本技術(shù)涉及真空封裝領(lǐng)域，特別是涉及一種真空封裝結(jié)構(gòu)體及其封裝方法。

背景技術(shù)：

1、真空封裝在半導(dǎo)體器件制造中一個(gè)重要的環(huán)節(jié)，為封裝結(jié)構(gòu)體中的mems（microelectro?mechanical?systems，微機(jī)電系統(tǒng)）結(jié)構(gòu)提供真空環(huán)境。

2、在封裝過(guò)程中，基板與封裝蓋帽之間形成有犧牲層，在封裝蓋帽上開(kāi)設(shè)小孔，并通過(guò)小孔將犧牲層釋放掉，然后再將小孔密封。封裝蓋帽上小孔的尺寸關(guān)系到犧牲層的釋放效率、犧牲層的釋放殘留的問(wèn)題。當(dāng)小孔的尺寸比較小，會(huì)導(dǎo)致?tīng)奚鼘拥尼尫判屎艿停⑶乙状嬖陔y以去除的釋放殘留，當(dāng)小孔的尺寸比較大時(shí)，雖然可以提升犧牲層的釋放效率，但是在制作密封層時(shí)，沉積的鍍膜顆粒會(huì)更容易影響密封良率，導(dǎo)致漏氣的問(wèn)題。

3、因此，如何解決上述技術(shù)問(wèn)題應(yīng)是本領(lǐng)域技術(shù)人員重點(diǎn)關(guān)注的。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本技術(shù)的目的是提供一種真空封裝結(jié)構(gòu)體及其封裝方法，以提升犧牲層的釋放效率、減少釋放殘留，并提升密封良率。

2、為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本技術(shù)提供一種真空封裝結(jié)構(gòu)體，包括：

3、基板、第一封裝帽層、第二封裝帽層、mems結(jié)構(gòu)和密封層，所述第一封裝帽層設(shè)有第一開(kāi)孔，所述第二封裝帽層設(shè)有第二開(kāi)孔；所述第二開(kāi)孔的尺寸小于所述第一開(kāi)孔的尺寸；

4、所述第一封裝帽層與所述基板連接，并與所述基板形成第一腔體；所述mems結(jié)構(gòu)位于所述第一腔體中；

5、所述第二封裝帽層與所述第一封裝帽層背離所述第一腔體的表面連接，并與所述第一封裝帽層形成第二腔體；所述第二腔體和所述第一腔體通過(guò)所述第一開(kāi)孔連通；

6、所述密封層位于所述第二封裝帽層的表面，并對(duì)所述第二開(kāi)孔密封。

7、可選地，所述第一開(kāi)孔的數(shù)量至少為一個(gè)，與每個(gè)所述第一開(kāi)孔連通的所述第二開(kāi)孔在所述基板上的投影與該所述第一開(kāi)孔在所述基板上的投影相互錯(cuò)開(kāi)。

8、可選地，與每個(gè)所述第一開(kāi)孔連通的所述第二開(kāi)孔的數(shù)量至少為兩個(gè)，所述第二開(kāi)孔在所述基板上的投影圍繞在所述第一開(kāi)孔在所述基板上的投影的周圍。

9、可選地，還包括：

10、支撐結(jié)構(gòu)，位于所述第一腔體內(nèi)，并在所述第一封裝帽層和所述基板之間，用于支撐所述第一封裝帽層。

11、可選地，所述支撐結(jié)構(gòu)包括支撐柱和支撐臺(tái)面，所述支撐柱位于所述基板的表面，所述支撐臺(tái)面位于所述支撐柱遠(yuǎn)離所述基板的表面；

12、所述第一封裝帽層對(duì)應(yīng)所述支撐臺(tái)面的區(qū)域向所述第一腔體內(nèi)凹陷，所述第一封裝帽層的凹陷區(qū)域與所述支撐臺(tái)面接觸；

13、所述第一封裝帽層的凹陷區(qū)域至少對(duì)應(yīng)除了位于真空封裝結(jié)構(gòu)體兩側(cè)的所述支撐結(jié)構(gòu)的所述支撐臺(tái)面。

14、可選地，所述第一開(kāi)孔在所述基板上的投影位于任意相鄰兩個(gè)所述支撐結(jié)構(gòu)在所述基板上的投影之間。

15、可選地，還包括：

16、吸氣劑層，位于所述第一腔體內(nèi)并在所述基板的表面。

17、可選地，所述第一封裝帽層和所述第二封裝帽層的材料相同。

18、可選地，所述第二封裝帽層的數(shù)量與所述第一開(kāi)孔的數(shù)量相等，一個(gè)所述第一開(kāi)孔在所述基板上的投影位于一個(gè)所述第二封裝帽層在所述基板上的投影的范圍內(nèi)。

19、本技術(shù)還提供一種真空封裝結(jié)構(gòu)體的封裝方法，包括：

20、在基板的表面形成第一犧牲層；

21、在所述第一犧牲層的表面制作mems結(jié)構(gòu)；

22、在分布有所述mems結(jié)構(gòu)的所述第一犧牲層的表面形成第二犧牲層；

23、刻蝕位于所述基板邊緣區(qū)域的所述第一犧牲層和所述第二犧牲層，并制作第一封裝帽層；所述第一封裝帽層將所述第一犧牲層和所述第二犧牲層包裹并與所述基板連接；

24、刻蝕所述第一封裝帽層，形成第一開(kāi)孔；

25、通過(guò)所述第一開(kāi)孔釋放所述第一犧牲層和第二犧牲層，形成第一腔體；

26、在所述第一封裝帽層背離所述第一腔體的表面制作第三犧牲層；

27、在所述第三犧牲層的表面制作第二封裝帽層；所述第二封裝帽層將所述第三犧牲層包裹并與所述第一封裝帽層連接；

28、刻蝕所述第二封裝帽層，形成第二開(kāi)孔；所述第二開(kāi)孔的尺寸小于所述第一開(kāi)孔；

29、通過(guò)所述第二開(kāi)孔釋放所述第三犧牲層，形成第二腔體；所述第二腔體和所述第一腔體通過(guò)所述第一開(kāi)孔連通；

30、在所述第二封裝帽層的表面制作密封層，所述密封層將所述第二開(kāi)孔密封。

31、可選地，在基板的表面形成第一犧牲層之后，還包括：

32、刻蝕所述第一犧牲層，形成第一通孔；

33、在所述第一通孔處制作支撐結(jié)構(gòu)，所述支撐結(jié)構(gòu)位于所述基板的表面，用于支撐所述第一封裝帽層；

34、在分布有所述mems結(jié)構(gòu)的所述第一犧牲層的表面形成第二犧牲層之后，還包括：

35、刻蝕所述第二犧牲層，形成第二通孔，以露出所述支撐結(jié)構(gòu)。

36、可選地，在基板的表面形成第一犧牲層之前，還包括：

37、在所述基板的表面制作吸氣劑層。

38、可選地，在所述第一封裝帽層背離所述第一腔體的表面制作第三犧牲層之后，還包括：

39、刻蝕所述第三犧牲層，形成圖形化的至少兩個(gè)第三犧牲層；一個(gè)所述第一開(kāi)孔在所述基板上的投影位于一個(gè)所述第三犧牲層在所述基板上的投影的范圍內(nèi)；

40、在所述第三犧牲層的表面制作第二封裝帽層包括：

41、在圖形化的所述第三犧牲層的表面同時(shí)制作第二封裝帽層；一個(gè)所述第一開(kāi)孔在所述基板上的投影位于一個(gè)所述第二封裝帽層在所述基板上的投影的范圍內(nèi)。

42、本技術(shù)所提供的一種真空封裝結(jié)構(gòu)體，包括：基板、第一封裝帽層、第二封裝帽層、mems結(jié)構(gòu)和密封層，所述第一封裝帽層設(shè)有第一開(kāi)孔，所述第二封裝帽層設(shè)有第二開(kāi)孔；所述第二開(kāi)孔的尺寸小于所述第一開(kāi)孔的尺寸；所述第一封裝帽層與所述基板連接，并與所述基板形成第一腔體；所述mems結(jié)構(gòu)位于所述第一腔體中；所述第二封裝帽層與所述第一封裝帽層背離所述第一腔體的表面連接，并與所述第一封裝帽層形成第二腔體；所述第二腔體和所述第一腔體通過(guò)所述第一開(kāi)孔連通；所述密封層位于所述第二封裝帽層的表面，并對(duì)所述第二開(kāi)孔密封。

43、可見(jiàn)，本技術(shù)中的真空封裝結(jié)構(gòu)體中，第一封裝帽層與基板形成容納mems結(jié)構(gòu)的第一腔體，第一封裝帽層上設(shè)有第一開(kāi)孔，第一開(kāi)孔的尺寸比較大，可以提升第一腔體所在空間內(nèi)的犧牲層的釋放效率和釋放效果，減少第一腔體內(nèi)犧牲層的釋放殘留，進(jìn)而減少釋放殘留對(duì)真空封裝結(jié)構(gòu)體真空度以及mems結(jié)構(gòu)熱導(dǎo)與熱容均一性的不利影響，提高真空封裝結(jié)構(gòu)體性能。在第一封裝帽層上設(shè)置有第二封裝帽層，第二封裝帽層上設(shè)置有第二開(kāi)孔，密封層通過(guò)對(duì)第二開(kāi)孔密封實(shí)現(xiàn)對(duì)真空封裝結(jié)構(gòu)體的密封，由于第二開(kāi)孔的尺寸較小，所以可以減少制作密封層時(shí)密封材料顆粒缺陷對(duì)密封良率的影響，進(jìn)而提升真空封裝結(jié)構(gòu)體的密封良率，減少漏氣的問(wèn)題。所以，本技術(shù)中的真空封裝結(jié)構(gòu)體不僅可以提升犧牲層的釋放效率和改善釋放效果，而且還可以提升密封良率，改善漏氣的問(wèn)題。

44、此外，本技術(shù)還提供一種具有上述優(yōu)點(diǎn)的封裝方法。