本發(fā)明涉及tpu材料成型,尤其涉及一種tpu殼體制品冷卻方法及相關(guān)裝置。
背景技術(shù):
1、tpu殼體制品是以熱塑性聚氨酯彈性體(thermoplastic?polyurethane)為基材的外殼類產(chǎn)品,廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備保護(hù)殼及高端消費(fèi)電子產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)組件等。tpu作為一種線性嵌段共聚物,由軟段(聚醚或聚酯二醇)和硬段(二異氰酸酯與鏈增長(zhǎng)劑反應(yīng)形成)交替排列構(gòu)成,這種獨(dú)特的分子結(jié)構(gòu)賦予了tpu優(yōu)異的彈性、耐磨性、耐油性以及良好的低溫柔韌性,使其成為高性能殼體材料的理想選擇。
2、現(xiàn)有tpu殼體制品的制備過(guò)程主要采用注塑成型工藝,包括tpu原料干燥、熔融注射、保壓成型和冷卻脫模等關(guān)鍵步驟。其中冷卻環(huán)節(jié)是保證產(chǎn)品尺寸穩(wěn)定性和內(nèi)部結(jié)構(gòu)形成的決定性階段,同時(shí)也是影響生產(chǎn)效率的關(guān)鍵因素。工業(yè)化生產(chǎn)中,為了滿足30秒甚至15秒內(nèi)的模內(nèi)循環(huán)時(shí)間要求,通常采用溫度較低的模具水路循環(huán)系統(tǒng)快速冷卻tpu熔體,使其從成型溫度(約190-220℃)迅速降至能夠穩(wěn)定脫模的溫度。然而,tpu的分子結(jié)構(gòu)特性使其軟段含有大量極性酯/醚鍵,在玻璃化轉(zhuǎn)變溫度區(qū)域附近表現(xiàn)出強(qiáng)烈的吸濕性和較高的粘彈特性。在快速冷卻過(guò)程中,當(dāng)tpu熔體經(jīng)歷快速溫度下降時(shí),尚未完成重排與結(jié)晶的tpu芯層會(huì)迅速吸附并封存周圍環(huán)境中的殘余水分,形成直徑約10-100納米的“凍結(jié)水囊”。這些納米級(jí)水囊在常規(guī)質(zhì)檢中幾乎不可被察覺(jué),但在產(chǎn)品的后續(xù)高溫高濕環(huán)境存儲(chǔ)或使用過(guò)程中,卻會(huì)成為局部水解反應(yīng)的活化中心,促使tpu分子鏈中的軟-硬段界面鍵能下降,并逐漸向材料界面或?qū)訅簩訑U(kuò)散,最終導(dǎo)致產(chǎn)品出現(xiàn)分層剝離或界面粘結(jié)強(qiáng)度急劇下降的嚴(yán)重質(zhì)量問(wèn)題。
3、值得說(shuō)明的是,簡(jiǎn)單地提高模壁溫度(如保持在25℃以上)并不能從根本上解決“凍結(jié)水囊”問(wèn)題。一方面,這種做法會(huì)顯著降低tpu的外層玻璃化速度,導(dǎo)致保壓時(shí)間大幅延長(zhǎng),嚴(yán)重影響生產(chǎn)效率和經(jīng)濟(jì)性;另一方面,即使模壁溫度保持較高,tpu殼體中的厚壁區(qū)域或加強(qiáng)筋部位的芯層仍會(huì)維持在50-80℃的高溫?cái)?shù)秒,在溫度梯度驅(qū)動(dòng)下,模腔殘濕依然可能向芯層遷移并被隨后的相對(duì)降溫鎖定。此外,過(guò)高的模壁溫度還會(huì)導(dǎo)致熔體黏度降低,引發(fā)溢邊、熔接線弱化和取向?qū)铀沙诘刃碌耐庥^與機(jī)械性能問(wèn)題。因此,tpu殼體制品的冷卻過(guò)程面臨“保證快速定形”與“抑制水汽封存”之間的根本矛盾,亟需一種既不犧牲生產(chǎn)節(jié)拍,又能有效控制水分遷移與封存行為的創(chuàng)新冷卻方法。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本發(fā)明的主要目的在于解決現(xiàn)有的tpu殼體制品冷卻工藝存在凍結(jié)水囊導(dǎo)致產(chǎn)品長(zhǎng)期性能下降的技術(shù)問(wèn)題。
2、本發(fā)明第一方面提供了一種tpu殼體制品冷卻方法,所述tpu殼體制品冷卻方法包括:
3、對(duì)閉合模腔空間施以露點(diǎn)不高于-60℃的惰性氣體雙向流動(dòng)置換,同時(shí)維持腔壁溫度85℃±2℃,使壁面吸附水分迅速氣化并隨氣流排出,得到殘余含濕量不高于20ppm的預(yù)置模腔環(huán)境;
4、根據(jù)預(yù)置模腔環(huán)境對(duì)200℃±5℃的tpu熔體實(shí)施高剪切速率注射填充處理,利用惰性氣體動(dòng)壓層降低熔體前沿剪切阻力并維持腔壁溫度,得到表層鏈段取向且芯-表層溫差不高于12℃的初成形殼體;
5、根據(jù)初成形殼體對(duì)叔胺-硼烷類活性氣體實(shí)施注入絡(luò)合處理,使活性氣體與水分子形成配位絡(luò)合物并放熱,同時(shí)在tpu分子鏈界面形成疏水層,得到水分被絡(luò)合且芯層冷卻速率受控的絡(luò)合殼體;
6、根據(jù)絡(luò)合殼體對(duì)模腔實(shí)施快速抽取與慢速抽取相結(jié)合的脈沖真空分離處理,并施加微振動(dòng)引導(dǎo)深層配位絡(luò)合物遷移,得到配位絡(luò)合物被分離且殼體含水量大幅降低的半固化殼體;
7、根據(jù)半固化殼體對(duì)外層與內(nèi)層實(shí)施分區(qū)逆梯度冷卻處理,形成由外向內(nèi)的溫度梯度場(chǎng),繼而引入干燥惰性氣體并通入異氰酸酯三聚體蒸氣進(jìn)行分子鏈封端處理,得到內(nèi)應(yīng)力可控且界面穩(wěn)定的固化tpu殼體制品。
8、優(yōu)選的,所述對(duì)閉合模腔空間施以露點(diǎn)不高于-60℃的惰性氣體雙向流動(dòng)置換,同時(shí)維持腔壁溫度85℃±2℃,使壁面吸附水分迅速氣化并隨氣流排出,得到殘余含濕量不高于20ppm的預(yù)置模腔環(huán)境,包括:
9、對(duì)模腔壁面實(shí)施溫度控制處理,得到溫度維持在85℃±2℃的模腔壁面;
10、根據(jù)溫度維持在85℃±2℃的模腔壁面對(duì)露點(diǎn)不高于-60℃的惰性氣體實(shí)施正向流動(dòng)處理,使氣體沿澆口至排氣口方向形成層流,得到吸附水分氣化的正向置換氣流;
11、根據(jù)正向置換氣流對(duì)惰性氣體實(shí)施反向流動(dòng)處理,使氣體沿排氣口至澆口方向流動(dòng),得到殘余水汽被帶出的反向置換氣流;
12、根據(jù)反向置換氣流對(duì)惰性氣體實(shí)施0.1s周期的脈沖處理,使氣體流速在50m·s-1至0m·s-1間交替變化,得到模腔壁面水分完全脫除的置換氣流;
13、根據(jù)置換氣流對(duì)排出氣體實(shí)施露點(diǎn)檢測(cè)處理,當(dāng)檢測(cè)得到的露點(diǎn)連續(xù)三次低于-60℃時(shí)停止置換,得到殘余含濕量不高于20ppm的預(yù)置模腔環(huán)境。
14、優(yōu)選的,所述根據(jù)預(yù)置模腔環(huán)境對(duì)200℃±5℃的tpu熔體實(shí)施高剪切速率注射填充處理,利用惰性氣體動(dòng)壓層降低熔體前沿剪切阻力并維持腔壁溫度,得到表層鏈段取向且芯-表層溫差不高于12℃的初成形殼體,包括:
15、對(duì)預(yù)置模腔環(huán)境中惰性氣體實(shí)施25m·s-1-35m·s-1速率的定向流動(dòng)處理,使惰性氣體沿澆口方向形成協(xié)流氣層,得到厚度為30μm且包覆腔壁的初始動(dòng)壓層;
16、根據(jù)初始動(dòng)壓層對(duì)tpu熔體實(shí)施0.10s的剪切加速注射處理,使熔體局部剪切速率由5×104s-1遞增至1×105s-1,得到表層鏈段取向且前沿剪切阻力較無(wú)動(dòng)壓層工況降低20%-40%的加速熔體流;
17、根據(jù)加速熔體流對(duì)初始動(dòng)壓層實(shí)施20ms的壓縮處理,使動(dòng)壓層厚度由30μm壓縮至15μm并產(chǎn)生瞬時(shí)背壓,得到前沿壓差波動(dòng)不高于8%且氣層溫度升至80℃的壓縮動(dòng)壓層;
18、根據(jù)壓縮動(dòng)壓層對(duì)模腔壁面實(shí)施熱傳導(dǎo)處理,使動(dòng)壓層攜帶的顯熱在0.02s內(nèi)傳遞至壁面,得到溫度維持在85℃±2℃的模腔壁面;
19、根據(jù)溫度維持在85℃±2℃的模腔壁面對(duì)保壓階段tpu熔體實(shí)施0.06s-0.10s的熱平衡處理,使熔體芯層熱量通過(guò)動(dòng)壓層徑向擴(kuò)散并逸散,得到芯-表層溫差不高于12℃的初成形殼體。
20、優(yōu)選的,所述根據(jù)初成形殼體對(duì)叔胺-硼烷類活性氣體實(shí)施注入絡(luò)合處理,使活性氣體與水分子形成配位絡(luò)合物并放熱,同時(shí)在tpu分子鏈界面形成疏水層,得到水分被絡(luò)合且芯層冷卻速率受控的絡(luò)合殼體,包括:
21、對(duì)初成形殼體實(shí)施8kpa-12kpa壓力微擾處理,使tpu自由體積發(fā)生瞬時(shí)弛豫并生成尺寸5-20nm的擴(kuò)散微孔,得到具備短程擴(kuò)散隧道的高彈殼體;
22、根據(jù)高彈殼體對(duì)叔胺-硼烷類活性氣體實(shí)施第一脈沖注入處理,使活性氣體以0.2%體積分?jǐn)?shù)霧化進(jìn)入擴(kuò)散微孔并與水分子初步絡(luò)合,得到放熱速率閾值被標(biāo)定的引種殼體;
23、根據(jù)引種殼體對(duì)活性氣體實(shí)施第二脈沖注入處理,使活性氣體體積分?jǐn)?shù)根據(jù)放熱速率閾值自適應(yīng)調(diào)整至2%,并在50ms內(nèi)充分?jǐn)U散至芯層,得到水分被完整絡(luò)合且配位放熱40kj·mol-1±2kj·mol-1的放熱殼體;
24、根據(jù)放熱殼體對(duì)芯層溫度實(shí)施自適應(yīng)緩冷處理,使放熱-緩冷平臺(tái)與tpu晶化半衰期重合0.40s-0.45s,得到芯-表層冷卻速率差不高于5℃·s-1的緩冷殼體;
25、根據(jù)緩冷殼體對(duì)配位絡(luò)合物殘余硼-氟骨架實(shí)施極化取向處理,使b-f片段沿tpu酯基偶極向列排列并形成1nm-2nm疏水層,得到界面親水能降低60mn·m-1以上的疏水殼體;
26、根據(jù)疏水殼體對(duì)未絡(luò)合活性片段實(shí)施自縮合-解配位平衡處理,使殘留活性片段在70℃-80℃內(nèi)縮合為寡聚體并嵌入基體,得到揮發(fā)性降低且芯層冷卻速率受控的絡(luò)合殼體。
27、優(yōu)選的,所述根據(jù)絡(luò)合殼體對(duì)模腔實(shí)施快速抽取與慢速抽取相結(jié)合的脈沖真空分離處理,并施加微振動(dòng)引導(dǎo)深層配位絡(luò)合物遷移,得到配位絡(luò)合物被分離且殼體含水量大幅降低的半固化殼體,包括:
28、對(duì)絡(luò)合殼體實(shí)施線性降壓至–0.02mpa~–0.03mpa的預(yù)減壓處理,得到壓差均勻分布的預(yù)減壓殼體;
29、根據(jù)預(yù)減壓殼體對(duì)模腔執(zhí)行30ms脈沖快速抽取處理,使腔壓瞬降至–0.06mpa,得到配位絡(luò)合物沿徑向遷移并富集表層的快速抽取殼體;
30、對(duì)快速抽取殼體施加80hz、4μm振幅的微振動(dòng)處理,得到配位絡(luò)合物在儲(chǔ)能模量諧振作用下持續(xù)向表層遷移的振動(dòng)遷移殼體;
31、對(duì)振動(dòng)遷移殼體執(zhí)行60ms脈沖慢速抽取處理,使腔壓緩升至–0.04mpa并維持負(fù)壓,得到殼體含水量不高于8ppm的慢抽殼體;
32、根據(jù)慢抽殼體對(duì)模腔施加+5kpa正壓脈沖并同步進(jìn)行–50℃冷凝槽阱吸附處理,得到配位絡(luò)合物被冷凝鎖定且壓差恢復(fù)平衡的半固化殼體。
33、優(yōu)選的,所述根據(jù)半固化殼體對(duì)外層與內(nèi)層實(shí)施分區(qū)逆梯度冷卻處理,形成由外向內(nèi)的溫度梯度場(chǎng),繼而引入干燥惰性氣體并通入異氰酸酯三聚體蒸氣進(jìn)行分子鏈封端處理,得到內(nèi)應(yīng)力可控且界面穩(wěn)定的固化tpu殼體制品,包括:
34、對(duì)模腔外層隨形水路循環(huán)6℃冷卻介質(zhì)進(jìn)行換熱處理,使與半固化殼體外層接觸的模壁溫度在0.25s內(nèi)降至25℃,得到外層溫度鎖定且表層玻璃化的外層速冷殼體;
35、根據(jù)外層速冷殼體對(duì)模腔內(nèi)層隨形水路循環(huán)18℃冷卻介質(zhì)進(jìn)行緩降處理,使芯層溫度以25℃·s-1–30℃·s-1速率遞減至45℃,得到外層與內(nèi)層之間溫差維持20℃–25℃的逆梯度殼體;
36、根據(jù)逆梯度殼體向模腔引入露點(diǎn)不高于–30℃的干燥惰性氣體并保持0.15mpa正壓流動(dòng),使芯層余熱與殘留水汽被攜帶出模腔,得到殘余羥基均勻暴露的干燥殼體;
37、根據(jù)干燥殼體通入異氰酸酯三聚體蒸氣并保持45℃–55℃溫度區(qū)間進(jìn)行0.2s滲透處理,使三聚體分子與殘余羥基發(fā)生端基封端反應(yīng)并在軟段-硬段界面原位形成1nm–2nm漸變交聯(lián)帶,得到界面黏附能增強(qiáng)的封端殼體;
38、在三聚體滲封處理完成后0.2s內(nèi),對(duì)模腔施以+10kpa至0kpa線性釋壓處理,使外層與內(nèi)層收縮同步并將殘余內(nèi)應(yīng)力降低至3mpa以下,得到內(nèi)應(yīng)力可控且界面穩(wěn)定的固化tpu殼體制品。
39、本發(fā)明第二方面提供了一種tpu殼體制品冷卻裝置,所述tpu殼體制品冷卻裝置包括:
40、預(yù)置模腔環(huán)境模塊,用于對(duì)閉合模腔空間施以露點(diǎn)不高于-60℃的惰性氣體雙向流動(dòng)置換,同時(shí)維持腔壁溫度85℃±2℃,使壁面吸附水分迅速氣化并隨氣流排出,得到殘余含濕量不高于20ppm的預(yù)置模腔環(huán)境;
41、高剪切注射模塊,用于根據(jù)預(yù)置模腔環(huán)境對(duì)200℃±5℃的tpu熔體實(shí)施高剪切速率注射填充處理,利用惰性氣體動(dòng)壓層降低熔體前沿剪切阻力并維持腔壁溫度,得到表層鏈段取向且芯-表層溫差不高于12℃的初成形殼體;
42、活性氣體絡(luò)合模塊,用于根據(jù)初成形殼體對(duì)叔胺-硼烷類活性氣體實(shí)施注入絡(luò)合處理,使活性氣體與水分子形成配位絡(luò)合物并放熱,同時(shí)在tpu分子鏈界面形成疏水層,得到水分被絡(luò)合且芯層冷卻速率受控的絡(luò)合殼體;
43、脈沖真空分離模塊,用于根據(jù)絡(luò)合殼體對(duì)模腔實(shí)施快速抽取與慢速抽取相結(jié)合的脈沖真空分離處理,并施加微振動(dòng)引導(dǎo)深層配位絡(luò)合物遷移,得到配位絡(luò)合物被分離且殼體含水量不高于8ppm的半固化殼體;
44、逆梯度冷卻封端模塊,用于根據(jù)半固化殼體對(duì)外層與內(nèi)層實(shí)施分區(qū)逆梯度冷卻處理,形成由外向內(nèi)的溫度梯度場(chǎng),繼而引入干燥惰性氣體并通入異氰酸酯三聚體蒸氣進(jìn)行分子鏈封端處理,得到內(nèi)應(yīng)力可控且界面穩(wěn)定的固化tpu殼體制品。
45、本發(fā)明第三方面提供了一種tpu殼體制品冷卻設(shè)備,包括:存儲(chǔ)器和至少一個(gè)處理器,所述存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)有指令,所述存儲(chǔ)器和所述至少一個(gè)處理器通過(guò)線路互連;所述至少一個(gè)處理器調(diào)用所述存儲(chǔ)器中的所述指令,以使得所述tpu殼體制品冷卻設(shè)備執(zhí)行上述的tpu殼體制品冷卻方法的步驟。
46、本發(fā)明的第四方面提供了一種計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì),所述計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)中存儲(chǔ)有指令,當(dāng)其在計(jì)算機(jī)上運(yùn)行時(shí),使得計(jì)算機(jī)執(zhí)行上述的tpu殼體制品冷卻方法的步驟。
47、本技術(shù)實(shí)施例提供的技術(shù)方案,在制備過(guò)程開(kāi)始時(shí),對(duì)閉合模腔施以露點(diǎn)不高于-60℃的惰性氣體雙向流動(dòng)置換,同時(shí)將腔壁溫度維持在85℃±2℃。這一設(shè)計(jì)利用熱力學(xué)原理實(shí)現(xiàn)模腔干燥:高溫腔壁提供足夠的熱能使吸附水分快速氣化,而惰性氣體(主要為氬氣)因其低極化率特性,能夠?qū)饣肿佑行щx模腔表面。雙向流動(dòng)置換確保模腔各處水分均被有效脫除,連續(xù)三次低于-60℃的露點(diǎn)檢測(cè)則確保了殘余含濕量不超過(guò)20ppm。這一步從源頭上消除了模腔中的初始水分,為后續(xù)工藝奠定了“零水汽競(jìng)爭(zhēng)”的基礎(chǔ)環(huán)境。
48、隨后,對(duì)200℃±5℃的tpu熔體實(shí)施高剪切速率注射填充處理,同時(shí)利用惰性氣體形成動(dòng)壓層。此步驟不僅保持了高效的填充速度,還通過(guò)30μm厚的氣體動(dòng)壓層實(shí)現(xiàn)了對(duì)熔體前沿剪切阻力的降低,避免了傳統(tǒng)工藝中高速注射導(dǎo)致的熔體鏈斷裂問(wèn)題。更關(guān)鍵的是,動(dòng)壓層通過(guò)熱傳導(dǎo)機(jī)制將填充過(guò)程中產(chǎn)生的摩擦熱均勻分布,使芯-表層溫差控制在12℃以內(nèi)。溫差控制是防止水囊形成的關(guān)鍵因素,因?yàn)檩^大的溫差會(huì)導(dǎo)致tpu芯層在冷卻過(guò)程中提前進(jìn)入玻璃化狀態(tài),鎖住遷移中的水分子。小溫差確保了tpu軟段自由體積保持開(kāi)放狀態(tài),讓后續(xù)化學(xué)處理能夠深入材料內(nèi)部。
49、第三步引入了叔胺-硼烷類活性氣體進(jìn)行注入絡(luò)合處理,通過(guò)8kpa-12kpa的壓力微擾處理,使tpu分子鏈間形成5-20nm的擴(kuò)散微孔網(wǎng)絡(luò),創(chuàng)造出活性氣體滲透通道。兩階段的脈沖注入策略(先以0.2%體積分?jǐn)?shù)標(biāo)定放熱速率,再以2%體積分?jǐn)?shù)進(jìn)行主體絡(luò)合)確保了水分子被高效捕獲。絡(luò)合過(guò)程釋放40kj·mol-1±2kj·mol-1的熱量,這一熱量與tpu結(jié)晶潛熱相當(dāng),形成了0.40s-0.45s的“等溫平臺(tái)”,恰好與tpu晶化半衰期匹配。這一精確的熱力匹配使芯層溫度不會(huì)驟降至70℃以下的水囊成核溫區(qū),避開(kāi)了傳統(tǒng)工藝中因快速冷卻而形成的水囊成核窗口。同時(shí),絡(luò)合反應(yīng)在tpu分子鏈界面留下了1nm-2nm厚的疏水層,顯著降低了界面親水能(減少60mn·m-1以上),為長(zhǎng)期抵抗水解反應(yīng)提供了分子屏障。
50、第四步通過(guò)脈沖真空分離進(jìn)一步清除已絡(luò)合的水分。該步驟采用了“快抽+微振+慢抽”的精密組合:先線性降壓至–0.02mpa~–0.03mpa建立均勻壓差分布,再通過(guò)30ms的–0.06mpa脈沖快速抽取表層絡(luò)合物;同時(shí)施加80hz、4μm振幅的微振動(dòng),精確匹配tpu黏彈松弛時(shí)間常數(shù),促使深層絡(luò)合物向表面“泵動(dòng)”遷移;最后60ms的慢速抽取使腔壓緩升至–0.04mpa,在不破壞殼體結(jié)構(gòu)的前提下持續(xù)抽離水分。這一精心設(shè)計(jì)的抽取序列使殼體含水量降至8ppm以下,同時(shí)–50℃冷凝槽阱回收絡(luò)合物實(shí)現(xiàn)了工藝的閉環(huán)環(huán)保。
51、最后一步的逆梯度冷卻封端處理確保了產(chǎn)品的快速定形與長(zhǎng)期穩(wěn)定。通過(guò)外層水路循環(huán)6℃冷卻介質(zhì)快速將模壁溫度在0.25s內(nèi)降至約25℃,實(shí)現(xiàn)表層玻璃化;內(nèi)層水路則采用18℃冷卻介質(zhì)使芯層以25℃·s-1–30℃·s-1的速率緩降至45℃。這種“外冷內(nèi)緩”的逆梯度冷卻設(shè)計(jì)形成了20℃–25℃的溫差驅(qū)動(dòng)力,促使任何殘余水分向外遷移而非向內(nèi)封存。隨后引入的露點(diǎn)不高于–30℃的干燥惰性氣體帶走了最后的殘余水汽,而異氰酸酯三聚體蒸氣則在45℃–55℃溫度區(qū)間與殘余羥基反應(yīng),形成1nm–2nm的漸變交聯(lián)帶,既化學(xué)消耗了最后的水分,又增強(qiáng)了界面結(jié)合強(qiáng)度。最終通過(guò)+10kpa至0kpa的線性釋壓處理,使外層與內(nèi)層收縮同步,將殘余內(nèi)應(yīng)力控制在3mpa以下。
52、這套工藝方法能夠在不犧牲生產(chǎn)效率的前提下解決水囊問(wèn)題,關(guān)鍵在于對(duì)水分子行為與tpu冷卻動(dòng)力學(xué)的全程控制。傳統(tǒng)方法簡(jiǎn)單采用低溫快冷或高溫慢冷均難以兼顧效率與品質(zhì),而本方法通過(guò)“高溫預(yù)脫附→動(dòng)壓層溫控→化學(xué)絡(luò)合緩冷→脈沖真空分離→逆梯度定向冷卻”的串聯(lián)機(jī)制,使得每個(gè)工藝窗口中都不存在水分子被封存的條件,而全程溫度與壓力控制又確保了模內(nèi)總循環(huán)時(shí)間不超過(guò)18秒,完全滿足工業(yè)化生產(chǎn)需求。特別是方法中的化學(xué)絡(luò)合與機(jī)械振動(dòng)相結(jié)合的水分子遷移控制,創(chuàng)造性地解決了“快速定形”與“抑制水汽封存”這一傳統(tǒng)認(rèn)為不可調(diào)和的技術(shù)矛盾。