本發(fā)明涉及顯示，尤其涉及一種顯示面板及其使用方法、形成方法、顯示裝置。
背景技術(shù)：
1、隨著對(duì)高畫(huà)質(zhì)顯示需求的增長(zhǎng)，有源矩陣驅(qū)動(dòng)技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生，薄膜晶體管（thinfilm?transistor，簡(jiǎn)稱tft）作為現(xiàn)代顯示技術(shù)的核心，每個(gè)像素配備獨(dú)立的薄膜晶體管作為開(kāi)關(guān)，可精準(zhǔn)控制液晶分子的排列，從而顯著提升顯示質(zhì)量。
2、早期薄膜晶體管采用非晶硅（a-si）作為半導(dǎo)體材料，但其載流子遷移率低，導(dǎo)致晶體管體積大、透光率不足，限制了屏幕分辨率的提升。
3、氧化物薄膜晶體管（如igzo）的研發(fā)解決了這一問(wèn)題，其載流子遷移率更高，允許晶體管體積縮小，同時(shí)保持高性能，從而推動(dòng)面板實(shí)現(xiàn)高分辨率顯示，支持更精細(xì)的像素控制和更低的功耗。
4、然而，現(xiàn)有包含氧化物薄膜晶體管的顯示面板，畫(huà)質(zhì)難以滿足要求。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本發(fā)明解決的技術(shù)問(wèn)題是：改善顯示面板的畫(huà)質(zhì)。
2、為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明實(shí)施例提供一種顯示面板，所述顯示面板包括：基板，所述基板包括顯示區(qū)；其中，所述顯示區(qū)中氧化物薄膜晶體管為高遷移率氧化物薄膜晶體管；所述顯示區(qū)中高遷移率氧化物薄膜晶體管包括：第一頂柵以及第一底柵；所述第一頂柵及所述第一底柵之間電絕緣。
3、本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示面板的形成方法，所述方法包括：向所述顯示區(qū)中高遷移率氧化物薄膜晶體管的第一頂柵提供第一電壓信號(hào)，所述第一電壓信號(hào)的電壓小于所述第一晶體管的開(kāi)啟電壓；向所述顯示區(qū)中高遷移率氧化物薄膜晶體管的第一底柵提供第一柵極信號(hào)。
4、本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示面板的形成方法，所述方法包括：提供基板，所述基板包括顯示區(qū)和非顯示區(qū)；在所述顯示區(qū)和非顯示區(qū)的同層內(nèi)形成高遷移率氧化物薄膜晶體管。
5、本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，所述顯示裝置包括上述實(shí)施例中任一種的顯示面板。
6、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的技術(shù)方案具有以下有益效果：
7、采用本發(fā)明實(shí)施例的顯示面板，由于顯示區(qū)氧化物薄膜晶體管為高遷移率氧化物薄膜晶體管，且顯示區(qū)中高遷移率氧化物薄膜晶體管的第一頂柵及第一底柵之間電絕緣，在實(shí)際使用過(guò)程中，可以向第一頂柵及第一底柵分別施加不同的電信號(hào)，進(jìn)而可以向顯示區(qū)中高遷移率氧化物薄膜晶體管的溝道層上下兩表面施加不同的電壓，也就使得在顯示區(qū)中高遷移率氧化物薄膜晶體管的溝道層分成上下兩個(gè)獨(dú)立的區(qū)域，并可以分別進(jìn)行控制，從而可以在顯示區(qū)中高遷移率氧化物薄膜晶體管的溝道層的上部區(qū)域內(nèi)不形成溝道，而僅在顯示區(qū)中高遷移率氧化物薄膜晶體管的溝道層的下部區(qū)域內(nèi)形成溝道，溝道層的上部區(qū)域可以作為溝道層的下部區(qū)域的遮擋層，使得溝道層的下部區(qū)域中載流子可以屏蔽光照的影響，改善顯示區(qū)中高遷移率氧化物薄膜晶體管的nbtis可靠性，使得高遷移率氧化物薄膜晶體管可以應(yīng)用于顯示區(qū)中。相對(duì)于在顯示區(qū)中使用傳統(tǒng)氧化物薄膜晶體管，在顯示區(qū)中使用高遷移率氧化物薄膜晶體管，可以增大流過(guò)晶體管的電流，進(jìn)而可以縮短達(dá)到設(shè)定電壓所需的時(shí)間，從而可以增大像素電路的刷新頻率，改善顯示面板的畫(huà)質(zhì)，使得畫(huà)質(zhì)更流暢。
8、進(jìn)一步，通過(guò)向顯示區(qū)中高遷移率氧化物薄膜晶體管的第一頂部柵極適于接入第一電壓信號(hào)，第一底柵適于接入第一柵極信號(hào)，進(jìn)而在沿垂直于基板表面方向上，向顯示區(qū)中高遷移率氧化物薄膜晶體管的溝道層上下兩表面施加的電壓也就不同，這樣，顯示區(qū)中高遷移率氧化物薄膜晶體管的溝道層的上部區(qū)域內(nèi)不形成溝道，而僅在顯示區(qū)中高遷移率氧化物薄膜晶體管的溝道層的下部區(qū)域內(nèi)形成溝道，從而溝道層的上部區(qū)域可以作為溝道層的下部區(qū)域的遮擋層，使得溝道層的下部區(qū)域中載流子可以屏蔽光照的影響，由此可以改善顯示區(qū)中高遷移率氧化物薄膜晶體管的nbtis可靠性，使得高遷移率氧化物薄膜晶體管可以應(yīng)用于顯示區(qū)中。
9、進(jìn)一步，由于顯示區(qū)和非顯示區(qū)中高遷移率氧化物薄膜晶體管同層設(shè)置，由此可以在制造顯示區(qū)和非顯示區(qū)的氧化物薄膜晶體管的過(guò)程中，同步對(duì)顯示區(qū)和非顯示區(qū)執(zhí)行光刻操作，無(wú)需分別單獨(dú)對(duì)顯示區(qū)的氧化物薄膜晶體管執(zhí)行光刻操作，并且無(wú)需形成隔離顯示區(qū)和非顯示區(qū)中氧化物薄膜晶體管溝道層的絕緣層，由此不僅可以縮短工藝周期，而可以節(jié)省光罩?jǐn)?shù)量，降低顯示面板的制造成本。另外，由于顯示區(qū)和非顯示區(qū)中氧化物薄膜晶體管均為高遷移率氧化物薄膜晶體管，對(duì)器件特性進(jìn)行調(diào)整時(shí)考慮因子減少，由此可以縮短調(diào)試周期并降低調(diào)試成本，也就可以進(jìn)一步縮短工藝周期，降低顯示面板的制造成本。
1.一種顯示面板，其特征在于，包括：
2.如權(quán)利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述第一頂部柵極用于接入第一電壓信號(hào)，所述第一電壓信號(hào)的電壓小于所在晶體管的開(kāi)啟電壓，所述第一底柵適于接入第一柵極信號(hào)。
3.如權(quán)利要求2所述的顯示面板，其特征在于，所述基板還包括：非顯示區(qū)；非顯示區(qū)中氧化物薄膜晶體管為高遷移率氧化物薄膜晶體管。
4.如權(quán)利要求3所述的顯示面板，其特征在于，所述顯示區(qū)和非顯示區(qū)中氧化物薄膜晶體管同層設(shè)置。
5.如權(quán)利要求3所述的顯示面板，其特征在于，所述顯示區(qū)中高遷移率氧化物薄膜晶體管還包括：第一溝道層，所述第一底柵和所述第一頂柵位于所述第一溝道層沿垂直于所述基板表面方向上的兩側(cè)；
6.如權(quán)利要求5所述的顯示面板，其特征在于，所述第二頂柵和所述第二底柵之間電連接。
7.如權(quán)利要求5所述的顯示面板，其特征在于，所述第一溝道層和所述第二溝道層的材料均包括高遷移率氧化物材料，所述高遷移率氧化物材料的遷移率大于20cm2/v·s。
8.如權(quán)利要求7所述的顯示面板，其特征在于，所述高遷移率氧化物材料包括：摻雜有微量元素的銦鎵鋅氧化物，所述微量元素包括銦、砷和鍺中的一種或多種。
9.如權(quán)利要求7所述的顯示面板，其特征在于，所述第一溝道層和所述第二溝道層的材料及厚度均相同。
10.如權(quán)利要求5所述的顯示面板，其特征在于，所述第二溝道層的寬度大于所述第一溝道層的寬度。
11.如權(quán)利要求5所述的顯示面板，其特征在于，所述第一頂柵和所述第二頂柵的材料相同。
12.如權(quán)利要求5所述的顯示面板，其特征在于，所述第一底柵和所述第二底柵的材料相同。
13.如權(quán)利要求2所述的顯示面板，其特征在于，所述第一電壓信號(hào)的電壓為固定電壓。
14.如權(quán)利要求13所述的顯示面板，其特征在于，所述固定電壓信號(hào)的電壓為負(fù)值。
15.如權(quán)利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述顯示區(qū)包括像素電路，所述像素電路包括至少一個(gè)晶體管為所述高遷移率氧化物薄膜晶體管。
16.一種權(quán)利要求1至15中任一項(xiàng)所述顯示面板的使用方法，其特征在于，
17.如權(quán)利要求16所述的使用方法，其特征在于，所述顯示面板還包括：非顯示區(qū)；所述非顯示區(qū)中高遷移率氧化物薄膜晶體管包括：第二底柵、第二溝道層和第二頂柵，所述第二底柵和所述第二頂柵位于所述第二溝道層沿垂直于所述基板表面方向上的兩側(cè)；
18.一種權(quán)利要求3至15任一項(xiàng)所述顯示面板的形成方法，其特征在于，包括：
19.如權(quán)利要求18所述的顯示面板的形成方法，其特征在于，所述顯示區(qū)中高遷移率氧化物薄膜晶體管包括：第一晶體管；所述非顯示區(qū)中高遷移率氧化物薄膜晶體管包括：第二晶體管；
20.一種顯示裝置，其特征在于，包括：