本發(fā)明屬于太陽(yáng)電池，具體涉及一種低溫快速預(yù)處理提高太陽(yáng)電池效率的裝置及方法。
背景技術(shù)：
1、topcon太陽(yáng)電池的制造包括清洗制絨、擴(kuò)散、氧化、退火、pe-poly、ald、pecvd、絲網(wǎng)印刷等工序，topcon太陽(yáng)電池常規(guī)電極制備技術(shù)路線為絲網(wǎng)印刷+燒結(jié)+光注入退火+激光輔助燒結(jié)，光注入退火所需光照強(qiáng)度在10~60kwh/m2，溫度在600°c以上，導(dǎo)致設(shè)備及電力成本高；
2、topcon太陽(yáng)電池具有量產(chǎn)效率高（理論極限效率為28.7%，高于hjt的理論極限效率27.5%）、優(yōu)異的鈍化效果、制程可與現(xiàn)有產(chǎn)線兼容、工藝成熟等優(yōu)點(diǎn)，但是topcon太陽(yáng)電池及組件對(duì)紫外線誘導(dǎo)衰減（uvid）敏感。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、為解決上述背景技術(shù)中提出的問(wèn)題，本發(fā)明提供一種低溫快速預(yù)處理提高太陽(yáng)電池效率的裝置及方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)中退火工藝電力成本高，以及topcon太陽(yáng)電池及組件對(duì)紫外線誘導(dǎo)衰減（uvid）敏感的問(wèn)題。
2、為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：
3、一種低溫快速預(yù)處理提高太陽(yáng)電池效率的裝置，包括：
4、裝置外殼；裝置外殼為不透光材質(zhì)的盒體結(jié)構(gòu)，裝置外殼兩個(gè)相對(duì)的側(cè)面上各設(shè)有一個(gè)傳送通孔；
5、傳送帶；傳送帶依次穿過(guò)兩個(gè)傳送通孔貫穿裝置外殼設(shè)置，topcon太陽(yáng)電池放置在傳送帶上，傳送帶用于帶動(dòng)topcon太陽(yáng)電池穿過(guò)裝置外殼；
6、紫外發(fā)光裝置；紫外發(fā)光裝置設(shè)置在裝置外殼的內(nèi)頂面，紫外發(fā)光裝置的發(fā)光端指向傳送帶設(shè)置，紫外發(fā)光裝置的光輻照強(qiáng)度為100-300w/m2。
7、優(yōu)選的，紫外發(fā)光裝置為至少一個(gè)紫外燈。
8、優(yōu)選的，紫外燈發(fā)出的紫外線包括uva、uvb兩種類(lèi)型，其中，uvb占3-9%，波長(zhǎng)為280-400nm。
9、一種低溫快速預(yù)處理提高太陽(yáng)電池效率的方法，包括以下步驟：
10、s1：制備topcon太陽(yáng)電池；
11、s2：將topcon太陽(yáng)電池放置在傳送帶上，傳送帶帶動(dòng)topcon太陽(yáng)電池移動(dòng)至裝置外殼內(nèi)；
12、s3：開(kāi)啟紫外發(fā)光裝置對(duì)位于裝置外殼內(nèi)的topcon太陽(yáng)電池正面進(jìn)行紫外光輻照；
13、s4：將經(jīng)紫外光輻照后的topcon太陽(yáng)電池通過(guò)傳送帶送出裝置外殼后，進(jìn)行激光輔助燒結(jié)。
14、優(yōu)選的，s1具體包括以下步驟：
15、s1.1：制備n型硅基底，對(duì)硅基底進(jìn)行制絨，去除表面雜質(zhì)，形成金字塔結(jié)構(gòu)；
16、s1.2：在硅基底正面進(jìn)行硼擴(kuò)散，形成硼擴(kuò)散摻雜層；
17、s1.3：對(duì)硅基底正面進(jìn)行高溫氧化，在硼擴(kuò)散摻雜層上推進(jìn)pn結(jié)形成硼硅玻璃bsg；
18、s1.4：去除硅基底背面繞鍍的硼硅玻璃bsg，并進(jìn)行拋光處理；
19、s1.5：在硅基底背面通過(guò)等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積技術(shù)依次沉積隧穿氧化層和摻磷多晶硅層；
20、s1.6：通過(guò)rca工藝去除硅基底正面及邊緣的磷硅玻璃；
21、s1.7：再通過(guò)原子層沉積和等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積技術(shù)在硅基底正面和背面均形成氧化鋁和氮化硅雙層結(jié)構(gòu)；
22、s1.8：絲網(wǎng)印刷硅基底的正背面電極，進(jìn)行高溫?zé)Y(jié)。
23、優(yōu)選的，s3中，紫外光輻照強(qiáng)度為100-300w/m2，輻照時(shí)間為10-60s，溫度為室溫。
24、優(yōu)選的，s4中，激光輔助燒結(jié)時(shí)的偏轉(zhuǎn)電壓設(shè)置為10-15v，激光功率設(shè)置為20%-35%，時(shí)間為1-1.5s。
25、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是：
26、本申請(qǐng)對(duì)電池的絲網(wǎng)工藝進(jìn)行優(yōu)化，通過(guò)低溫快速紫外輻照預(yù)處理取代光注入退火工藝，降低了設(shè)備成本及電力成本，本申請(qǐng)通過(guò)低溫快速紫外輻照預(yù)處理將電池內(nèi)部弱的si-h鍵打斷，提升電池鈍化性能，從而提高電池效率，并且可以提高topcon太陽(yáng)電池及組件的抗uv衰減性能。
1.一種低溫快速預(yù)處理提高太陽(yáng)電池效率的裝置，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低溫快速預(yù)處理提高太陽(yáng)電池效率的裝置，其特征在于，紫外發(fā)光裝置為至少一個(gè)紫外燈（4）。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種低溫快速預(yù)處理提高太陽(yáng)電池效率的裝置，其特征在于，紫外燈（4）發(fā)出的紫外線包括uva、uvb兩種類(lèi)型，其中，uvb占3-9%，波長(zhǎng)為280-400nm。
4.一種低溫快速預(yù)處理提高太陽(yáng)電池效率的方法，應(yīng)用于權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的低溫快速預(yù)處理提高太陽(yáng)電池效率的裝置，其特征在于，包括以下步驟：
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種低溫快速預(yù)處理提高太陽(yáng)電池效率的方法，其特征在于，s1具體包括以下步驟：
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種低溫快速預(yù)處理提高太陽(yáng)電池效率的方法，其特征在于，s3中，紫外光輻照強(qiáng)度為100-300w/m2，輻照時(shí)間為10-60s，溫度為室溫。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種低溫快速預(yù)處理提高太陽(yáng)電池效率的方法，其特征在于，s4中，激光輔助燒結(jié)時(shí)的偏轉(zhuǎn)電壓設(shè)置為10-15v，激光功率設(shè)置為20%-35%，時(shí)間為1-1.5s。