特征在于，
20.根據(jù)權(quán)利要求17～19中任一項所述的鍍覆裝置，其特征在于，