本發(fā)明屬于存儲(chǔ)器，具體地說(shuō)是一種移位寄存器。
背景技術(shù)：
1、現(xiàn)有的移位寄存器技術(shù)主要基于電荷存儲(chǔ)原理，例如靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(sram)、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(dram)以及閃存等。這些技術(shù)在過(guò)去幾十年中得到了廣泛的應(yīng)用和發(fā)展，但隨著信息技術(shù)的快速發(fā)展，對(duì)存儲(chǔ)器的性能要求越來(lái)越高。
2、然而，現(xiàn)有技術(shù)在使用時(shí)存在易失性、高功耗、存儲(chǔ)密度限制和耐用性差等問(wèn)題，導(dǎo)致移位寄存器技術(shù)的發(fā)展受到一定限制。
3、為此，本領(lǐng)域技術(shù)人員提出了一種移位寄存器來(lái)解決背景技術(shù)提出的問(wèn)題。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供一種移位寄存器，以解決現(xiàn)有技術(shù)中存在易失性、高功耗、存儲(chǔ)密度限制和耐用性差等問(wèn)題，導(dǎo)致移位寄存器技術(shù)的發(fā)展受到一定限制等問(wèn)題。
2、一種移位寄存器，包括：
3、一條或多條磁化的納米線，用于存儲(chǔ)數(shù)字信息，其中納米線的左拐角處存在或不存在磁疇壁以分別映射為邏輯狀態(tài)“1”或“0”；
4、外部操控裝置，用于產(chǎn)生周期變化的磁場(chǎng)，通過(guò)操控該磁場(chǎng)實(shí)現(xiàn)數(shù)字信息在納米線上的移位；
5、其中，所述磁疇壁為360度磁疇壁，確保移位寄存器具有高穩(wěn)定性和低能耗。
6、優(yōu)選的，所述外部操控裝置通過(guò)外加反向磁場(chǎng)，實(shí)現(xiàn)數(shù)字信息在納米線上的湮滅。
7、優(yōu)選的，所述移位寄存器具有非易失性，能夠在斷電后保持?jǐn)?shù)據(jù)的完整性。
8、該移位寄存器的工作原理，通過(guò)外部周期磁場(chǎng)的操控，可以實(shí)現(xiàn)“0”和“1”的寫(xiě)入，并且按照寫(xiě)入順序，數(shù)字信息依次往后移一位；這個(gè)過(guò)程非常快速，且斷電后這些信息并不會(huì)消失，可以長(zhǎng)期儲(chǔ)存在磁化的納米線中；360度的磁疇壁意味著不同磁疇磁化方向旋轉(zhuǎn)360度，這說(shuō)明我們的移位寄存器具有相當(dāng)高的穩(wěn)定性，相較于電流驅(qū)動(dòng)，我們的發(fā)明能耗更低。通過(guò)外加反向磁場(chǎng)，這些信息可以依次被寄存器湮滅。
9、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有如下有益效果：
10、本發(fā)明通過(guò)采用磁化的納米線作為存儲(chǔ)介質(zhì)，并利用外部操控裝置產(chǎn)生周期變化的磁場(chǎng)來(lái)實(shí)現(xiàn)數(shù)字信息的移位，有效解決了現(xiàn)有技術(shù)中的易失性、高功耗、存儲(chǔ)密度限制和耐用性差等問(wèn)題；本發(fā)明的移位寄存器具有高穩(wěn)定性、低能耗和非易失性，能夠在斷電后保持?jǐn)?shù)據(jù)的完整性，同時(shí)提高了存儲(chǔ)密度和耐用性，為移位寄存器技術(shù)的發(fā)展提供了新的方向。
1.一種移位寄存器，其特征在于，包括：
2.如權(quán)利要求1所述一種移位寄存器，其特征在于：所述外部操控裝置通過(guò)外加反向磁場(chǎng)，實(shí)現(xiàn)數(shù)字信息在納米線上的湮滅。
3.如權(quán)利要求1所述一種移位寄存器，其特征在于：所述移位寄存器具有非易失性，能夠在斷電后保持?jǐn)?shù)據(jù)的完整性。