本發(fā)明涉及半導(dǎo)體設(shè)備，具體涉及一種基片處理裝置。
背景技術(shù)：
1、在半導(dǎo)體制造過(guò)程中，基片處理裝置可以通過(guò)將多張基片浸沒(méi)在處理槽內(nèi)，由處理液對(duì)多張基片同時(shí)進(jìn)行清洗或刻蝕等工藝處理。為提高基片液處理的均勻性，例如基片刻蝕均勻性，通常會(huì)在處理槽內(nèi)增加鼓泡工藝，向處理液中供應(yīng)氣泡，對(duì)處理液進(jìn)行攪動(dòng)以促進(jìn)基片表面的傳質(zhì)效率，以此提高基片刻蝕的均勻性。
2、目前鼓泡工藝中，氣泡在流體中的均勻性很難控制，在實(shí)際過(guò)程中會(huì)出現(xiàn)偏邊現(xiàn)象，氣泡往一個(gè)方向移動(dòng)，導(dǎo)致晶圓承載部上第一片或者最后一片晶圓上面沒(méi)有氣泡經(jīng)過(guò)，導(dǎo)致工藝結(jié)果失敗。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是為了克服現(xiàn)有技術(shù)中基片處理裝置的處理槽內(nèi)的氣泡出現(xiàn)偏邊現(xiàn)象的缺陷，提供一種基片處理裝置。
2、本發(fā)明是通過(guò)下述技術(shù)方案來(lái)解決上述技術(shù)問(wèn)題：
3、一種基片處理裝置，其包括：
4、處理槽，其用于貯存對(duì)多個(gè)基片實(shí)施處理的處理液，所述處理槽包括溢流位，所述處理液通過(guò)所述溢流位溢流至外部；
5、阻擋部，設(shè)置于所述處理槽內(nèi)，所述阻擋部頂部的高度高于所述溢流位的高度，所述阻擋部用于在所述處理槽中形成處理空間和隔斷空間；
6、氣體排出部，所述氣體排出部設(shè)置于所述處理槽的底部，所述氣體排出部的氣體排出區(qū)域位于所述處理空間內(nèi)，用于在處理液中形成上升的氣泡。
7、本發(fā)明的積極進(jìn)步效果在于：通過(guò)在處理槽中引入阻擋部，將處理槽分割為一個(gè)隔斷空間和一個(gè)處理空間，氣體排出部的氣體排出區(qū)域設(shè)置于處理空間內(nèi)，且阻擋部的頂部配置為高于溢流位，切斷了處理空間內(nèi)的處理液流向隔斷空間的上部回流路徑，有利于處理空間內(nèi)流場(chǎng)的穩(wěn)定，以使得處理空間的氣泡更為穩(wěn)定均勻，避免了偏邊現(xiàn)象的出現(xiàn)。
1.一種基片處理裝置，其特征在于，包括：
2.如權(quán)利要求1所述的基片處理裝置，其特征在于，所述處理槽還包括溢流面和非溢流面，所述溢流位設(shè)置于所述溢流面上，所述阻擋部靠近所述非溢流面設(shè)置，所述隔斷空間位于所述阻擋部與所述非溢流面之間，所述處理空間是所述處理槽中除所述隔斷空間以外的空間。
3.如權(quán)利要求1所述的基片處理裝置，其特征在于，還包括進(jìn)氣管路，所述進(jìn)氣管路與所述氣體排出部連接，用于對(duì)所述氣體排出部提供氣體，所述進(jìn)氣管路設(shè)置于所述隔斷空間內(nèi)。
4.如權(quán)利要求1所述的基片處理裝置，其特征在于，還包括進(jìn)液管路，用于向所述處理槽提供處理液，所述進(jìn)液管路設(shè)置于所述隔斷空間內(nèi)。
5.如權(quán)利要求4所述的基片處理裝置，其特征在于，所述隔斷空間與所述處理空間存在連通區(qū)域。
6.如權(quán)利要求5所述的基片處理裝置，其特征在于，所述連通區(qū)域包括第一連通區(qū)域和/或第二連通區(qū)域，所述第一連通區(qū)域設(shè)置于所述阻擋部的底部與所述處理槽的底部之間，所述第二連通區(qū)域設(shè)置于所述阻擋部的側(cè)端面與所述處理槽的內(nèi)側(cè)壁之間。
7.如權(quán)利要求2所述的基片處理裝置，其特征在于，所述阻擋部的主面與所述基片相對(duì)設(shè)置。
8.如權(quán)利要求7所述的基片處理裝置，其特征在于，所述阻擋部的寬度大于所述基片的寬度。
9.如權(quán)利要求7所述的基片處理裝置，其特征在于，所述基片沿垂直于其平面方向的投影在所述阻擋部的主面內(nèi)。
10.如權(quán)利要求1所述的基片處理裝置，其特征在于，所述阻擋部的底部的高度不高于基片的中心點(diǎn)的高度。
11.如權(quán)利要求1所述的基片處理裝置，其特征在于，還包括：
12.如權(quán)利要求1所述的基片處理裝置，其特征在于，還包括連接件，所述阻擋部通過(guò)所述連接件與所述處理槽連接。
13.如權(quán)利要求12所述的基片處理裝置，其特征在于，所述連接件包括第一連接件和/或第二連接件，所述第一連接件設(shè)置于所述阻擋部的上部區(qū)域，所述第二連接件設(shè)置于所述阻擋部的下部區(qū)域或中部區(qū)域。
14.如權(quán)利要求1所述的基片處理裝置，其特征在于，所述氣體排出部包括：
15.如權(quán)利要求1所述的基片處理裝置，其特征在于，所述氣體排出部包括：至少兩個(gè)鼓泡單元，每個(gè)鼓泡單元的頂面包括多個(gè)開孔，每個(gè)鼓泡單元的內(nèi)部形成鼓泡腔，用于向所述多個(gè)開孔提供氣體，所述鼓泡腔包括至少一個(gè)能夠獨(dú)立控制的氣體通道。