技術(shù)編號：42132150
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及納米材料的合成與制備，尤其涉及一種制備二氧化錫粉末的方法。背景技術(shù)、二氧化錫（sno）是一種寬帶隙n型半導(dǎo)體，禁帶寬度為.?ev，化學(xué)穩(wěn)定行好，難溶于酸或堿溶液。由于其獨特的電子結(jié)構(gòu)特征，且具備較高的可見光透過率，廣泛應(yīng)用與光學(xué)電子器件、儲能器件以及傳感器器件等領(lǐng)域。在光學(xué)電子器件領(lǐng)域，ito導(dǎo)電薄膜是一種重要的光學(xué)器件，其由氧化銦和二氧化錫混合組成。由于薄膜中摻雜的均勻性十分依賴于ito靶材的均勻度和質(zhì)量，因此制備出超細(xì)高均勻的二氧化錫粉末對合成高質(zhì)量ito靶材具有重要意義。...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。