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晶圓缺陷檢測方法、裝置和設備與流程

文檔序號:42307899發(fā)布日期:2025-07-01 19:25閱讀:5來源:國知局

本發(fā)明涉及半導體,特別是指一種晶圓缺陷檢測方法、裝置和設備。


背景技術:

1、在晶圓的制造過程中,晶圓表面可能會出現(xiàn)各種類型的缺陷,比如晶體原生缺陷(crystal?originated?particle,cop)和連續(xù)性缺陷等,在對晶圓進行缺陷檢測時,通常依賴于單一層次的判定標準進行缺陷的識別和分類,但是此種判定標準在對晶圓上不同類型的缺陷進行檢測時,往往容易出現(xiàn)誤判或者漏判的情況,無法對不同類型的缺陷進行精準識別。


技術實現(xiàn)思路

1、本發(fā)明實施例提供一種晶圓缺陷檢測方法、裝置和設備,用以解決現(xiàn)有技術中無法針對不同類型的缺陷進行識別的問題。

2、為解決上述技術問題,本發(fā)明的實施例提供技術方案如下:

3、第一方面,本發(fā)明實施例提供一種晶圓缺陷檢測方法,包括:

4、獲取第一批次晶圓的第一晶圓缺陷圖,其中,所述第一批次晶圓包括多個晶圓,所述第一晶圓缺陷圖指示所述第一批次晶圓中晶圓的晶體原生缺陷cop分布情況;

5、根據(jù)所述第一晶圓缺陷圖,得到所述第一批次晶圓的第一cop檢測結果;

6、在所述第一cop檢測結果指示所述第一批次晶圓不存在cop缺陷的情況下,分別對所述第一批次晶圓中的每一晶圓進行缺陷檢測,得到所述晶圓的第一缺陷檢測結果,其中,所述第一缺陷檢測結果用于指示所述晶圓上是否存在第一缺陷,所述第一缺陷為除所述cop缺陷之外的缺陷。

7、一些實施例中,獲取第一批次晶圓的第一晶圓缺陷圖,包括:

8、利用顆粒計數(shù)器對所述第一批次晶圓中的每一晶圓進行掃描,得到所述晶圓的第一缺陷圖,所述第一缺陷圖用于指示所述晶圓上不同位置的缺陷信息;

9、將每一所述晶圓的第一缺陷圖投射至第一晶圓的第一缺陷圖上,得到所述第一晶圓缺陷圖,其中,所述第一晶圓為所述第一批次晶圓中的任一晶圓。

10、一些實施例中,根據(jù)所述第一晶圓缺陷圖,得到所述第一批次晶圓的第一cop檢測結果,包括:

11、根據(jù)所述第一晶圓缺陷圖,得到所述第一批次晶圓上的缺陷分布特征;

12、在所述缺陷分布特征滿足以下至少一項的情況下,確定所述第一cop檢測結果指示所述第一批次晶圓存在cop缺陷,否則,確定所述第一cop檢測結果指示所述第一批次晶圓不存在cop缺陷:

13、所述缺陷分布聚集于所述第一晶圓缺陷圖的邊緣區(qū)域;

14、所述缺陷分布聚集于所述第一晶圓缺陷圖的中心區(qū)域。

15、一些實施例中,所述方法還包括:

16、在所述第一cop檢測結果指示所述第一批次晶圓存在cop缺陷的情況下,確定對所述第一批次晶圓進行攔截。

17、一些實施例中,分別對所述第一批次晶圓中的每一晶圓進行缺陷檢測,得到所述晶圓的第一缺陷檢測結果,包括:

18、分別對每一所述晶圓進行缺陷檢測,得到所述晶圓的空間缺陷分布圖;

19、根據(jù)所述空間缺陷分布圖,得到所述晶圓的第一缺陷檢測結果。

20、一些實施例中,所述第一缺陷包括以下至少一項:

21、團簇類型缺陷;

22、連續(xù)的目標形狀的微圖形缺陷;

23、不連續(xù)的目標形狀的微圖形缺陷。

24、一些實施例中,所述方法還包括:

25、根據(jù)所述第一缺陷檢測結果,確定所述第一批次晶圓中存在所述第一缺陷的第二晶圓;

26、在所述第一批次晶圓中去除所述第二晶圓,得到第二批次晶圓;

27、對所述第二批次晶圓進行質(zhì)量檢測,得到所述第二批次晶圓的質(zhì)量檢測結果。

28、一些實施例中,對所述第二批次晶圓進行質(zhì)量檢測,得到所述第二批次晶圓的質(zhì)量檢測結果,包括:

29、獲取所述第二批次晶圓的第二晶圓缺陷圖,其中,所述第二批次晶圓包括至少一個晶圓,所述第二晶圓缺陷圖指示所述第二批次晶圓中晶圓的cop分布情況;

30、根據(jù)所述第二晶圓缺陷圖,得到所述第二批次晶圓的第二cop檢測結果;

31、在所述第二cop檢測結果指示所述第二批次晶圓不存在cop缺陷的情況下,確定所述質(zhì)量檢測結果指示所述第二批次晶圓質(zhì)量合格。

32、第二方面,本發(fā)明實施例還提供一種晶圓缺陷檢測裝置,包括:

33、第一獲取模塊,用于獲取第一批次晶圓的第一晶圓缺陷圖,其中,所述第一批次晶圓包括多個晶圓,所述第一晶圓缺陷圖指示所述第一批次晶圓中晶圓的晶體原生缺陷cop分布情況;

34、第一處理模塊,用于根據(jù)所述第一晶圓缺陷圖,得到所述第一批次晶圓的第一cop檢測結果;

35、第二處理模塊,用于在所述第一cop檢測結果指示所述第一批次晶圓不存在cop缺陷的情況下,分別對所述第一批次晶圓中的每一晶圓進行缺陷檢測,得到所述晶圓的第一缺陷檢測結果,其中,所述第一缺陷檢測結果用于指示所述晶圓上是否存在第一缺陷,所述第一缺陷為除所述cop缺陷之外的缺陷。

36、第三方面,本發(fā)明實施例還提供一種晶圓缺陷檢測設備包括:處理器、存儲器及存儲在所述存儲器上并可在所述處理器上運行的程序,所述程序被所述處理器執(zhí)行時實現(xiàn)如上中任一項所述的晶圓缺陷檢測方法中的步驟。

37、本發(fā)明的實施例具有以下有益效果:

38、本發(fā)明實施例提供的晶圓缺陷檢測方法,通過對第一批次晶圓進行缺陷檢測,得到第一批次晶圓的第一晶圓缺陷圖,該第一晶圓缺陷圖指示第一批次晶圓中晶圓的cop分布情況,根據(jù)該第一晶圓缺陷圖,得到第一批次晶圓的第一cop缺陷檢測結果,根據(jù)該第一cop缺陷檢測結果,可以識別出第一批次晶圓上是否存在cop去缺陷,若第一批次晶圓不存在cop缺陷,則分別對每一晶圓進行缺陷檢測,得到所述晶圓的第一缺陷檢測結果,根據(jù)該第一缺陷檢測結果,可以得到晶圓上是否存在第一缺陷,從而實現(xiàn)對晶圓的多層次檢測,以檢測出晶圓的cop缺陷和除cop缺陷之外的其他類型的缺陷,達到對不同類型的缺陷進行精準識別的目的,避免對晶圓缺陷的漏盤或者誤判。



技術特征:

1.一種晶圓缺陷檢測方法,其特征在于,包括:

2.根據(jù)權利要求1所述的晶圓缺陷檢測方法,其特征在于,獲取第一批次晶圓的第一晶圓缺陷圖,包括:

3.根據(jù)權利要求1所述的晶圓缺陷檢測方法,其特征在于,根據(jù)所述第一晶圓缺陷圖,得到所述第一批次晶圓的第一cop檢測結果,包括:

4.根據(jù)權利要求1所述的晶圓缺陷檢測方法,其特征在于,所述方法還包括:

5.根據(jù)權利要求1所述的晶圓缺陷檢測方法,其特征在于,分別對所述第一批次晶圓中的每一晶圓進行缺陷檢測,得到所述晶圓的第一缺陷檢測結果,包括:

6.根據(jù)權利要求1所述的晶圓缺陷檢測方法,其特征在于,所述第一缺陷包括以下至少一項:

7.根據(jù)權利要求1所述的晶圓缺陷檢測方法,其特征在于,所述方法還包括:

8.根據(jù)權利要求7所述的晶圓缺陷檢測方法,其特征在于,對所述第二批次晶圓進行質(zhì)量檢測,得到所述第二批次晶圓的質(zhì)量檢測結果,包括:

9.一種晶圓缺陷檢測裝置,其特征在于,包括:

10.一種晶圓缺陷檢測設備,其特征在于,包括:處理器、存儲器及存儲在所述存儲器上并可在所述處理器上運行的程序,所述程序被所述處理器執(zhí)行時實現(xiàn)如權利要求1至8中任一項所述的晶圓缺陷檢測方法中的步驟。


技術總結
本發(fā)明提供了一種晶圓缺陷檢測方法、裝置和設備,涉及半導體技術領域,所述晶圓缺陷檢測方法,包括:獲取第一批次晶圓的第一晶圓缺陷圖,第一晶圓缺陷圖指示第一批次晶圓中晶圓的晶體原生缺陷COP分布情況;根據(jù)第一晶圓缺陷圖,得到第一批次晶圓的第一COP檢測結果;在第一COP檢測結果指示第一批次晶圓不存在COP缺陷的情況下,分別對第一批次晶圓中的每一晶圓進行缺陷檢測,得到晶圓的第一缺陷檢測結果,第一缺陷檢測結果用于指示晶圓上是否存在第一缺陷,第一缺陷為除COP缺陷之外的缺陷。本發(fā)明對晶圓進行多層次檢測,檢測出晶圓的COP缺陷和除COP缺陷之外的其他缺陷,達到對不同類型的缺陷進行精準識別的目的。

技術研發(fā)人員:萬珣,馬強強,史進
受保護的技術使用者:西安奕斯偉材料科技股份有限公司
技術研發(fā)日:
技術公布日:2025/6/30
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