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電磁波檢測器和電磁波檢測器集合體的制作方法

文檔序號:42131517發(fā)布日期:2025-06-10 17:25閱讀:10來源:國知局

本公開涉及一種電磁波檢測器和電磁波檢測器集合體。


背景技術(shù):

1、作為在下一代的電磁波檢測器中使用的電磁波檢測層的材料,已知作為二維材料層的一例的石墨烯。石墨烯具有極高的遷移率。石墨烯的吸收率低至2.3%。因此,提出了使用石墨烯作為二維材料層的電磁波檢測器中的高靈敏度化方法。

2、在日本特表2013-506303號公報(專利文獻(xiàn)1)中提出了包括第一組的光電二極管(第一光敏化層)和第二組的光電二極管(第二光敏化層)的光檢測器(電磁波檢測器)。第二組的光電二極管構(gòu)成為輸出響應(yīng)于與第一組的光電二極管的波長范圍不同的第二波長范圍的入射光子的信號。因此,光檢測器能夠檢測第一組的光電二極管的檢測波長和第二組的光電二極管的檢測波長的每一個。在光電二極管中使用量子點。

3、專利文獻(xiàn)1:日本特表2013-506303號公報


技術(shù)實現(xiàn)思路

1、發(fā)明要解決的問題

2、然而,無法提高電磁波檢測器的靈敏度,電磁波檢測器的靈敏度低。

3、本公開是鑒于上述問題而完成的,其目的在于提供具有高靈敏度的電磁波檢測器和電磁波檢測器集合體。

4、用于解決問題的方案

5、本公開的電磁波檢測器具備第一光敏化層、第一電極部、第一絕緣層、二維材料層、第二電極部以及第二光敏化層。第一電極部與第一光敏化層電連接。第一絕緣層設(shè)置于第一光敏化層上。二維材料層設(shè)置于第一絕緣層上。二維材料層與第一光敏化層電連接。第二電極部與二維材料層電連接。第一光敏化層與二維材料層連接。第二光敏化層在與第一光敏化層不同的波長范圍中具有吸收最大值。第二光敏化層能夠在與第一光敏化層不同的波長范圍中引起電壓變化。第一絕緣層配置于第一光敏化層與二維材料層之間。

6、發(fā)明的效果

7、根據(jù)本公開的電磁波檢測器,能夠提高電磁波檢測器的靈敏度。



技術(shù)特征:

1.一種電磁波檢測器,具備:

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電磁波檢測器,其中,

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電磁波檢測器,其中,

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電磁波檢測器,其中,

5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的電磁波檢測器,其中,

6.根據(jù)權(quán)利要求1~5中的任一項所述的電磁波檢測器,其中,

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電磁波檢測器,其中,

8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的電磁波檢測器,其中,

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電磁波檢測器,其中,

10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的電磁波檢測器,其中,

11.根據(jù)權(quán)利要求6~10中的任一項所述的電磁波檢測器,其中,

12.根據(jù)權(quán)利要求6~11中的任一項所述的電磁波檢測器,其中,

13.根據(jù)權(quán)利要求6~12中的任一項所述的電磁波檢測器,其中,

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的電磁波檢測器,其中,

15.根據(jù)權(quán)利要求6~14中的任一項所述的電磁波檢測器,其中,

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的電磁波檢測器,其中,

17.根據(jù)權(quán)利要求1~16中的任一項所述的電磁波檢測器,其中,

18.根據(jù)權(quán)利要求1~17中的任一項所述的電磁波檢測器,其中,

19.根據(jù)權(quán)利要求1~18中的任一項所述的電磁波檢測器,其中,

20.根據(jù)權(quán)利要求1~19中的任一項所述的電磁波檢測器,其中,

21.根據(jù)權(quán)利要求1~20中的任一項所述的電磁波檢測器,其中,

22.一種電磁波檢測器集合體,


技術(shù)總結(jié)
電磁波檢測器(100)具備第一光敏化層(2a)、第一電極部(4a)、第一絕緣層(3a)、二維材料層(1)、第二電極部(4b)以及第二光敏化層(2b)。第一絕緣層(3a)設(shè)置于第一光敏化層(2a)上。二維材料層(1)設(shè)置于第一絕緣層(3a)上。二維材料層(1)與第一光敏化層(2a)電連接。第一光敏化層(2a)與二維材料層(1)連接。第二光敏化層(2b)在與第一光敏化層(2a)不同的波長范圍中具有吸收最大值。第二光敏化層(2b)能夠在與第一光敏化層(2a)不同的波長范圍中引起電壓變化。第一絕緣層(3a)配置于第一光敏化層(2a)與二維材料層(1)之間。

技術(shù)研發(fā)人員:福島昌一郎,島谷政彰,奧田聰志,小川新平
受保護的技術(shù)使用者:三菱電機株式會社
技術(shù)研發(fā)日:
技術(shù)公布日:2025/6/9
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