本發(fā)明涉及半導體，具體地，涉及一種透射電鏡樣品及其制備方法。
背景技術(shù)：
1、tsv硅通孔技術(shù)即是穿過硅基板(wafer或芯片)的垂直電互連，是通過在芯片和芯片之間、晶圓和晶圓之間制作垂直導通。tsv技術(shù)通過銅、鎢、多晶硅等導電物質(zhì)的填充，實現(xiàn)硅通孔(如圖1所示)的垂直電氣互聯(lián)，實現(xiàn)芯片之間互連的技術(shù)。這項技術(shù)是目前最新的垂直電互聯(lián)技術(shù)，是實現(xiàn)3d先進封裝的關(guān)鍵技術(shù)之一。
2、在tsv技術(shù)中，如圖2所示，由于tsv深度達到60μm及以上，若要同時觀察樣品的頂部(top)、中部(middle)和底部(bottom)結(jié)構(gòu)時，使用普通透射電鏡樣品的制備方式需分三次執(zhí)行fib(聚焦離子束)加工。具體地，切割透射電鏡樣品的頂部，進入fib機臺加工；在切完頂部透射電鏡樣品后拿出來用研磨機研磨到靠近中部時，再進入fib機臺加工；然后切完中部透射電鏡樣品后拿出來用研磨機研磨到靠近底部時，再進入fib機臺加工，總共需研磨兩次，進出機臺三次。
3、目前的現(xiàn)有技術(shù)中，不能同時觀察樣品不同部位的結(jié)構(gòu)，造成制備透射電鏡樣品時間攏長，且無法有效利用機臺時間，減緩fib機臺加工速度。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、本發(fā)明的目的是提供一種透射電鏡樣品及其制備方法，該方法可以縮短透射電鏡樣品制備時間，以及提高fib機臺效率。
2、為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明第一方面提供一種制備透射電鏡樣品的方法，該方法包括：
3、s1、從晶片上切割出包含tsv結(jié)構(gòu)的樣品，將所述樣品粘黏至u型叉上；
4、s2、將粘黏有所述樣品的所述u型叉固定在t型支架上；
5、s3、將所述樣品和所述t型支架調(diào)整至水平狀態(tài)；
6、s4、調(diào)整所述t型支架一端的高度使所述t型支架與水平面形成傾斜角；
7、s5、將形成有所述傾斜角的t型支架上的所述樣品進行研磨，以形成具有斜邊結(jié)構(gòu)的樣品；
8、s6、將研磨后具有所述斜邊結(jié)構(gòu)的所述樣品進行fib加工，以形成所述透射電鏡樣品。
9、可選地，所述包含tsv結(jié)構(gòu)的樣品的厚度為120～150nm；所述tsv結(jié)構(gòu)的深度為60～80μm。
10、可選地，將所述樣品粘黏至所述u型叉上的步驟包括：在所述u型叉的前端放置一塊玻璃，在所述玻璃上涂覆熱熔膠形成粘黏層，在所述粘黏層上粘黏所述樣品。
11、可選地，所述t型支架設(shè)置有調(diào)整腳，將粘黏有所述樣品的所述u型叉的前端沾水，放置一片玻璃至所述t型支架上，通過觀察所述玻璃上的水痕去旋轉(zhuǎn)所述調(diào)整腳，將所述樣品和所述t型支架調(diào)整至水平狀態(tài)。
12、可選地，所述t型支架的長度為3～5cm，所述t型支架一端的高度為1～2cm，所述傾斜角為11.53°～41.82°。
13、可選地，所述研磨的步驟包括：使用水砂紙研磨所述樣品至露出tsv結(jié)構(gòu)的中部，然后使用鉆石砂紙研磨至露出tsv結(jié)構(gòu)的底部，以形成所述具有斜邊結(jié)構(gòu)的樣品，使得所述樣品的tsv結(jié)構(gòu)的頂部，中部和底部同時呈現(xiàn)出來。
14、可選地，所述斜邊與水平面的夾角為11.53°～41.82°。
15、可選地，研磨后所述樣品的tsv結(jié)構(gòu)的中部的深度為30～40μm，tsv結(jié)構(gòu)的底部的深度為2～5μm。
16、可選地，所述fib加工的步驟包括：在具有所述斜邊結(jié)構(gòu)的所述樣品的表面做標記，在所述標記的區(qū)域沉積鉑金保護層，在所述鉑金保護層的前后兩側(cè)形成凹槽，所述凹槽的深度能暴露出所述tsv結(jié)構(gòu)的側(cè)壁，采用離子束將所述凹槽內(nèi)的樣品減薄到理想厚度，切斷所述凹槽內(nèi)樣品的底部和兩個側(cè)壁，以形成所述透射電鏡樣品。
17、本發(fā)明第二方面提供一種透射電鏡樣品，采用本發(fā)明第一方面提供的方法制備得到。
18、可選地，所述透射電鏡樣品包含tsv結(jié)構(gòu)；所述透射電鏡樣品的厚度為70～90nm。
19、可選地，所述透射電鏡樣品具有斜邊結(jié)構(gòu)。
20、通過上述技術(shù)方案，本發(fā)明通過將形成有傾斜角的t型支架上的樣品進行研磨，形成具有斜邊結(jié)構(gòu)的樣品，使得樣品的tsv結(jié)構(gòu)的頂部，中部和底部可以同時呈現(xiàn)出來；然后將研磨后具有斜邊結(jié)構(gòu)的樣品進行fib加工，形成透射電鏡樣品，可以同時觀察到樣品頂部，中部和底部的結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的方法將t型支架運用在tsv上，可增加fib執(zhí)行上的速度與便利性，使得研磨次數(shù)和進出fib機臺的次數(shù)減少，進而可以縮短透射電鏡樣品制備時間，以及提高fib機臺效率，同時使透射電鏡樣品的產(chǎn)出速率提高。
21、本發(fā)明的其他特征和優(yōu)點將在隨后的具體實施方式部分予以詳細說明。
1.一種制備透射電鏡樣品的方法，其特征在于，該方法包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述tsv結(jié)構(gòu)的深度為60～80μm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，將所述樣品粘黏至所述u型叉上的步驟包括：
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述t型支架設(shè)置有調(diào)整腳，將粘黏有所述樣品的所述u型叉的前端沾水，放置一片玻璃至所述t型支架上，通過觀察所述玻璃上的水痕去旋轉(zhuǎn)所述調(diào)整腳，將所述樣品和所述t型支架調(diào)整至水平狀態(tài)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述t型支架的長度為3～5cm，所述t型支架一端的高度為1～2cm，所述傾斜角為11.53°～41.82°。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述研磨的步驟包括：使用水砂紙研磨所述樣品至露出tsv結(jié)構(gòu)的中部，然后使用鉆石砂紙研磨至露出tsv結(jié)構(gòu)的底部，以形成所述具有斜邊結(jié)構(gòu)的樣品，使得所述樣品的tsv結(jié)構(gòu)的頂部，中部和底部同時呈現(xiàn)出來。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述斜邊與水平面的夾角為11.53°～41.82°。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，研磨后所述樣品的tsv結(jié)構(gòu)的中部的深度為30～40μm，tsv結(jié)構(gòu)的底部的深度為2～5μm。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述fib加工的步驟包括：在具有所述斜邊結(jié)構(gòu)的所述樣品的表面做標記，在所述標記的區(qū)域沉積鉑金保護層，在所述鉑金保護層的前后兩側(cè)形成凹槽，采用離子束將所述凹槽內(nèi)的樣品減薄到理想厚度，切斷所述凹槽內(nèi)樣品的底部和兩個側(cè)壁，以形成所述透射電鏡樣品。
10.一種透射電鏡樣品，其特征在于，采用權(quán)利要求1～9中任意一項所述的方法制備得到。